化工前沿論文方傳杰(編輯修改稿)
2025-07-15 21:51 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 帶有滅火劑(因此標定為FR)一旦著火，F(xiàn)R4以玻璃纖維為基礎，加有環(huán)氧樹脂。FR5與FR一4相似，強度較高，. 天然金剛石具有作為半導體器件封裝所必需的最優(yōu)異的性質，如高的熱導率((2000 W/m?K,25℃)、低介電常數(shù)()、微電子界開始利用金剛石作為半導體器件封裝基片白努力，并將金剛石作為散熱材料，用在微波雪崩二極管、Ge IMPATF和激光器上，天然金剛石或高溫高壓下合萬金剛石高昂的價格和尺寸的限制，使這種技術。法大規(guī)模推廣. 近年來，低溫低壓下化學氣相沉積(LPCVD )金剛石薄膜技術迅速發(fā)展，它不僅具有設備成本低和沉積面積大的優(yōu)點，而且能直接沉積在高導熱系數(shù)的金屬、復合材料或單晶硅襯底上，甚至可以制成無支承物的金剛石薄膜片，然后粘結到所需的基片上(金屬或陶瓷)，CVD金剛石薄膜要實現(xiàn)商品化還必須克服一些問題，例如，解決CVD金剛石薄膜與各種襯底間的線膨脹系數(shù)失配的問題、建立一套完整的反應生長動力學理論以指導薄膜的生長、微電子器件的封裝將是CVD金剛石薄膜的最大應用領域.絕緣金屬基片早己開發(fā)成功并用于電子封裝中，因其熱導率和機械強度高、加工性能好，至今仍是人們繼續(xù)開發(fā)、提高和推廣的主要材料
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