led芯片制程資料(編輯修改稿)
2025-07-22 07:07 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 0。LPE 的晶體成長(zhǎng)是在基板上將熔融態(tài)的液體材料直接和芯片接觸而沉積晶膜，特別適用于化合物半導(dǎo)體組件，尤其是發(fā)光組件?！?(２) 氣相磊晶 (Vapor Phase Epitoxy，VPE)VPE 的原理是讓磊晶原材料以氣體或電漿粒子的形式傳輸至芯片表面，這些粒子在失去部份的動(dòng)能后被芯片表面晶格吸附 (Adsorb)，通常芯片會(huì)以熱的形式提供能量給粒子，使其游移至晶格位置而凝結(jié) (Condensation)。在此同時(shí)粒子和晶格表面原子因吸收熱能而脫離芯片表面稱之為解離 (Desorb)，因此 VPE 的程序其實(shí)是粒子的吸附和解離兩種作用的動(dòng)態(tài)平衡結(jié)果，如下圖所示。VPE 依反應(yīng)機(jī)構(gòu)可以分成 (ａ) 化學(xué)氣相沉積 (Chemical Vapor Deposition，CVD) 和 (ｂ) 物理氣相沉積 (Physical Vapor Deposition，PVD) 兩種技術(shù)。 CVD 大致是應(yīng)用在半導(dǎo)體晶膜和氧化層的成長(zhǎng)。 PVD 主要適用于金屬接點(diǎn)聯(lián)機(jī)的沉積。(３) 分子束磊晶 (Molecular Beam Epitoxy，MBE)MBE 是近年來(lái)最熱門(mén)的磊晶技術(shù)，無(wú)論是 IIIV、IIVI 族化合物半導(dǎo)體、Si 或者 SixGe1x等材料的薄膜特性，為所有磊晶技術(shù)中最佳者。MBE 的原理基本上和高溫蒸鍍法相同，操作壓力保持在超真空 (Ultra High Vacuum，UHV) 約 1010 Toor 以下，因此芯片的裝載必須經(jīng)過(guò)閥門(mén)的控制來(lái)維持其真空度。 微影(Lithography)微影 (Lithography) 技術(shù)是將光罩 (Mask) 上的主要圖案先轉(zhuǎn)移至感光材料上，利用光線透過(guò)光罩照射在感光材料上，再以溶劑浸泡將感光材料受光照射到的部份加以溶解或保留，如此所形成的光阻圖案會(huì)和光罩完全相同或呈互補(bǔ)。由于微影制程的環(huán)境是采用黃光照明而非一般攝影暗房的紅光，所以這一部份的制程常被簡(jiǎn)稱為黃光?！ ?為了加強(qiáng)光阻覆蓋的特性，使得圖轉(zhuǎn)移有更好的精確度與可靠度，整個(gè)微影制程包含了以下七個(gè)細(xì)部動(dòng)作。(１) 表面清洗：由于芯片表面通常都含有氧化物、雜質(zhì)、油脂和水分子，因此在進(jìn)行光阻覆蓋之前，必須將它先利用化學(xué)溶劑 (甲醇或丙酮) 去除雜質(zhì)和油脂，再以氫氟酸蝕刻芯片表面的氧化物，經(jīng)過(guò)去離子純水沖洗后，置于加溫的環(huán)境下數(shù)分鐘，
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