mos管緩啟動電路分析(編輯修改稿)
2025-07-22 22:18 本頁面
【文章內容簡介】 ABCD如圖3中的路線所示 圖3 AOT460的開通軌跡 開通前，MOSFET起始工作點位于圖3的右下角A點，AOT460的VDD電壓為48V，Vgs的電壓逐漸升高，Id電流為0，Vgs的電壓達到VGS(th)，Id電流從0開始逐漸增大 AB就是Vgs的電壓從VGS(th)增加到VGS(pl)的過程從A到B點的過程中，可以非常直觀的發(fā)現(xiàn)，此過程工作于MOSFET的恒流區(qū)，也就是Vgs電壓和Id電流自動找平衡的過程，即Vgs電壓的變化伴隨著Id電流相應的變化，其變化關系就是MOSFET的跨導：Gfs=Id/Vgs，跨導可以在MOSFET數(shù)據表中查到 當Id電流達到負載的最大允許電流ID時，此時對應的柵級電壓Vgs(pl)=Id/gFS由于此時Id電流恒定，因此柵極Vgs電壓也恒定不變，見圖3中的BC，此時MOSFET處于相對穩(wěn)定的恒流區(qū)，工作于放大器的狀態(tài) 開通前，Vgd的電壓為VgsVds，為負壓，進入米勒平臺，Vgd的負電壓絕對值不斷下降，過0后轉為正電壓驅動電路的電流絕大部分流過CGD，以掃除米勒電容的電荷，因此柵極的電壓基本維持不變Vds電壓降低到很低的值后，米勒電容的電荷基本上被掃除，即圖3中的C點，于是，柵極的電壓在驅動電流的充電下又開始升高，如圖3中的CD，使MOSFET進一步完全導通 CD為可變電阻區(qū)，相應的Vgs電壓對應著一定的Vds電壓Vgs電壓達到最大值，Vds電壓達到最小值，由于Id電流為ID恒定，因此Vds的電壓即為ID和MOSFET的導通電阻的乘積 基于MOSFET的漏極導通特性曲線可以直觀的理解MOSFET開通時，跨越關斷區(qū)、恒流區(qū)和可變電阻區(qū)的過程米勒平臺即為恒流區(qū)，MOSFET工作于放大狀態(tài)，Id電流為Vgs電壓和跨導乘積 電路原理詳細說明： MOS管是電壓控制器件，其極間電容等效電路如圖4所示。圖4. 帶外接電容C2的N型MOS管極間電容等效電路 MOS管的極間電容柵漏電容Cgd、柵源電容Cgs、漏源
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