【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 orvo、Avago三寡頭市場(chǎng)份額分別為37%、25%、24%。設(shè)計(jì)第四大廠Murata于 2012年3月收購(gòu)Renesas旗下相關(guān)事業(yè)部，進(jìn)軍砷化鎵PA市場(chǎng)，完成對(duì)射頻行業(yè)全備產(chǎn)品線布局，2014年占據(jù)市場(chǎng)份額9%。 PA領(lǐng)域，2014年合計(jì)市場(chǎng)份額小于5%。優(yōu)秀設(shè)計(jì)公司涌現(xiàn)，產(chǎn)業(yè)持續(xù)整合產(chǎn)業(yè)鏈呈現(xiàn)多模式整合態(tài)勢(shì)。一方面，隨著行業(yè)發(fā)展和技術(shù)演進(jìn)，傳統(tǒng)的砷化鎵/氮化鎵化合物射頻IDM廠商為保持自身技術(shù)優(yōu)勢(shì)，選擇強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手或持續(xù)整合新興的Fabless設(shè)計(jì)公司；另一方面，高通、聯(lián)發(fā)科等基帶芯片平臺(tái)為增強(qiáng)平臺(tái)自身的競(jìng)爭(zhēng)力，選擇參股或并購(gòu)相應(yīng)的射頻化合物集成電路設(shè)計(jì)廠商。近年來(lái)PA行業(yè)并購(gòu)不斷：國(guó)際方面，RFMD收購(gòu)TriQuint，PA龍頭強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手；Skyworks收購(gòu)AXIOM和SiGe、RFMD收購(gòu)Amalfi、Avago收購(gòu)Javelin，傳統(tǒng)GaAs PA大廠推進(jìn)GaAs、CMOS、SiGe等工藝多元化戰(zhàn)略；聯(lián)發(fā)科收購(gòu)絡(luò)達(dá)科技（Airoha）%股權(quán)、Qualm并購(gòu)Black Sand，基帶廠商涉足PA領(lǐng)域提平臺(tái)案競(jìng)爭(zhēng)力。國(guó)內(nèi)方面，2014年7月紫光集團(tuán)完成對(duì)銳迪科收購(gòu)；2015年5月北京建廣資產(chǎn)管理（JAC Capital）收購(gòu)NXP功率放大器（RF Power）事業(yè)部門，在國(guó)家意志驅(qū)動(dòng)及并購(gòu)基金引導(dǎo)下，中國(guó)赴海外私有化PA廠商大幕開(kāi)啟。預(yù)期未來(lái)行業(yè)整合仍將持續(xù)。主要集中在以下領(lǐng)域：（1）隨著獨(dú)立PA設(shè)計(jì)廠商生存空間縮小，占據(jù)資金和產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢(shì)的基帶芯片公司有望并購(gòu)PA廠商，以補(bǔ)全平臺(tái)設(shè)計(jì)鏈；（2）占主導(dǎo)地位的砷化鎵/氮化鎵 PA Fabless或IDM廠商并購(gòu)采用CMOS工藝的Fabless設(shè)計(jì)等新技術(shù)廠商，以增強(qiáng)自身技術(shù)覆蓋范圍和保持持續(xù)競(jìng)爭(zhēng)力；（3）考慮到高性能氮化鎵半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域敏感性，出于軍事安全/技術(shù)保密/產(chǎn)品性能深度優(yōu)化的考慮，不排除設(shè)計(jì)公司通過(guò)收購(gòu)方式建立化合物芯片產(chǎn)線，或代工廠反向收購(gòu)設(shè)計(jì)公司打造垂直產(chǎn)業(yè)鏈的并購(gòu)可能；（4）大陸扶持集成電路行業(yè)意志堅(jiān)決，海外并購(gòu)優(yōu)秀的砷化鎵廠商將持續(xù)加速；（5）國(guó)內(nèi)消費(fèi)電子產(chǎn)業(yè)鏈上下游公司出于拓展業(yè)務(wù)目的收購(gòu)優(yōu)質(zhì)化合物半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司，如長(zhǎng)盈精密收購(gòu)蘇州宜確股權(quán)布局物聯(lián)網(wǎng)，未來(lái)利用自身的產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)勢(shì)向客戶推廣其射頻功放產(chǎn)品?；衔锞A代工模式加速成長(zhǎng)砷化鎵芯片產(chǎn)能滯后，增長(zhǎng)需求強(qiáng)烈。，%。2014年二季度由于中低端智能手機(jī)的增量爆發(fā)和4G市場(chǎng)占比的迅速拉升，大陸手機(jī)市場(chǎng)砷化鎵PA產(chǎn)能供給嚴(yán)重不足，市場(chǎng)缺口一度高達(dá)20%以上。以Skyworks為代表的國(guó)外IDM大廠PA缺貨嚴(yán)重，甚至迫使聯(lián)發(fā)科等平臺(tái)芯片廠商修改平臺(tái)設(shè)計(jì)方案應(yīng)對(duì)。設(shè)計(jì)公司“去晶圓化”，IDM產(chǎn)能外包成未來(lái)必然趨勢(shì)。與硅基集成電路發(fā)展趨勢(shì)類似，化合物半導(dǎo)體公司也將逐步由垂直一體的IDM模式向“無(wú)晶圓Fabless設(shè)計(jì)+專業(yè)晶圓代工”模式發(fā)展。一方面，新成立的設(shè)計(jì)公司一般不購(gòu)置重資產(chǎn)的芯片生產(chǎn)產(chǎn)線，采用Fabless的純?cè)O(shè)計(jì)公司方式有助于保持公司的靈活性；另一方面，考慮到晶圓代工產(chǎn)業(yè)已然成規(guī)模及受到新興Fabless設(shè)計(jì)公司擠壓，IDM公司對(duì)自有產(chǎn)線擴(kuò)展投資更為保守，因其自有產(chǎn)能必須要保證充分利用產(chǎn)線才不至于閑置。相比之下晶圓代工廠則可以通過(guò)掌握Fabless及IDM外發(fā)訂單維持產(chǎn)能利用率。傳統(tǒng)的IDM大廠越來(lái)越傾向于不再采用擴(kuò)大自身產(chǎn)能，轉(zhuǎn)而采用外包給專業(yè)的晶圓代工公司進(jìn)行芯片生產(chǎn)，進(jìn)而又推動(dòng)晶圓代工模式的成長(zhǎng)。代工市場(chǎng)產(chǎn)值2018年預(yù)計(jì)增至百億人民幣規(guī)模。隨著Fabless設(shè)計(jì)公司的涌現(xiàn)和IDM外包業(yè)務(wù)的發(fā)展，化合物集成電路代工業(yè)務(wù)將持續(xù)穩(wěn)步增長(zhǎng)。，其中龍頭臺(tái)灣穩(wěn)懋月產(chǎn)能24k片（以6英寸片計(jì)），%。受益于PA芯片業(yè)務(wù)市場(chǎng)需求的迅猛增長(zhǎng)和產(chǎn)業(yè)模式轉(zhuǎn)變，預(yù)計(jì)全球化合物集成電路代工業(yè)務(wù)市場(chǎng)將實(shí)現(xiàn)增量擴(kuò)張，%。代工近期向穩(wěn)懋、宏捷科集中，三安光電有望強(qiáng)勢(shì)切入。目前全球?qū)I(yè)砷化鎵晶圓代工廠商以臺(tái)企為主，代表企業(yè)為穩(wěn)懋（Win）和宏捷科（AWSC），%、%。穩(wěn)懋、宏捷科主要客戶分別為Avago、Skyworks。原IDM大廠TriQuint也提供代工服務(wù)，但因其兼具IDM和晶圓代工業(yè)務(wù)易與客戶業(yè)務(wù)發(fā)生沖突，導(dǎo)致其在砷化鎵晶圓代工市場(chǎng)市占率已從2010年的29%萎縮到18%。預(yù)期，中短期GaAs晶圓代工市場(chǎng)份額將不斷向穩(wěn)懋、宏捷科集中。大陸上市公司三安光電目前強(qiáng)勢(shì)布局砷化鎵及氮化鎵晶圓代工（2018年底年產(chǎn)能砷化鎵30萬(wàn)片、氮化鎵6萬(wàn)片），達(dá)產(chǎn)后產(chǎn)能將和穩(wěn)懋現(xiàn)有產(chǎn)能比肩，有望搶占臺(tái)廠代工市場(chǎng)。國(guó)家意志驅(qū)動(dòng)產(chǎn)業(yè)鏈崛起內(nèi)需拉動(dòng)集成電路產(chǎn)業(yè)整體發(fā)展集成電路巨額進(jìn)口和國(guó)家安全戰(zhàn)略引起國(guó)家高度重視。集成電路被喻為國(guó)家的“工業(yè)糧食”和國(guó)防現(xiàn)代化的“電子血液”，而中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)薄弱，嚴(yán)重依賴進(jìn)口，實(shí)際自給率僅有約10%，進(jìn)幾年進(jìn)口金額接近甚至超過(guò)原油進(jìn)口，因此，發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)已經(jīng)被提升為國(guó)家安全戰(zhàn)略布局。國(guó)家意志有望驅(qū)動(dòng)行業(yè)戰(zhàn)略性拐點(diǎn)。（1）5/10年成長(zhǎng)周期，扶持政策明確。近年來(lái)集成電路扶持政策密集頒布，融資、稅收、補(bǔ)貼等政策環(huán)境不斷優(yōu)化。尤其是2014年6月出臺(tái)的《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》，定調(diào)“設(shè)計(jì)為龍頭、制造為基礎(chǔ)、裝備和材料為支撐”，以201202030為成長(zhǎng)周期全力推進(jìn)我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。（2）龐大資本運(yùn)作，撬動(dòng)發(fā)展的主要手段。2014年10月，中國(guó)成立國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金（簡(jiǎn)稱“大基金”），“大基金”首批規(guī)模將達(dá)到1200億元，至2016年9月已投資37個(gè)項(xiàng)目，28個(gè)企業(yè)，加之超過(guò)6000億元的地方基金以及私募股權(quán)投資基金，中國(guó)有望以千億元基金撬動(dòng)萬(wàn)億元資金投入集成電路行業(yè)，加速行業(yè)重組、并購(gòu)。資源向龍頭集中，“馬太效應(yīng)”凸顯。全球集成電路產(chǎn)業(yè)寡頭壟斷特征日益顯著，中國(guó)成長(zhǎng)性不足企業(yè)也將逐步退出，優(yōu)質(zhì)資源向龍頭集中。例如“大基金”已投項(xiàng)目及國(guó)開(kāi)行融資項(xiàng)目涉及PA產(chǎn)業(yè)鏈公司的包括：（1）設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)，“大基金”100億元投資紫光集團(tuán)，國(guó)開(kāi)行為紫光集團(tuán)提供200億元融資貸款。（2）晶圓代工環(huán)節(jié)：“大基金”%股權(quán)、以不超過(guò)25億美元推進(jìn)與三安集團(tuán)及三安光電合作；國(guó)開(kāi)行以最優(yōu)惠利率提供200億人民幣融資總量，用于支持三安集團(tuán)及三安光電的業(yè)務(wù)發(fā)展。（3）封裝測(cè)試環(huán)節(jié)：“大基金”3億美元助力長(zhǎng)電科技收購(gòu)星科金朋。內(nèi)國(guó)產(chǎn)化趨勢(shì)明朗：“芯片禁運(yùn)”與需求缺口化合物射頻芯片大陸需求端市場(chǎng)全備，供給端受“芯片禁運(yùn)”遏喉，本土化迫在眉睫。（1）需求端：終端應(yīng)用市場(chǎng)全備，規(guī)模條件逐步成熟。隨著全球移動(dòng)終端產(chǎn)品產(chǎn)能向中國(guó)轉(zhuǎn)移，中國(guó)已經(jīng)成為全球PA終端產(chǎn)品制造基地，2015年中國(guó)汽車、平板電腦、PC、智能手機(jī)出貨量占全球比重分別達(dá)28%、14%、30%、41%，終端應(yīng)用市場(chǎng)全備，化合物PA芯片市場(chǎng)空間巨大。（2）供給端：中國(guó)尚無(wú)產(chǎn)值規(guī)模占比居前、技術(shù)領(lǐng)先的砷化鎵/氮化鎵集成電路設(shè)計(jì)、晶圓代工廠商，PA尤其是中高端3G/4G手機(jī)射頻PA芯片嚴(yán)重依賴進(jìn)口。美國(guó)對(duì)華“芯片禁運(yùn)”政策，尤其是高性能、軍用PA禁運(yùn)政策非常嚴(yán)格，也將極大刺激氮化鎵芯片產(chǎn)業(yè)本土化發(fā)展。設(shè)計(jì)端基礎(chǔ)扎實(shí)，技術(shù)突破在即大陸優(yōu)秀設(shè)計(jì)公司不斷涌現(xiàn)，2G PA市場(chǎng)領(lǐng)域已占“半壁江山”。和其他集成電路細(xì)分行業(yè)發(fā)展軌跡類似，我國(guó)化合物集成電路設(shè)計(jì)公司較國(guó)外IDM大廠比起步較晚、規(guī)模相對(duì)較小，目前集中于低端消費(fèi)類電子PA領(lǐng)域，普遍采用Fabless的純?cè)O(shè)計(jì)公司模式，由臺(tái)灣代工廠穩(wěn)懋等專業(yè)代工廠商提供芯片制造服務(wù)。區(qū)別于基帶數(shù)字電路芯片動(dòng)輒上千人的“集團(tuán)軍”作戰(zhàn)模式，化合物集成電路多為射頻模擬電路，F(xiàn)abless設(shè)計(jì)公司核心工程師團(tuán)隊(duì)往往只需數(shù)十人甚至數(shù)人。受益于國(guó)外人才回流和信息壁壘削弱，大陸化合物集成電路設(shè)計(jì)公司總體發(fā)展勢(shì)頭迅猛，涌現(xiàn)出如銳迪科/漢天下/唯捷創(chuàng)芯等一系列在業(yè)界占據(jù)一席之地的優(yōu)秀射頻功率放大器設(shè)計(jì)公司。2G 通訊終端領(lǐng)域，大陸PA廠商出貨量已遠(yuǎn)超國(guó)外IDM大廠，合計(jì)份額超過(guò)75%，占據(jù)市場(chǎng)主流地位。2014年，銳迪科微電子 2G PA ，3G PA出貨