【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 有充電和放電的作用，當(dāng) IC1B 6 腳電壓高過 7 腳電壓， IC1B 內(nèi)部又發(fā)生翻轉(zhuǎn)， IC1B 1 腳輸出低電平， IGBT 驅(qū)動(dòng)電路同時(shí)也輸出低電平， IGBT截止。完一個(gè)振蕩周期后。如此 周而復(fù)始，就完成了振蕩回路。 鍋具檢測(cè)電路 (電路見圖 ) 當(dāng)電磁爐開始加熱時(shí)，單片機(jī)通過 PAN 口發(fā)出檢鍋脈沖，此脈沖將引起 LC 自由振蕩，振蕩波形會(huì)令 IC1 B產(chǎn)生一系列的方波。單片機(jī)通過 PAN口對(duì)方波的寬度檢測(cè)來判斷是否有鍋。不同材質(zhì)、尺寸的鍋具在一定時(shí)間內(nèi)的脈沖寬度是不同的，有無鍋的區(qū)別就更大了。 IGBT驅(qū)動(dòng)電路 如圖 萬家樂電磁爐 MCXXEK（ AI）系列主控板維修手冊(cè) 第 10 頁(yè) 共 20 頁(yè) C9271Q58050Q48550+ 18VR 1 73 .3 KD 20I N 4148761I C 1 BL M 3 3 9R21 0 1 /4 WD E V I C EIGBT管 驅(qū)動(dòng)電路 圖 IGBT驅(qū)動(dòng)電路 比較器輸出端產(chǎn)生 IGBT管的驅(qū)動(dòng)方波，驅(qū)動(dòng)方波通過由兩個(gè)極性互補(bǔ)的三極管 Q Q4組成的推挽電路，將 DEVICE輸出端的輸出脈沖電壓提高到 18V 左右，以滿足 IGBT 管的驅(qū)動(dòng)要求。當(dāng) IC1B 1 腳輸出高電平時(shí)， Q5 導(dǎo)通， Q4 截止， DEVICE為高電平，約為 18V；當(dāng) IC1B 1 腳輸出低電平時(shí)， Q4 導(dǎo)通， Q3 截止， DEVICE為低電平。 PWM脈寬調(diào)控電路 如圖 圖 PWM脈寬調(diào)控電路 PWM脈寬調(diào)控單元是單片機(jī)對(duì)電磁爐整個(gè)工作狀態(tài)進(jìn)行智能控制的唯一 通道， R5 R1 R2 R2R2 C1 EC3組成積分電路。 其工作原理就是把單片機(jī)輸出的不同占空比的方波脈沖轉(zhuǎn)化成相應(yīng)的直流電壓，并以此電壓數(shù)據(jù)直接作為 IGBT管驅(qū)動(dòng)的基準(zhǔn)電壓。 因?yàn)?PWM脈寬調(diào)控電路輸出端的直流電壓變化與輸入端的方波脈沖寬度（占空比）有很大且直接的關(guān)系， PWM 脈沖寬度寬， C15 上積分電壓越高，所以要改變輸出端的直流電壓時(shí)，只要改變輸入方波的脈沖寬度（占空比）即可。 R25是高電平上拉電阻， C15用來抑制高頻干擾， EC3用來平滑輸出的直流電壓。 CPU通過控制 PWM脈沖的寬 與窄 , 控制送至振蕩電路的加熱功率控制電壓，控制了 IGBT導(dǎo)通時(shí)間的長(zhǎng)短 ,結(jié)果控制了加熱功率的大小。 同步電路 如圖 R 2 536K+ 5VR 1 5 33R 5 1 20KE C 34 .7 u F /1 6 vR 2 951KC 1 51 0 1R 2 615KI C 1B 7P W MPW M脈 寬調(diào)控電路I C 1C 1 4萬家樂電磁爐 MCXXEK（ AI）系列主控板維修手冊(cè) 第 11 頁(yè) 共 20 頁(yè) 圖 同步電路 同步信號(hào)由 LM339（ IC1D）比較器產(chǎn)生，其信號(hào)取自 LC振蕩的電容 C1兩端的分壓。電阻 R9與 R11分壓輸入到負(fù)輸入端“ V－”，電阻 R R4 等分壓到正 輸入端“ V＋”。電磁爐在上電開機(jī)后，單片機(jī) PAN 端口給同步電路一啟動(dòng)脈沖，使 IGBT管啟動(dòng)導(dǎo)通。 IGBT管導(dǎo)通后，由于線盤電感的作用，這時(shí) “ V－”分壓大于“ V＋”分壓，比較器 13腳輸出電平，經(jīng)后續(xù)電路整形后 IGBT管繼續(xù)導(dǎo)通，當(dāng)線盤電感蓄能完畢后，“ V＋”分壓稍大于“ V－”分壓，比較器 IC1D翻轉(zhuǎn)輸出高電平， IGBT管截止， LC振 蕩回路產(chǎn)生 振 蕩；當(dāng)C1放電完畢后，再次出現(xiàn) “ V－”分壓大于“ V＋”分壓的情況，比較器 IC1D輸出低電平， IGBT管再次導(dǎo)通，振 蕩電路完成一個(gè)工作循環(huán)。所以 振 蕩回路在同步控制電路被觸發(fā)啟動(dòng)后，只要不切斷整個(gè) 振 蕩電路的電源，那么整個(gè) 振 蕩回路將一直工作下去。 IGBT管在導(dǎo)通時(shí)，其 C極電壓越低， IGBT管內(nèi)部損耗越小，反之 則損耗越大。當(dāng) IGBT管內(nèi)部損耗超過規(guī)定值時(shí)， IGBT管會(huì)因內(nèi)部發(fā)熱嚴(yán)重?zé)h(huán)。在電磁爐理想的工作狀態(tài)下， IGBT管 C電壓為零時(shí)開通 IGBT，其內(nèi)損耗 W=UI=0，但實(shí)際上在電磁爐工作時(shí)， C極電壓不可能為 0，所以只能取 IGBT管 C極最低的電壓時(shí)開通 IGBT 管使 IGBT管的開關(guān)損耗最小。所以，同步信號(hào)就是 IGBT 管 C極電壓最低時(shí)的檢測(cè)信號(hào)，也就是最佳的 IGBT管導(dǎo)通時(shí)機(jī)。 限壓電路 如圖 C82 n 2 /C B BR2 02KC4101111013I C 1 DL M 3 3 9+ 5V+ 18 V312R 11R J 8. 2K _1 / 6WR5RI40_470K_1/2WR4RI40_470K_1/2WC 14104P A N反饋同步電路R9RI40820K_1/2WL1D D L 2 6 0C24 UF /4 0 0 V D CC10 .2 4 U F /1 2 0 0 VD CF 2 0 2 F 2 0 1R14 .7 KQ1H 2 0 T 12 0R210_1/4WZ218V/0.5W扼流線圈30 0V D C加熱線圈鍋具IGBT0 .0 0 1 o h m康銅絲C 20 271萬家樂電磁爐 MCXXEK（ AI）系列主控板維修手冊(cè) 第 12 頁(yè) 共 20 頁(yè) 圖 限壓電路 限壓保護(hù)電路有類似浪涌保護(hù)單元，都以比較器為核心組成。在比較器 IC1C的正輸入端，電阻 R1R14分壓 5V電壓作為比較基準(zhǔn)電壓，比較器負(fù)輸入端由 IGBT管 C極經(jīng)電阻 R R R R1 R12分壓取樣。在正常情況下， “－”輸入端電壓小于“＋”輸入端的 比較基準(zhǔn)電壓，比較器 IC1C輸出端內(nèi)部處于開路。輸出高電平。保護(hù)電路不影響整機(jī)工作。當(dāng)整機(jī)出現(xiàn)異常情況， IGBT管 C極電壓接近 IGBT管最在耐壓值時(shí)， “－”輸入端電壓大于“＋”輸入端的 比較基準(zhǔn)電壓，比較器 IC1C 輸出低電平拉低 IGBT 管導(dǎo)通門限電壓，縮小 IGBT管驅(qū)動(dòng)占空比，縮短 IGBT管導(dǎo)通時(shí)間，降低 IGBT管 C極電壓，達(dá)到保護(hù) IGBT的目的。 IGBT管 C極電壓超壓保護(hù)單元的保護(hù)性質(zhì)是限制性保護(hù)，保護(hù)動(dòng)作時(shí)整機(jī)不停止工作。 浪涌電壓檢測(cè)電路 如圖 圖 浪涌電壓檢測(cè)電路 R5RI40_470K_1/2WR4RI40_470K_1/2WI G B T C9814I C 1 CL M 3 3 9+ 5V18VR 16R J _1K _1/ 6WR7R J _1/ 6WR13RJ10K_1/6WR14RJ1K_1/6WC 25104限壓電路R 1 5 33R 5 1 20KP W MR7R J _1K _1/ 6WD21N4007D71N4007C35 6 1R 2 71 0 K+ 5VQ6S 80 50R 3 4R J 4 7 0 K /1 /4 WR 3 5R J 4 7 0 K /1 /4 WR 4 0R J 1 5 0 K /1 /4 WC16102/1KVR 2 22 0 KD 1 01 8 VC82 n 2 /C B B761I C 1 BL M 3 3 9+ 5VR 2 362KD 1 91 N 4 1 4 8+ 18 VD4I N 4 1 4 8I G B TINTIG BT 驅(qū)動(dòng)中斷振蕩電路浪涌保護(hù)電路萬家樂電磁爐 MCXXEK（ AI）系列主控板維修手冊(cè) 第 13 頁(yè) 共 20 頁(yè) 浪涌保護(hù)電路的作用是在電磁爐加工熱工作過程中，當(dāng)外部電網(wǎng)出現(xiàn)各種異常的電壓浪涌現(xiàn)象時(shí)，能及時(shí)主動(dòng)關(guān)閉 IGBT管，起到保護(hù)作用。 浪涌保護(hù)電路由三極管 Q6 及部分外圍元器件組成。由電阻 R3 R3 C1 R R22 組成分壓電路接于高壓整流輸出端，在電阻 R22 兩端的壓降為取樣電壓，送到穩(wěn)壓管 D10； C16 為加速電容。當(dāng)電磁爐處于工作狀態(tài)，而電網(wǎng)出現(xiàn)電壓浪涌時(shí)，電阻 R22上的壓降增大，當(dāng)此電壓高于穩(wěn)壓管 D10反向擊穿電壓時(shí)，三極管 Q6導(dǎo)通，瞬間拉低 IC1B比較器的 “＋”輸入端的電壓，使比較器翻轉(zhuǎn)，同時(shí)單片機(jī)的 INT中斷口動(dòng)作， IGBT 管驅(qū)動(dòng)電路的 IGBT 管導(dǎo)通門限電壓被拉低，迫使 IGBT 管截止，達(dá)到保護(hù)目的。 IGBT 截止后，同步電路也會(huì)停止工作，電磁爐暫停加熱。當(dāng)電網(wǎng)上的浪涌消失后，保護(hù)電路復(fù)位整 機(jī)再次進(jìn)入加熱狀態(tài)。 電流檢測(cè)電路 如圖 圖 。 如圖采用電阻采樣的電流采樣單元，康銅絲是串聯(lián)在 IGBT 管 E 極與電源負(fù)極之間的采樣電阻，一般選取 ,使其在通過 10A 電流時(shí)壓降達(dá)到 的技術(shù)要求。比較器 IC1A和外圍電路組成放大系數(shù)為100倍的正向直流放大器，在 VR1即可獲得放大 100 倍后的電流采樣電壓，此電壓送到 CPU的 IA/D口，使單片機(jī)做出相應(yīng)動(dòng)作。 采用電流互感器采樣的電流采樣原理：利用電流互感器二次測(cè)得的 AC電壓，經(jīng) 四只 4148二極管組成橋式整流，經(jīng)電阻分壓、電解電容濾波后直流電壓送到 CPU 的電流 AD 口。電流互感器的匝數(shù)比大，則其在大電流的工作時(shí)感應(yīng)出來的線性好?？烧{(diào)電阻主要用來高整因?yàn)榻Y(jié)構(gòu)誤差引起的功率差，通過調(diào)節(jié)電阻來改變電流檢測(cè)基準(zhǔn)，達(dá)到調(diào)節(jié)電磁爐輸出功率大小的目的。 (1) 檢到鍋具后，將用一定時(shí)間來檢測(cè)電流的變化，通過電流的大小來確定鍋具的材質(zhì)、大小和鍋具的有無。 (2) 工作時(shí)，單片機(jī)時(shí)刻檢測(cè)該電流的變化，根據(jù)檢測(cè)到的電流信號(hào)，自動(dòng)調(diào)控 PWM 的脈寬 ,令輸出功率保持恒定。 如圖 542312I C 1 AL M 3 3 9R