萘啶類熒光小分子在缺陷dna腔體內(nèi)熒光行為的研究畢業(yè)論文(編輯修改稿)
2025-07-25 16:40 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 復(fù)雜]/[2氨基5,6,7三甲基1,8萘啶]的測(cè)定終點(diǎn)，說(shuō)明2氨基5,6,7三甲基1,8萘啶形成了穩(wěn)定的1：1的復(fù)合物與M1/S1復(fù)雜的缺口位點(diǎn)。106M1，在本實(shí)驗(yàn)滴定曲線測(cè)定下，得出2氨基5,6,7三甲基1,8萘啶含有不共價(jià)結(jié)合的DNA。這種非標(biāo)記分子信標(biāo)采用“信號(hào)”的方法，重點(diǎn)考慮的是讓靈敏度達(dá)到最高。作為常識(shí)，宏塊的靈敏度可以通過(guò)增加熒光團(tuán)的強(qiáng)度或提高猝滅劑的效率提高。一個(gè)小的熒光分子可以捆綁到一個(gè)未成對(duì)的基地，這就是側(cè)翼的結(jié)合位點(diǎn)的堿基與一個(gè)未成對(duì)堿的氫鍵和堆疊。因此2氨基5,6,7三甲基1,8萘啶的熒光猝滅效率可能會(huì)受未成對(duì)的胞嘧啶在復(fù)雜的M1/S1的缺口位點(diǎn)的影響，即使在2氨基5,6,7三甲基1,8萘啶和胞嘧啶堿基之間有互補(bǔ)的氫鍵，也無(wú)法避免。為了檢查側(cè)翼堿基上熒光猝滅的效果，我們研究了2氨基5,6,7三甲基1,8萘啶序列在一個(gè)單一的胞嘧啶M1/S1復(fù)雜干部分的依賴性結(jié)合的缺口位點(diǎn)。如圖2所示，最強(qiáng)的淬滅是2氨基5,6,7三甲基1,8萘啶綁定的M1/ S1復(fù)雜的具有GG堿基對(duì)在和側(cè)間隙站點(diǎn)（圖3），在401nm處的熒光強(qiáng)度猝滅高達(dá)95%，M1/S1分子結(jié)構(gòu)復(fù)雜。對(duì)于其他的側(cè)鏈堿基（圖3，光譜be），觀察到的熒光猝滅是相對(duì)穩(wěn)定的，在那兒的順序是TT(74%)CC(76%)AA(83%)。200a:ATMND 180 ab:TCT/160熒光強(qiáng)度 d:/c:GCG/140e:CCC/120100 80 60 4020 0 波長(zhǎng) 500480460440420400380圖3 側(cè)鏈堿基對(duì)探針識(shí)別性能影響的考察Fig. 3. Fluorescence spectra of ATMND () in the presence of M1/S1 plex with different ?anking bases.這些結(jié)果表明，雖然在2氨基5,6,7三甲基1,8萘啶和胞嘧啶堿基之間互補(bǔ)的氫鍵發(fā)揮了很重要的作用，但是缺口位點(diǎn)依然對(duì)熒光猝滅效率產(chǎn)生了影響。所以在GSMs中我們選擇和的GS缺口位點(diǎn)。在紫外線范圍內(nèi)的CD光譜可以用來(lái)監(jiān)測(cè)DNA的構(gòu)象轉(zhuǎn)變。如果確定的構(gòu)象發(fā)生變化，結(jié)合后的2氨基5,6,7三甲基1,8萘啶在M1／S1復(fù)雜的莖部分的缺口位點(diǎn)，鎘的實(shí)驗(yàn)進(jìn)行了M1/S1復(fù)雜之前和之后的2氨基5,6,7三甲基1,8萘啶結(jié)合。在沒(méi)有2氨基5,6,7三甲基1,8萘啶和遺傳微粒時(shí)，M1/S1分子結(jié)構(gòu)的復(fù)合物顯示在250nm處取得負(fù)峰值，在275nm處取得正峰值，這是在一個(gè)莖部分的螺旋特征的β構(gòu)象。而添加2氨基5,6,7三甲基1,8萘啶后，在M1/S1/2氨基5,6,7三甲基1,8萘啶沒(méi)有觀察到明顯的復(fù)雜誘導(dǎo)CD（GSMBs）,表明2氨基5,6,7三甲基1,8萘啶與胞嘧啶堿基的結(jié)合，莖的部分的缺口位點(diǎn)不誘導(dǎo)M1／S1復(fù)雜的的構(gòu)象變化。因此，它不影響靶DNA的雜交動(dòng)力學(xué)。我們推斷在250nm處的CD峰值的增加是由于GSMB環(huán)遺傳微粒的長(zhǎng)螺旋線形成的。 使用非標(biāo)記分子信標(biāo)檢測(cè)目標(biāo)DNA由于2氨基5,6,7三甲基1,8萘啶的熒光猝滅效率與濃度和M1/S1分子結(jié)構(gòu)有關(guān)系，為了優(yōu)化條件，我們選擇2μM的濃度，實(shí)現(xiàn)了良好的靈敏度。在最佳條件下，在校準(zhǔn)曲線的基礎(chǔ)上獲得三組平均測(cè)量值（圖4）。220200熒光強(qiáng)度1802μM160140 12050nM1008060 40 200 500480460440420400360
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