晶體二極管及應(yīng)用電路(編輯修改稿)
2024-08-28 15:04 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 11反偏： P區(qū)接低電位（負(fù)電位）， N區(qū)接高電位（正電位）。 ＊ 硅 PN結(jié)的 Is 為 pA級 ＊ 溫度 T增大 → Is 3 PN結(jié)的 伏安特性 ① 伏安特性方程： ② PN結(jié)的伏安特性曲線：圖 112167。13 晶體二極管 二極管的結(jié)構(gòu)和符號：圖 113（ a） 為結(jié)構(gòu)，（b） 為符號。一 二極管的 伏安特性：1 單向?qū)щ娞匦裕? 導(dǎo)通電壓 VON ：3 鍺管的 Is比硅管的 Is大三個數(shù)量級；4 Is隨溫度升高而增大： 圖 1145 鍺管與硅管伏安特性的差異：圖 115? 二極管的 RD和 rd1 直流電阻 RD： 二極管的 伏安特性為曲線 → 二極管為非線性電阻器件。結(jié)論： ① Q點處的電流越大， 二極管的直流電阻 RD越??； ② 二極管的正反向直流電阻相差很大。2 交流電阻 rd 二極管工作點 Q處的微變電壓增量 dvD 和微變電流增量 diD 之 比，稱為該點處的交流電阻 rd 。 圖 118。3 二極管的參數(shù)： 最大平均整流電流： 最大反向工作電壓 VR 反向電流 IR ： 最高工作頻率 fm ：? 二極管的模型： 器件模型：由理想元件構(gòu)成的能近似反映電子器件特性的等效電路。1 二極管的 伏安特性的分段線性近似模型 ⑴ 理想開關(guān)模型 ： 二極管 → 理想開關(guān) 正偏時正向電壓 = 0，反偏時反向電流 = 0 圖 119⑵ 恒壓源模型： 圖 120原因：二極管導(dǎo)通時電流較大， rd很小 ，近似認(rèn)為二極管的端電壓不隨電流變化 → 恒壓特性。⑶ 折線 近似 模型：圖 121例 11 ： P13～ 14解法 1：圖解法或負(fù)載線法。解法 2：估算法。? 二極管的交流小信號模型 → 工作點 Q處的交流電阻 rd圖 124。交流通路： 圖 125（ b） 和 圖 126 （ d）。直流通路 ：圖 126 （ b）例 13
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