led上中下游制程ppt課件-在線(xiàn)瀏覽
2025-06-22 18:14本頁(yè)面
【正文】 NGaPSi、 GaAs是前段工序完成后的產(chǎn)品；而上面五層和下面四層則是中段工序要做的工作。 （續(xù)） 上游成品（外延片） 研磨（減薄、拋光） 正面涂膠保護(hù)（ P面） 化學(xué)拋光 腐蝕 蒸鍍（ P面） 蒸鍍（ N面） 黃光室涂膠 去臘清洗、庫(kù)房 去膠清洗 清洗 清洗 涂膠前先涂光阻附著液 LED 工藝 光罩作業(yè) 腐蝕金、鈹 合金 蒸鍍鈦、鋁（ P面） 套刻 腐蝕鋁、鈦 切割工序 半切 顯影、定影 去膠清洗 涂膠 去膠清洗 客戶(hù)要求較高的 中游成品 點(diǎn)測(cè) 一刀切 客戶(hù)要求不高 送各封裝廠 顯影、定影 全切 切割 融化 此過(guò)程是將置放 于 石英坩鍋內(nèi)的塊狀原材料加熱至其融化溫度之上，此階段中最重要的參數(shù)為坩鍋的位置與熱量的供應(yīng)，若使用較大的功率來(lái)融化原材料，石英坩鍋的壽命會(huì)降低，反之功率太低則融化的過(guò)程費(fèi)時(shí)太久，影響整體的產(chǎn)能。 晶冠成長(zhǎng) 長(zhǎng)完頸部后，慢慢地降低拉速與溫度，使頸部的直徑逐漸增加到所需的大小。 尾部成長(zhǎng) 當(dāng)晶體成長(zhǎng)到固定 (需要 )的長(zhǎng)度后，晶棒的直徑必須逐漸地縮小，直到與液面分開(kāi)，此乃避免因熱應(yīng)力造成排差與滑移面現(xiàn)象。 磊晶 ： 砷化鎵磊晶依制程的不同，可分為 LPE(液相磊晶 )、 MOCVD(有機(jī)金屬氣相磊晶 )及 MBE(分子束磊晶 )。 MOCVD除了純度高，平整性好外，量產(chǎn)能力及磊晶成長(zhǎng)速度亦較 MBE為快，所以現(xiàn)在大都以 MOCVD來(lái)生產(chǎn)。長(zhǎng)有外延層的 GaAs片也就是常稱(chēng)的外延片。不同的材料、不同的生長(zhǎng)條件以及不同的外延層結(jié)構(gòu)都可以改變發(fā)光的顏色和亮度。 反應(yīng)式： Ga(CH3)3 +PH3= GaP+3CH4 NGaPSi 基板（襯底） NGaPSi 基板（襯底） GaInPAl發(fā)光層
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