高三化學(xué)物質(zhì)的聚集狀態(tài)與物質(zhì)性質(zhì)復(fù)習(xí)(編輯修改稿)
2024-12-16 08:06 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 ____。 ?(5)Cu2O的熔點(diǎn)比 Cu2S的 ________(填 “ 高 ”或 “ 低 ” ) ， 請(qǐng) 解 釋 原 因__________________________________________________________________。 ? 解析： (1)電子排布為結(jié)構(gòu)化學(xué)中的重點(diǎn)。特別是 24號(hào)、 29號(hào)等存在半滿和全滿狀態(tài)的元素。 Cu2＋ 核外電子排布式書寫應(yīng)先寫出 Cu原子的電子排布，然后從外向內(nèi)失去 2個(gè)電子。 ?(3)H2O中氧原子采用 sp3雜化 ， 中的氧不是 。 CuSO4應(yīng)是離子晶體 ， 不是分子晶體 。 ?(4)NH3中的 N原子的孤對(duì)電子提供電子 ，Cu2＋ 提供空軌道 ， 形成配位鍵 ， 而 NF3中 N原子的孤對(duì)電子被 F元素吸引 。 ?(5)離子晶體中 ， 離子鍵越短 ， 離子鍵越強(qiáng) ，離子化合物熔點(diǎn)越高 。 ? 答案： (1)1s22s22p63s23p63d9或 [Ar]3d9 ( )4 (3)BD (4)F的電負(fù)性比 N大， N—F成鍵電子對(duì)向 F偏移，導(dǎo)致 NF3中 N原子核對(duì)其孤對(duì)電子的吸引能力增強(qiáng)，難以形成配位鍵，故 NF3不易與 Cu2＋ 形成配離子 (5)高 Cu2O與 Cu2S相比，陽離子相同、陰離子所帶電荷也相同，但 O2－ 的半徑比 S2－ 小，所以 Cu2O的晶格能更大，熔點(diǎn)更高 晶體類型 金屬晶體 離子晶體 分子晶體 原子晶體 定義 金屬陽離子和自由電子通過金屬鍵形成的晶體 陰、陽離子通過離子鍵形成的晶體 分子間通過分子間作用力形成的晶體 相鄰原子間通過共價(jià)鍵結(jié)合而形成的立體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的晶體 基本微粒 金屬陽離子、電子 陰離子、 陽離子 分 子 原 子 物質(zhì)類別 金屬單質(zhì)(合金 ) 離子化合物 多數(shù)的非金屬單質(zhì)和共價(jià)化合物 金剛石、碳化硅(SiC)、晶體硅、二氧化硅等少數(shù)的非金屬單質(zhì)和共價(jià)化合物 物理性質(zhì) 硬度和密度較大，熔、沸點(diǎn)較高，有延展性，有光澤 硬度和密度較大，熔、沸點(diǎn)較高 硬度和密度較小，熔、沸點(diǎn)低 硬度和密度大，熔、沸點(diǎn)高 決定熔、 沸點(diǎn)高 低的因素 金屬鍵強(qiáng)弱 離子鍵強(qiáng)弱 (或晶格能大小 ) 范德華力 (或氫鍵 )的強(qiáng)弱 共價(jià)鍵的強(qiáng)弱 導(dǎo)電性 固態(tài)就可導(dǎo)電 熔融或溶于水能導(dǎo)電 某些溶于水能導(dǎo)電 一般不導(dǎo)電 ? 【 例 2】 (2020山東理綜 ， 32)C和 Si元素在化學(xué)中占有極其重要的地位 。 ? (1)寫出 Si的基態(tài)原子核外電子排布式__________________________。 ? 從電負(fù)性角度分析 ， C、 Si和 O元素的非金 屬 活 潑 性 由 強(qiáng) 至 弱 的 順 序 為________________。 ? (2)SiC的晶體結(jié)構(gòu)與晶體硅的相似 ， 其中 C原子的雜化方式為 ________， ? 微粒間存在的作用力是 ________。 ?(3)氧化物 MO的電子總數(shù)與 SiC的相等 ， 則M為 ________(填元素符號(hào) )。 MO是優(yōu)良的耐高溫材料 ， 其晶體結(jié)構(gòu)與 NaCl晶體相似 。MO 的 熔 點(diǎn) 比 CaO 的高 ， 其 原 因 是________________。 ?(4)C、 Si為同一主族的元素 ， CO2和 SiO2化學(xué)式相似 ， 但結(jié)構(gòu)和性質(zhì)有很大不同 。CO2中 C與 O原子間形成 σ鍵和 π鍵 ， SiO2中Si與 O原子間不形成上述 π鍵 。 從原子半徑大小的角度分析 ， 為何 C、 O原子間能形成 ，而 Si 、 O 原子間不能形成上述 π鍵
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