挺進次世代：asml披露更多euv光刻機研發(fā)新進展(編輯修改稿)
2025-07-25 12:57 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 0份這款機型的訂單。附：ASML開發(fā)的各型EUV光刻機參數(shù)匯總對比：說明：1ADT指Alpha demo tool，是ASML出品的第一代EUV光刻試驗機型；2所謂常規(guī)照明形式，即指沒有應(yīng)用離軸光照技術(shù)的情況；2所有三臺機型均采用雙工作臺設(shè)計.GlobalFoundries公司的光刻技術(shù)專家Obert Wood在最近召開的高級半導(dǎo)體制造技術(shù)會議ASMC2011上表示，盡管業(yè)界在改善EUV光刻機用光源技術(shù)方面取得了一定成效，但光源問題仍是EUV光 刻技術(shù)成熟過程中最“忐忑”的因素。Obert Wood現(xiàn)在GlobalFoundries任職技術(shù)經(jīng)理，負責(zé)管理光刻技術(shù)的研發(fā)，同時他還在 Albany研發(fā)技術(shù)聯(lián)盟中擔(dān)任管理職務(wù)。他早年還曾在貝爾實驗室工作了30多年，而貝爾實驗室則是最早開始支持EUV光刻技術(shù)的單位之一。EUV光刻技 術(shù)所使用的光波波長要比現(xiàn)用的193nm光刻技術(shù)降低了15倍以上。Wood表示，目前EUV光刻機可用的光源及其功率等級有：1Cymer公司生產(chǎn)的可用功率為11W的激光等離子體光源（LPP）；2Xtreme公司生產(chǎn)的可用功率為7W的放電等離子體光源（DPP）；3Gigaphoton公司生產(chǎn)的LPP光源。他同時提醒與會者注意，光源設(shè)備生產(chǎn)公司在宣傳和銷售光源產(chǎn)品時，應(yīng)當(dāng)標(biāo)出光源的有用功率而不是用峰值功率或其它功率來忽悠客戶。EUV光源功率問題仍然令人擔(dān)憂：會上他還表示，EUV光刻機光源的可用功率必須增加到100W級別才能保證光刻機的產(chǎn)出量達到60片每小時，這也是芯片商業(yè)化生產(chǎn)的最低產(chǎn)出量要求，“然而，按目前EUV光源的研發(fā)狀態(tài)，只能夠達到每小時5片晶圓的產(chǎn)出量水平?！背俗罱e辦的ASMC2011之外，即將于7月13日開幕的Semicon West大會上，EUV光刻技術(shù)研發(fā)的各界人士還將對這項技術(shù)的最新發(fā)展?fàn)顟B(tài)進行匯報。這次會議上將設(shè)置一個“高級光刻技術(shù)”的研討環(huán)節(jié)，該環(huán)節(jié)則會邀請4位業(yè)內(nèi)專家討論EUV光刻技術(shù)的光源，光刻機本體， Xtreme Technologies，ASML以及Sematech組織的多位技術(shù)專家將舉辦多場與EUV光刻技術(shù)的演講匯報會。ASML公司已經(jīng)售
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