【文章內(nèi)容簡介】 及應(yīng)用1 MC33035的組成（1）轉(zhuǎn)子位置譯碼器；（2）限流保護電路；（3）；（4）電阻、電容鋸齒波振蕩電路；（5）脈寬調(diào)制比較器；（6）誤差放大器；（7）輸出驅(qū)動電路；（8）欠壓、過載保護和故障電平輸出。 2 MC33035的腳管功能說明:圖 MC33035: MC33035各引腳的說明引腳號引腳名稱功能說明1，2，24BT，AT，CT三個集電極開路頂端驅(qū)動輸出，驅(qū)動外部上端功率開關(guān)晶體管正向/反向輸入，改變電機轉(zhuǎn)向。4，5，6SA,SB,SC 三個傳感器輸入，控制整流序列。7 OoutputEnable 輸出使能，高電平有效。8Reference Output 此輸出為振蕩器定時電容提供充電電流，并為誤差放大器提供參考電壓，還向傳感器提供電源。9Current Sense Noninverting Input 電流檢測同向輸入。10Oscillator 振蕩器引腳，振蕩頻率由定時元件R和C 所選擇的參數(shù)值決定。11ErrorAmp Noninverting Input 誤差信號放大器同向輸入。通常連接到速度設(shè)置電位器上12ErrorAmp Noninverting Input誤差信號放大器反向輸入。13 ErrorAmp Out/PWMInput 誤差放大器輸出/PWM 輸入。14Fault Output 故障輸出端。15Current Sense Inverting Input 電流檢測反向輸入端。16Gnd 該管腳用于為控制電路提供一個分離的接地點，并可以作為參考返回到電源地。17 Vcc正電源。Vcc在10V～30V 的范圍內(nèi)，控制器均可正常工作。18Vc 底部驅(qū)動輸出的高端電壓是由該管腳提供的，它的工作范圍從10V～30V。19，20，21CB,BB,AB 這三個圖騰柱式底部驅(qū)動輸出被設(shè)計用于直接驅(qū)動外部底部功率開關(guān)晶體管。2260176。/120176。Select 此管腳的電氣狀態(tài)可決定控制電路是工作在60176。（高電平狀態(tài)）還是120176。（低電平狀態(tài)）的傳感器電氣相位輸入狀態(tài)下。23Brake輸出使能。該管腳為高時允許馬達運行，為低時馬達運行停止。 驅(qū)動橋主電路設(shè)計全橋是由6個MOSFET管組成，半橋只有3個MOSFET管組成。倆者的優(yōu)缺點：全橋，控制簡單，效率可以做的比較高。半橋與全橋差不多，不過效率沒全橋那么高，成本比全橋要便宜點。 驅(qū)動開關(guān)元件選擇MOSFET是由貝爾實驗室的D. Kahng和Martin 在1960年首次實驗成功，MOSFET的操作原理和1947年蕭克萊等人發(fā)明的雙載子晶體管不同，且制造成本低廉、使用面積較小和高整合度，在大型積體電路或是超大型積體電路的領(lǐng)域里運用廣泛。 由于MOSFET的性能不斷提升和改進，除了應(yīng)用于微處理器、微控制器等訊號處理的場合上，還有越來越多類比訊號處理的模擬電路同樣用MOSFET來實現(xiàn)。 對IGBT、GTR、GTO 和MOSFET的優(yōu)缺點的比較器 件優(yōu) 點缺 點IGBT開關(guān)速度高，開關(guān)損耗小，具有耐脈沖電流沖擊的能力，通態(tài)壓降較低，輸入阻抗高，為電壓驅(qū)動，驅(qū)動功率小開關(guān)速度低于電MOSFET,電壓，電流容量不及GTOGTR耐壓高，電流大，開關(guān)特性好，通流能力強，飽和壓降低開關(guān)速度低，為電流驅(qū)動，所需驅(qū)動功率大，驅(qū)動電路復(fù)雜，存在二次擊穿問題GTO電壓、電流容量大，適用于大功率場合，具有電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)，其通流能力很強電流關(guān)斷增益很小，關(guān)斷時門極負脈沖電流大，開關(guān)速度低，驅(qū)動功率大，驅(qū)動電路復(fù)雜，開關(guān)頻率低 MOSFET開關(guān)速度快，輸入阻抗高，熱穩(wěn)定性好，所需驅(qū)動功率小且驅(qū)動電路簡單，工作頻率高，不存在二次擊穿問題電流容量小，耐壓低，一般只適用于功率不超過10kW的電力電子裝置通過上述的比較，我選擇MOSFET。按照任務(wù)要求設(shè)計全控△和Y，半控。 三相半控，全控電路 三相半控電路其工作原理：在三相半控電路中，要求磁極位置傳感器輸出信號1/3為高電平，2/3周期為低電平，并且傳感器信號之間的相位差是1/3周期。當轉(zhuǎn)子位置處于120176。，A為高電平，B、C為低電平。Q1導(dǎo)通，LA相繞組通電。在電磁作用下，轉(zhuǎn)子順時針方向旋轉(zhuǎn)。當轉(zhuǎn)子處于240176。時，B為高電平，A、C為低電平，Q2導(dǎo)通，LB相繞組通電，LA相繞組斷電。轉(zhuǎn)子磁鐵同LB相繞組產(chǎn)生的電磁力作用下，繼續(xù)順時針旋轉(zhuǎn)。轉(zhuǎn)子處于360176。時，C為高電平，A、B為低電平，Q3導(dǎo)通，LC相繞組通電，轉(zhuǎn)子繼續(xù)順時針旋轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)子回到原來位置，繼續(xù)以上過程。三相半控電路特點是簡單，但電動機的利用率很低，每個繞組只導(dǎo)通1/3周期，沒有得到充分利用。 三相全控Y電路，電動機繞組為Y連接。QQQQQQ6為6只P型功率MOSFET管，起到繞組開關(guān)作用。QQQ3高電平有效，QQQ6為低電平有效。它們的導(dǎo)通方式為三三導(dǎo)通。三三導(dǎo)通方式是任意時刻3個開關(guān)管同時導(dǎo)通，每隔60度電角度換相一次，每個功率管通電180176。，功率管的導(dǎo)通方式是：QQQ2QQQ4QQQ3QQQ5QQQ1QQQ6QQQ2…。當QQQ6導(dǎo)通時電流從Q1流入LA相繞組中，經(jīng)過LB、LC繞組分流，合成轉(zhuǎn)矩方向和LA一致。經(jīng)過60176。電角度后，換相到QQQ2通電，先關(guān)斷Q5再打開Q2這時電流從QQ2流入，經(jīng)過LA、LB繞組，再流入LC相繞組，最后經(jīng)Q6流出，合成轉(zhuǎn)矩于LC的反方向一致，經(jīng)過60176。電角度。再經(jīng)過60176。電角度，換相到QQQ4通電之后，以此類推，: 三三導(dǎo)通的合成轉(zhuǎn)矩 Y連接三三導(dǎo)通方式電壓波形圖 三相全空△電路，繞組為△。三三導(dǎo)通時通電順序為QQQ2QQQ4QQQ3QQQ5QQQ1QQQ6QQQ2…。當QQQ6導(dǎo)通時，電流從Q1管流入，經(jīng)過LA、LB繞組，在從QQ6管流出，LC相繞組中無電流通過，這相當于LA、LB倆相繞組并聯(lián)。假設(shè)電流從LA到LB、LB到LC、LC到LA所產(chǎn)生的轉(zhuǎn)矩為正，而從LC到LB、LB到LA、LA到LC產(chǎn)生的轉(zhuǎn)矩為負。流入LA相繞組產(chǎn)生的轉(zhuǎn)矩為正，流入LB相的繞組所產(chǎn)生的的轉(zhuǎn)矩為負。 功率模塊IR2110介紹(1) IR2110的特點有：輸出驅(qū)動隔離電壓可達500V；芯片自身的門輸入驅(qū)動范圍為10~20V；輸入端帶施密特觸發(fā)電器；可實現(xiàn)兩路分立的驅(qū)動輸出，可驅(qū)動高壓高頻器件，如IGBT、功率MOSFET等，且工作頻率高可達500KHz ，開通、關(guān)斷延遲小，分別為120ns和94ns；邏輯電源的輸入范圍（腳9）515V，可方便的與TTL，CMOS電平相匹配。 (2) IR2110 主要功能及技術(shù)參數(shù)IR2110 邏輯電源電壓范圍在5 V20V以內(nèi) ,適應(yīng)TTL 或CMOS 邏輯信號輸入,具有獨立的高端和低端輸出通道。由于邏輯信號均通過電平耦合電路連接到各自的通道上,容許邏輯電路參考地(USS) 與功率電路參考地(COM) 之間有 5V和+ 5V