【文章內容簡介】 及應用1 MC33035的組成（1）轉子位置譯碼器；（2）限流保護電路；（3）；（4）電阻、電容鋸齒波振蕩電路；（5）脈寬調制比較器；（6）誤差放大器；（7）輸出驅動電路；（8）欠壓、過載保護和故障電平輸出。 2 MC33035的腳管功能說明:圖 MC33035: MC33035各引腳的說明引腳號引腳名稱功能說明1，2，24BT，AT，CT三個集電極開路頂端驅動輸出，驅動外部上端功率開關晶體管正向/反向輸入，改變電機轉向。4，5，6SA,SB,SC 三個傳感器輸入，控制整流序列。7 OoutputEnable 輸出使能，高電平有效。8Reference Output 此輸出為振蕩器定時電容提供充電電流，并為誤差放大器提供參考電壓，還向傳感器提供電源。9Current Sense Noninverting Input 電流檢測同向輸入。10Oscillator 振蕩器引腳，振蕩頻率由定時元件R和C 所選擇的參數(shù)值決定。11ErrorAmp Noninverting Input 誤差信號放大器同向輸入。通常連接到速度設置電位器上12ErrorAmp Noninverting Input誤差信號放大器反向輸入。13 ErrorAmp Out/PWMInput 誤差放大器輸出/PWM 輸入。14Fault Output 故障輸出端。15Current Sense Inverting Input 電流檢測反向輸入端。16Gnd 該管腳用于為控制電路提供一個分離的接地點，并可以作為參考返回到電源地。17 Vcc正電源。Vcc在10V～30V 的范圍內，控制器均可正常工作。18Vc 底部驅動輸出的高端電壓是由該管腳提供的，它的工作范圍從10V～30V。19，20，21CB,BB,AB 這三個圖騰柱式底部驅動輸出被設計用于直接驅動外部底部功率開關晶體管。2260176。/120176。Select 此管腳的電氣狀態(tài)可決定控制電路是工作在60176。（高電平狀態(tài)）還是120176。（低電平狀態(tài)）的傳感器電氣相位輸入狀態(tài)下。23Brake輸出使能。該管腳為高時允許馬達運行，為低時馬達運行停止。 驅動橋主電路設計全橋是由6個MOSFET管組成，半橋只有3個MOSFET管組成。倆者的優(yōu)缺點：全橋，控制簡單，效率可以做的比較高。半橋與全橋差不多，不過效率沒全橋那么高，成本比全橋要便宜點。 驅動開關元件選擇MOSFET是由貝爾實驗室的D. Kahng和Martin 在1960年首次實驗成功，MOSFET的操作原理和1947年蕭克萊等人發(fā)明的雙載子晶體管不同，且制造成本低廉、使用面積較小和高整合度，在大型積體電路或是超大型積體電路的領域里運用廣泛。 由于MOSFET的性能不斷提升和改進，除了應用于微處理器、微控制器等訊號處理的場合上，還有越來越多類比訊號處理的模擬電路同樣用MOSFET來實現(xiàn)。 對IGBT、GTR、GTO 和MOSFET的優(yōu)缺點的比較器 件優(yōu) 點缺 點IGBT開關速度高，開關損耗小，具有耐脈沖電流沖擊的能力，通態(tài)壓降較低，輸入阻抗高，為電壓驅動，驅動功率小開關速度低于電MOSFET,電壓，電流容量不及GTOGTR耐壓高，電流大，開關特性好，通流能力強，飽和壓降低開關速度低，為電流驅動，所需驅動功率大，驅動電路復雜，存在二次擊穿問題GTO電壓、電流容量大，適用于大功率場合，具有電導調制效應，其通流能力很強電流關斷增益很小，關斷時門極負脈沖電流大，開關速度低，驅動功率大，驅動電路復雜，開關頻率低 MOSFET開關速度快，輸入阻抗高，熱穩(wěn)定性好，所需驅動功率小且驅動電路簡單，工作頻率高，不存在二次擊穿問題電流容量小，耐壓低，一般只適用于功率不超過10kW的電力電子裝置通過上述的比較，我選擇MOSFET。按照任務要求設計全控△和Y，半控。 三相半控，全控電路 三相半控電路其工作原理：在三相半控電路中，要求磁極位置傳感器輸出信號1/3為高電平，2/3周期為低電平，并且傳感器信號之間的相位差是1/3周期。當轉子位置處于120176。，A為高電平，B、C為低電平。Q1導通，LA相繞組通電。在電磁作用下，轉子順時針方向旋轉。當轉子處于240176。時，B為高電平，A、C為低電平，Q2導通，LB相繞組通電，LA相繞組斷電。轉子磁鐵同LB相繞組產(chǎn)生的電磁力作用下，繼續(xù)順時針旋轉。轉子處于360176。時，C為高電平，A、B為低電平，Q3導通，LC相繞組通電，轉子繼續(xù)順時針旋轉，轉子回到原來位置，繼續(xù)以上過程。三相半控電路特點是簡單，但電動機的利用率很低，每個繞組只導通1/3周期，沒有得到充分利用。 三相全控Y電路，電動機繞組為Y連接。QQQQQQ6為6只P型功率MOSFET管，起到繞組開關作用。QQQ3高電平有效，QQQ6為低電平有效。它們的導通方式為三三導通。三三導通方式是任意時刻3個開關管同時導通，每隔60度電角度換相一次，每個功率管通電180176。，功率管的導通方式是：QQQ2QQQ4QQQ3QQQ5QQQ1QQQ6QQQ2…。當QQQ6導通時電流從Q1流入LA相繞組中，經(jīng)過LB、LC繞組分流，合成轉矩方向和LA一致。經(jīng)過60176。電角度后，換相到QQQ2通電，先關斷Q5再打開Q2這時電流從QQ2流入，經(jīng)過LA、LB繞組，再流入LC相繞組，最后經(jīng)Q6流出，合成轉矩于LC的反方向一致，經(jīng)過60176。電角度。再經(jīng)過60176。電角度，換相到QQQ4通電之后，以此類推，: 三三導通的合成轉矩 Y連接三三導通方式電壓波形圖 三相全空△電路，繞組為△。三三導通時通電順序為QQQ2QQQ4QQQ3QQQ5QQQ1QQQ6QQQ2…。當QQQ6導通時，電流從Q1管流入，經(jīng)過LA、LB繞組，在從QQ6管流出，LC相繞組中無電流通過，這相當于LA、LB倆相繞組并聯(lián)。假設電流從LA到LB、LB到LC、LC到LA所產(chǎn)生的轉矩為正，而從LC到LB、LB到LA、LA到LC產(chǎn)生的轉矩為負。流入LA相繞組產(chǎn)生的轉矩為正，流入LB相的繞組所產(chǎn)生的的轉矩為負。 功率模塊IR2110介紹(1) IR2110的特點有：輸出驅動隔離電壓可達500V；芯片自身的門輸入驅動范圍為10~20V；輸入端帶施密特觸發(fā)電器；可實現(xiàn)兩路分立的驅動輸出，可驅動高壓高頻器件，如IGBT、功率MOSFET等，且工作頻率高可達500KHz ，開通、關斷延遲小，分別為120ns和94ns；邏輯電源的輸入范圍（腳9）515V，可方便的與TTL，CMOS電平相匹配。 (2) IR2110 主要功能及技術參數(shù)IR2110 邏輯電源電壓范圍在5 V20V以內 ,適應TTL 或CMOS 邏輯信號輸入,具有獨立的高端和低端輸出通道。由于邏輯信號均通過電平耦合電路連接到各自的通道上,容許邏輯電路參考地(USS) 與功率電路參考地(COM) 之間有 5V和+ 5V