led上中下游制程ppt課件(編輯修改稿)
2025-06-01 18:14 本頁面
【文章內容簡介】 光系列用 AlGaInP四元系材料是性能最好的，其前段工序的主要核心技術： MOVPE（ 有機金屬氣相磊晶法 ）。 （續(xù)） 上游成品（外延片） 研磨（減薄、拋光） 正面涂膠保護（ P面） 化學拋光 腐蝕 蒸鍍（ P面） 蒸鍍（ N面） 黃光室涂膠 去臘清洗、庫房 去膠清洗 清洗 清洗 涂膠前先涂光阻附著液 LED 工藝 光罩作業(yè) 腐蝕金、鈹 合金 蒸鍍鈦、鋁（ P面） 套刻 腐蝕鋁、鈦 切割工序 半切 顯影、定影 去膠清洗 涂膠 去膠清洗 客戶要求較高的 中游成品 點測 一刀切 客戶要求不高 送各封裝廠 顯影、定影 全切 切割 融化 此過程是將置放 于 石英坩鍋內的塊狀原材料加熱至其融化溫度之上，此階段中最重要的參數為坩鍋的位置與熱量的供應，若使用較大的功率來融化原材料，石英坩鍋的壽命會降低，反之功率太低則融化的過程費時太久，影響整體的產能。 頸部成長 當融漿的溫度穩(wěn)定之后，慢慢的將晶種往上拉升，并使直徑縮小到一定 (約 6mm)，維持此直徑并拉長 1020cm，以消除晶種內的排差(dislocation)，此種零排差 (dislocationfree)的控制主要為將排差局限在頸部的成長。 晶冠成長 長完頸部后，慢慢地降低拉速與溫度，使頸部的直徑逐漸增加到所需的大小。 晶體成長 利用拉速與溫度變化的調整來維持固定的晶棒直徑，所以坩鍋必須不斷的上升來維持固定的液面高度，于是由坩鍋傳到晶棒及液面的輻射熱會逐漸增加，此輻射熱源將致使固業(yè)界面的溫度梯度逐漸變小，所以在晶棒成長階段的拉速必須逐漸地降低，以避免晶棒扭曲的現象產生。 尾部成長 當晶體成長到固定 (需要 )的長度后，晶棒的直徑必須逐漸地縮小，直到與液面分開，此乃避免因熱應力造成排差與滑移面現象。 L
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