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正文內(nèi)容

電流傳送器及其應用研究畢業(yè)論文(編輯修改稿)

2025-07-24 17:53 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡介】 傳送器(CCI)更加具有實用性。理想的第二代電流傳送器(CCII)。( ) 當C =1時,Z側(cè)和X終端電流流入或流出電流傳送器CCII+。 C =1表示流淌出來的Z側(cè)電流流入和當前的X,或X終端Z側(cè)電流電流輸送電流流入和流出CCII。 221。端具有無限大的輸入阻抗,是電壓輸入端,X終端上始終遵循Y端上的電壓,從而X輸入阻抗為零,在X側(cè)和Y側(cè)可以被視為虛短。 X側(cè)的電流被放大,并傳送到Z端子,–任意子模型。 CCII的電路符號 CCII的零子任意子模型顯然,發(fā)送端的電流可直接注入,也可能會產(chǎn)生由X側(cè)的端部的丫輸入電壓轉(zhuǎn)換,零偶極裝置的第二代電流傳輸器(CCII+或CCII-)端口。對于CCII流動到X客戶端綁定到Z流出側(cè),因此,直到受控電流源,因此CCII的等效電路的單偶極零表示,如圖所示。該電路的帶寬窄,負載能力不強,但簡單的電路結(jié)構。從圖中可以看出,運算放大器A1使得X端和Y端的電壓等于運算放大器的使用,使對Z-端輸出的X側(cè)的輸入電流等于當前虛擬過電流的特點。 ()1981年,F(xiàn)akasawa等人提出了一個運算放大器,晶體管和電阻器CCII +電路,Higashimura 和 Fukui使用它作為一個有源器件,一個三階低通和三階高通濾波器,得到一個較好的幅頻特性。 CCII實際上是由電壓跟隨器和電流跟隨器的組合,在CCII+電流跟隨器的最直接的方法是使用一個簡單的電流反射鏡,需要增加兩個交叉耦合的電流,而在CCII,其優(yōu)異的性能實現(xiàn)可控源阻抗變壓器的阻抗逆變器,旋轉(zhuǎn)以及各種廣泛的應用模擬組件。第一個商業(yè)化的單片電流變送器是CCII01開發(fā)LTP電子公司,ELANTEC公司,生產(chǎn)。第二代電流傳輸器(CCII)只有一個輸出端,這是難以實現(xiàn)的高阻抗的輸出電流的電流反饋通過以下方式獲得。 1989年,帕提出了一種改進的多輸出電流傳輸器(MOCCII實現(xiàn))。 第二代負向電流傳輸器(CCII)的晶體管模型圖從第二代電流傳輸器原理的分析可以得出,信息可以被看作是一個理想的MOS晶體管。如果晶體管是理想的,它的VAS值接近于零,在這種情況下,在電網(wǎng)電壓會導致電壓有一個平等的源代碼級的。網(wǎng)格可以被認為是開放的(與發(fā)射端Y相似),零輸入阻抗源水平(如發(fā)射機端)。注入電流源將被發(fā)送到漏,泄漏和阻抗水平是無限的(Z發(fā)射機)。這表明,一個理想的晶體管可以被視為逆電流傳輸器(CCII)和X Z電流的電流方向是不一樣的)的等效性,也可以由零晶體管和一個極等效圖來表示,:,為了獲得理想的晶體管,我們可以在運算放大器的負反饋環(huán)路中放一只NMOS管來模擬,結(jié)果就可以實現(xiàn)具有較好性能的CCII電路。然而,在這種CCII電路實現(xiàn)中,電流只可以從X端流出。如果在運算放大器的反饋環(huán)路中放一只PMOS管,則可實現(xiàn)另一種CCII電路,在這種電路中,電流只可以從X端流入。由此可以得,如果將一對互補的MOS管放置在運算放大器的反饋環(huán)路中,就可以實現(xiàn)在X端有雙相電流流動的CCII電路,如圖27所示。接著這個電流經(jīng)由互補對電流鏡傳輸?shù)捷敵鼋狱c。顯然這是一個正向CCII (CCII+, Z端電流和X端電流方向一致)。如果如圖28所示那樣再加兩個互補電流鏡,就可以得到CCII電路。 CCII的理想晶體管模型圖 第二代正向電流傳輸器(CCII十)的示意圖 CCII的示意圖,分別顯示,CCII+和CCII,M1和M2的晶體管和集成運算放大器組成的電壓跟隨器,實現(xiàn)了X終端的電壓跟隨器Y端子電壓。晶體管的電流鏡的休息,在M3,M4和M5 ~ ~ M6,M7 ~ M8和M9 ~ M10為柵電流鏡,極性互補的ML,漏電流轉(zhuǎn)移到M2的Z的輸出,和電流差為單端輸出電流。CMOS實現(xiàn)MOCCII已經(jīng)大量報道。在1999年,Chang和 Lee運用 NPN和PNP晶體管的跨導改進的電流傳輸。 MOCCII獲得了廣泛應用領域的電壓或電流模式濾波器的設計和振蕩器的設計。 第三代電流傳送器(CCIII)1995年法國學者法布爾第三代電流傳送器(CCIII)。相比前兩代的電流輸送(CCI,CCII),第三代指揮及控制通訊系統(tǒng)低增益誤差,線性不錯,寬闊的頻率響應特性,高輸出阻抗特性的電路符號如圖所示。CCIII的 X 端和 Y 端電壓一樣,但是電流方向相反,同時輸出正反兩個方向的電流。CCIII )所示,其可通過兩個雙輸出 CCII+)所示連接后實現(xiàn),理想的 CCIII 。 () a) CCIII電路符號 b) CCIII的CCII實現(xiàn)電路 第三代電流傳送器由式可以看出,與CCI和CCII不同的在于:端口X和端口Y的電流輸入端和電流在相反的方向, CCIII X端口的電壓跟隨Y端口電壓,Z +端口和Z端口電流跟隨X端口的電流。第三章 電流傳送器的實現(xiàn) CCl的實現(xiàn)CCI電路實現(xiàn)早期的分立元件,)所示。如果圖中所有的晶體管和電阻器和晶體管相互匹配的高電流增益,它可以顯示出,流過晶體管的電流,等于Q3~ Q5。迫使電流等于晶體管Q1和Q2,電壓降相等。因此,當前的X和Y的端口電壓互相跟蹤,只要晶體管的保證在整個工作范圍內(nèi)是線性的,絕對值電路的電阻值和電源電壓是獨立的。在60年代,沒有設備高質(zhì)量達到互補是阻礙制造CCI基于集成形式的主要原因。隨著集成電路技術的發(fā)展,CMOS技術可以輔助設備,電流傳輸器可以很容易地使用CMOS工藝,(b)顯示。應用CCI早期是為了取代基于霍爾效應的示波器電流探頭,寬帶電流測量裝置;另一個是作為一個負阻抗轉(zhuǎn)換器(NIC)。讓我們假設一個匹配的電阻器R1,R2,R3,T1和T2的兩個晶體管的匹配,然后在這三個晶體管TTT4匹配,但是TL,T2,T3,T4和T5在這五個晶體管的有一個相對高AC到DC電流增益,而且還流經(jīng)TL,T2,T3,T4和T5晶體管電流是相等的,所以后領先T1T5一些極發(fā)射極結(jié)電壓Vbe的晶體管和發(fā)射機電流是相等的。因此,X和Y端口電壓和當前曲目對方的。假設該參考電壓Y端口,然后變成一個低阻抗或虛側(cè)X端口,轉(zhuǎn)移到高阻抗輸出端口Z恒定電流從端口。在所有的晶體管的線性操作的所有運行時關閉,然后每個電阻器的電源電壓的絕對值在電路運行的操作沒有任何關系。可以通過以下方式獲得的電路的晶體管實現(xiàn)的圖像中,因為共同的基極電流增益為1,則每個晶體管的電流通過,而有所不同。當然,如果更復雜的電流鏡中,然后這些小的差別可以被減少。此外,您還可以使用額外的電流鏡講Z端輸出電流極性反向。假設NPN晶體管PNP晶體管,而不是與一個PNP晶體管的NPN晶體管代替,將被替換正電源負電源,CCI電路的極性是相反的,也就是說,互補極性電路的相位。然后連接兩個互補的電流傳輸?shù)臉O性(CCI)的電路中,由此得到的電路是一種新型的雙極性輸出信號的B類CCI從而完成一個新的進程雙極互補集成技術, CCI雙極性電路,T2,T3,T4可以被看作是一個線性跨導電路,PNP管基本電流鏡TTT7,NPN管的基本電流鏡是TTT10。特別強調(diào)的是讓CCI電路的上部和下部有互補的極性和對稱的性能,需要使用更前衛(wèi)雙極互補的集成工藝,以取得使用更傳統(tǒng)的雙極型工藝,是很難以獲得所需的性能。原因為:在集成過程中實現(xiàn)需要使用的橫向結(jié)構,電流增益的典型值不能超過20兆赫帶寬的典型值不超過5兆赫之間的雙極性PNP晶體管,NPN需要采用縱向結(jié)構不能超過350兆赫的帶寬,典型的電流增益的典型值不能超過100兆赫。之所以成為傳統(tǒng)高性能電流輸送一體化進程PNP晶體管的主要限制是一個橫向結(jié)構?,F(xiàn)代科學家已經(jīng)開發(fā)出制造典型值電流增益帶寬為100兆赫,形成一個新的進程,適當使用和兩個NPN晶體管。因此,成功地生產(chǎn)一種性能良好的集成電流變送器是基于這種新型雙極互補過程才得以實現(xiàn)。 CCII的實現(xiàn)如果晶體管是線性的,那么源極上存在一個和它相等的電壓是因為作用在柵極上的電壓而導致的。因為接近零的柵極電流,那么柵極則可以看作是開路,相像于電流傳送器的Y端。柵極被源極電壓跟隨,源極電壓和電流沒有關聯(lián),所以,具有這一特性即輸入阻抗的源極端相似于電流傳送器的X端。傳輸?shù)铰O的電流是來自注入源極的電流,而擁有無窮的阻抗的樓極端相似于電流傳送器的Z端。所以,如果晶體管是理想的,那么可以將其視為負電流傳送器(CCII),此晶體管理想條件則是應具有基射(或柵源)和基極(柵極)有為零的電流這兩個特性。圖 CMOS CCII+的實現(xiàn)原理圖從上面的分析可以得出,CCII的性能依賴于兩個電壓跟隨器的兩個輸入之間的能力還取決于端口之間的電流傳輸能力之間的輸入和輸出阻抗的差異。因此,CCII這兩個屬性可以實現(xiàn)使用無關,那么由CCII結(jié)合形成。 CMOS實現(xiàn)CCII +原理圖。它是利用常見的兩個CMOS運算放大器和電流鏡的一個簡單實現(xiàn),兩個CMOS運算放大器通過一個負反饋的方式實現(xiàn)CCII的兩個輸入之間的電壓跟隨,使用簡單的電流鏡來實現(xiàn)輸入和輸出之間的CCII電流跟隨。作為第二代電流傳送器電路的電流模式最流行通用的積木部件,其最大的優(yōu)勢在于它的設計靈活性。首先,它有兩個電流輸入,電壓輸入,因此,可以很容易地實現(xiàn)電壓模式信號處理電路,可以很方便地實現(xiàn)電流模式信號處理電路。第二,它可以添加一些無源元件或多個級聯(lián)CCII,可以很容易地實現(xiàn)該技術,在模擬中,一些基本的信號處理功能(加/減,比例,積分等)。在文獻中,史密斯CCII在受控源阻抗變壓器阻抗逆變器,旋轉(zhuǎn)裝置,和各種模擬計算元件中的應用程序的詳細說明中第四章 模擬電感在集成電路中,由于工藝的原因,不允許有電感的出現(xiàn),因此,很多人就一直在研究怎么用電流傳送器為有源器件模擬電感,現(xiàn)在還不斷有新型的模擬電感問世。它們從不同的角度,如元器件的最少化、可集成性、可調(diào)節(jié)性和靈敏度,來優(yōu)化電路性能。另外,還有的電流傳送器有源電路通過模擬阻抗或?qū)Ъ{函數(shù)來實現(xiàn)電感的功能。本章將來討論一些模擬電感的性能。 基于AD844模擬電感的實現(xiàn)電路對于接地電感的模擬,我們根據(jù)AD844端口特性,: 模擬接地電感其傳輸阻抗Z=,當ZZ3為電阻,Z2為電容時,Z表現(xiàn)為感性阻抗。接下來用AD844模型來具體推導并模擬起阻抗特性。在通常情況下,Z1>>Rin、Z2>>C0,起等效電路為: 模擬等效電路 () () () ()因此 ()在上面的推導中,我們設定了R0為無窮大。但是當頻率且時,我們不能忽略R0因此該模擬電感的適用頻率,下面我們用PSPICE模擬的方法驗證其電感
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