《led上中下游制程》ppt課件(文件)
【正文】 其過(guò)程首先是將 GaAs襯底放入昂貴的有機(jī)化學(xué)汽相沉積爐（簡(jiǎn) MOCVD，又稱(chēng)外延爐），再通入 III、 II族金屬元素的烷基化合物（甲基或乙基化物）蒸氣與非金屬 (V或 VI族元素）的氫化物（或烷基物）氣體，在高溫下，發(fā)生熱解反應(yīng)，生成 IIIV或 IIVI族化合物沉積在襯底上，生長(zhǎng)出一層厚度僅幾微米（ 1毫米＝ 1000微米）的化合物半導(dǎo)體外延層。其實(shí)，在幾微米厚的外延層中，真正發(fā)光的也僅是其中的幾百納米（ 1微米＝ 1000納米）厚的量子阱結(jié)構(gòu)。該設(shè)備是利用照相的技術(shù) ， 定義出所需要的圖形 ， 因?yàn)椴捎酶泄鈩┮灼毓?，得在黃色燈光照明區(qū)域內(nèi)工作 ， 所以其工作的區(qū)域叫做 「 黃光區(qū) 」 單電子槍金屬蒸鍍系統(tǒng) 光罩對(duì)準(zhǔn)曝光機(jī) ? 用于金屬蒸鍍 （ ITO， Al， Ti，Au， Ni， Mo， Pd， Pt， Ag） ；金屬薄膜歐姆接觸蒸鍍 (四元 LED， 藍(lán)光 LED， 藍(lán)光 LD)制程 。 。 （續(xù)） 貼膜機(jī) 清洗機(jī) ? 用于 Wafer切割前，把 Wafer很好的貼于切割用膜的表面。 但是萬(wàn)變不離其宗，其主要的思想都是一樣的：外延片的生長(zhǎng)（ PN結(jié)的形成） 電極的制作（有金電極，鋁電極，并形成歐姆接觸） 封裝。外延片經(jīng)芯片加工后，通電就能發(fā)出顏色很純的單色光，如紅色、黃色等。 LPE的技術(shù)較低，主要用于一般的發(fā)光二極管，而 MBE的技術(shù)層次較高，容易成長(zhǎng)極薄的磊晶，且純度高，平整性好，但量產(chǎn)能力低，磊晶成長(zhǎng)速度慢。 晶體成長(zhǎng) 利用拉速與溫度變化的調(diào)整來(lái)維持固定的晶棒直徑，所以坩鍋必須不斷的上升來(lái)維持固定的液面高度，于是由坩鍋傳到晶棒及液面的輻射熱會(huì)逐漸增加，此輻射熱源將致使固業(yè)界面的溫度梯度逐漸變小，所以在晶棒成長(zhǎng)階段的拉速必須逐漸地降低，以避免晶棒扭曲的現(xiàn)象產(chǎn)生。 目前超高亮度發(fā)光二極管紅黃光系列用 AlGaInP四元系材料是性能最好的，其前段工序的主要核心技術(shù)： MOVPE（ 有機(jī)金屬氣相磊晶法 ）。此即所謂的能帶工程。 （續(xù)） （續(xù)） 在此能量范圍之內(nèi)，帶隙為直接帶的 IIIV族半導(dǎo)體材料只有 GaN等少數(shù)材料。這就是 PN結(jié)發(fā)光的原理。因此它具有一般 PN結(jié)的 IN特性，即正向?qū)?，反向截止、擊穿特性?
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