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正文內(nèi)容

超高亮度led芯片生產(chǎn)商業(yè)計劃書(編輯修改稿)

2024-08-30 06:55 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡介】 升產(chǎn)能,從業(yè)人員會有增加,我國(包括臺灣和香港地區(qū))將成為世界LED的主要產(chǎn)地,預計占世界總量的六成以上,五年之后產(chǎn)值達到七十億元,超高亮度LED會有30%速度增長。2.今后LED發(fā)展的主導是照明光源,開始在一些領域取代白熾燈,期間會與其它光源互補,并存,共同發(fā)展,人們面臨著照明光源的變革,有人預言LED是21世紀的照明光源。3.世界光電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展推動應用領域的變化發(fā)展,相信隨著LED產(chǎn)業(yè)的發(fā)展會有更多的資金投向 LED的研究和生產(chǎn),因此現(xiàn)有超高亮度、藍色、綠色LED的技術為少數(shù)廠商壟斷將會突破,預計產(chǎn)品成本會有大幅度的下降,從而促進市場再開發(fā),應用于的再拓展??梢韵嘈牛雽w發(fā)光技術不會被其它技術產(chǎn)品取代,而且會繼續(xù)沿著原來的軌道向前發(fā)展。9. 高亮度LED市場前景高亮度LED是比普通發(fā)光二極管亮度高千百倍、并可作為民用照明甚至工業(yè)級應用的新型光源,僅以照明業(yè)為例,在同等亮度下,耗電僅為普通白熾燈的10分之一,壽命卻是其100倍。美國每年用在照明用電為6000億度,我國為2000億度,故自2000年該新技術產(chǎn)品問世以來,得到各先進國家的極大重視,世界各照明業(yè)巨頭紛紛斥巨資研發(fā)和成立半導體照明企業(yè)。我國政府對此給予了極大重視,并于2003年6月專門發(fā)文,對該行業(yè)給予政策傾斜支持,國內(nèi)某些有實力的企業(yè)及研究機構也紛紛投巨資進行該技術產(chǎn)品的研制。具預測2010年前后,美國將有55%的白熾燈和熒光燈被半導體燈替代,形成一個500億美元的大產(chǎn)業(yè),在我國該行業(yè)尚待起步,其發(fā)展?jié)摿褪袌隹臻g同樣巨大。據(jù)預測,;而高亮度發(fā)光二極管市場將從2006年起快速成長,并于2008年占全球市場22%份額。一般照明設備將是未來的主流,2008 ,其中預測汽車燈、信號燈和背景燈將占這類市場60%以上。 2004年開始LED發(fā)展成本大幅減少,勢必激增產(chǎn)量,其中,標準和指示燈的LED出貨將占這類產(chǎn)品的大部份。但是,到2008年,將以高亮度發(fā)光二極管(HBLEDs)和超高亮度發(fā)光二極管(UHBLEDs)為主要營收的產(chǎn)品種類。高亮度發(fā)光二極管(HBLEDs)新的應用產(chǎn)品不斷出新,目前眾多常見的產(chǎn)品: 電視、個人計算機顯示器、數(shù)字相機、手機、汽車、交通信號燈和普通照明用的燈具等。 由于彩屏手機對LED需求殷切,自2003年下半年開始,手機市場已成為LED市場的主要出貨對象。 由于彩屏手機需要搭配白光LED當背光源,使得白光LED在2003年具備了相當大的成長性。據(jù)了解,手機上所應用的LED包含了約需1顆的LED來電指示燈,2至4顆的屏幕背光源及6至8顆的按鍵背光源需求,手機上附加照相功能所需的3至4顆閃光燈用白光LED,整體來說一臺彩屏手機對于LED顆粒的需求量,平均將可達10到12顆之多。據(jù)IDC的資料預估,今明兩年(20042005),其中,彩色手機之出貨量將可達手機總出貨量之85%及93%,簡單來說,就是到2005年時,若以一支彩色手機最少需10顆LED來計算,則對LED需求量將達到56億顆之水準,其年成長率仍將高達20%。除來自手機市場的需求外,業(yè)內(nèi)多數(shù)觀點認為,LED產(chǎn)業(yè)的長期發(fā)展應以取代目前的照明燈具為主。 根據(jù)Reed Electronics Research預估, 。因此若LED能進入室內(nèi)及室外的照明市場,則LED未來的潛力無窮。雖然目前白光LED仍未達到照明要求的技術,且成本過高,但在白光LED具有省電的優(yōu)點和全球能源危機影響下,采用白光LED將是一種必然的趨勢,預期2005年將會出現(xiàn)較具規(guī)模的市場。表31:全球發(fā)光二極管 (LED)市場情況 單位:億美元項目2004年2008年市場占有率市場總產(chǎn)值3256高亮度LED1647%超高亮度LED22%一般照明設備LED白光LED我國從事LED產(chǎn)業(yè)的單位超過400家(外商除外),從業(yè)人員超過5萬人,其中技術人員超過5000人。2002年LED產(chǎn)量超過150億只,產(chǎn)值超過80億人民幣;2003年LED產(chǎn)值超過100億人民幣,產(chǎn)量約200億只,其中超高亮度LED只有幾十億只。近幾年LED的發(fā)展速度超過30%,其中高亮度LED的發(fā)展速度超過50%。我國投入超高亮度LED領域,到目前為止,四元系AlGaInp的紅、橙、黃色芯片已經(jīng)可以大批量產(chǎn),估計每年可提供8億~10億只,GaN基藍、綠色芯片已可以小批量生產(chǎn),估計每年可提供3億只左右,白光LED(小功率)封裝產(chǎn)品已批量生產(chǎn),芯片以進口為主,估計年產(chǎn)約為5億~8億只。由于高亮度LED具有非常廣泛的用途,特別是藍光LED的出現(xiàn),應用更豐富,10. LED芯片市場競爭對手情況國內(nèi)目前共有5家企業(yè)生產(chǎn)高亮度LED芯片,他們是:上海金橋大晨光電科技有限公司由美國PrinceGlory投資公司與上海金橋(集團)公司合資組建,成立于1999年,產(chǎn)品品種主要有RD、SR、SRK、YG、YU、OU等二元、三元素高亮度LED芯片,以及M系列紅、橙、黃、綠等超高亮LED四元素產(chǎn)品。廠房建筑面積3300 平方米,近250名員工,生產(chǎn)的LED芯片的主要材料,外延片材料來自美、日等國家。廈門三安電子有限公司成立于2000年11月,注冊資金2億元,擁有近一萬平方米的現(xiàn)代化潔凈車間,引進美國、德國、日本、英國的生產(chǎn)和檢測設備。產(chǎn)品以全色列高品質(zhì)的超高亮度紅、橙、黃、綠、藍、紫色LED外延、芯片為主,同時涉足其它光電子材料領域,是目前國內(nèi)最具規(guī)模的,集科研開發(fā)、生產(chǎn)銷售、培訓服務為一體的光電材料生產(chǎn)企業(yè)。南昌欣磊光電科技有限公司成立于1993年,現(xiàn)由江西聯(lián)創(chuàng)光電科技股份有限公司、香港普光科技有限公司和香港達華中外有限公司共同投資,注冊資本5560萬元,是國內(nèi)最大的專業(yè)生產(chǎn)發(fā)光芯片與器件的半導體生產(chǎn)廠家之一,每月產(chǎn)能達到200KK,據(jù)悉該公司正在擬定擴產(chǎn)計劃,目標是每月產(chǎn)能500KK。已形成年產(chǎn)30億只普通LED芯片的能力 (主要是南昌欣磊公司),并在后工序封裝、LED應用以及配套等方面形成普通LED產(chǎn)品的產(chǎn)業(yè)鏈。方大集團股份有限公司A股上市公司,成立于1991年12月,是我國目前規(guī)模最大的新材料高新技術企業(yè),方大集團現(xiàn)已形成新型建材產(chǎn)業(yè)、機電一體化工程產(chǎn)業(yè)、半導體照明及光電子產(chǎn)業(yè)等三大產(chǎn)業(yè)體系。新型建材產(chǎn)業(yè)包括各類建筑幕墻、鋁塑復合板、單層鋁板、節(jié)能環(huán)保門窗、鋁型材、新型采暖散熱器、特種結構等;機電一體化工程產(chǎn)業(yè)包括地鐵屏蔽門、自動門、特種門等;半導體照明及光電子產(chǎn)業(yè)包括氮化鎵(GaN)基藍、綠、白光LED外延片和藍、綠、白光LED芯片以及集成電路、半導體照明等。在2000年開始進軍氮化鎵(CaN)基半導體產(chǎn)業(yè),至今已累計投資2億多元人民幣,形成了年產(chǎn)氮化鎵(CaN)外延片35000片和600kk芯片的生產(chǎn)能力。上海寬頻科技股份有限公司A股上市公司。公司主營業(yè)務為:通信網(wǎng)絡產(chǎn)品、集成電路設計、寬帶網(wǎng)絡運營、異型鋼管加工。2004年4月,公司將與韓國NiNEX司合資設立中外合資企業(yè)上海明芯電子有限公司(注冊資本為1000萬美元。 建設一條月產(chǎn)5000萬只高亮度蘭光、綠光、白光 LED(發(fā)光二極管)芯片和2000萬只LED封裝產(chǎn)品的生產(chǎn)線。計劃總投資為2500萬美元。合資公司將是國內(nèi)唯一一家集氮化鎵(GaN)基高亮度藍光、綠光、白光LED芯片規(guī)?;圃旌头庋b為一體的廠家。這些公司沒有尖端加工設備、沒有尖端技術人員和技術。某公司生產(chǎn)LED專門技術與國內(nèi)外發(fā)光二級管芯片制造商相比:某公司在制造功率型發(fā)光二極管有著下列專門技術:某公司引進了美國發(fā)展了20年的激光器﹑半導體芯片,發(fā)光二極管的研發(fā)、制造技術.公司發(fā)明了獨特的表面粗糙化加工技術。工藝簡單﹑加工成本低,可提高發(fā)光效率至少30%,(11) 表面粗糙化技術(11)鍍光膜 光刻 腐蝕 清洗具有先進的砷化鎵襯底剝離技術,使得發(fā)光強度增加2倍以上。如下圖襯底剝離技術(12) Nmetal 發(fā)展了一系列提高發(fā)光強度的技術,如光增透膜﹑電流限制技術等。如下圖:1. PR2. PR3. PR(1-3) 層片 SiN膜 去膠 光刻(接上圖1-3)干法腐蝕 清洗(1-4)光膠 光刻 干法刻蝕 公司發(fā)明了電極成形技術,可免除光刻、腐蝕的工藝,大大降低了制造成本,提高了發(fā)光強度。公司發(fā)明了功率型發(fā)光二極管的封裝技術,我們可以制造1w5w的發(fā)光二極管。具有一流的加工設備,從PECVD到ICP、光刻等等,在同行內(nèi)屬設備先進之列。本公司具有一流的研發(fā)人才, 有來自Motorola的從業(yè)40余年的工程師,俄羅斯的高級工程師、美國的高級工藝專家等高、精、尖人才。綜上所述,我公司無論是技術優(yōu)勢,還是硬件條件都居國內(nèi)外領先水平。公司生產(chǎn)的發(fā)光二極管,價格低,發(fā)光強度大,市場前景光明。未來公司的產(chǎn)品方向:(一)公司將制造半導體激光器,垂直發(fā)射激光器陣列等.(二)公司具有最前沿的制造激光器應用產(chǎn)品專利技術,例:激光掃描儀﹑激光治療青春痘﹑痤瘡粉刺等。(三) 公司具有硅工藝與技術,制造大
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