化工前沿論文方傳杰(編輯修改稿)
2025-07-15 21:51 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 帶有滅火劑(因此標(biāo)定為FR)一旦著火，F(xiàn)R4以玻璃纖維為基礎(chǔ)，加有環(huán)氧樹(shù)脂。FR5與FR一4相似，強(qiáng)度較高，. 天然金剛石具有作為半導(dǎo)體器件封裝所必需的最優(yōu)異的性質(zhì)，如高的熱導(dǎo)率((2000 W/m?K,25℃)、低介電常數(shù)()、微電子界開(kāi)始利用金剛石作為半導(dǎo)體器件封裝基片白努力，并將金剛石作為散熱材料，用在微波雪崩二極管、Ge IMPATF和激光器上，天然金剛石或高溫高壓下合萬(wàn)金剛石高昂的價(jià)格和尺寸的限制，使這種技術(shù)。法大規(guī)模推廣. 近年來(lái)，低溫低壓下化學(xué)氣相沉積(LPCVD )金剛石薄膜技術(shù)迅速發(fā)展，它不僅具有設(shè)備成本低和沉積面積大的優(yōu)點(diǎn)，而且能直接沉積在高導(dǎo)熱系數(shù)的金屬、復(fù)合材料或單晶硅襯底上，甚至可以制成無(wú)支承物的金剛石薄膜片，然后粘結(jié)到所需的基片上(金屬或陶瓷)，CVD金剛石薄膜要實(shí)現(xiàn)商品化還必須克服一些問(wèn)題，例如，解決CVD金剛石薄膜與各種襯底間的線膨脹系數(shù)失配的問(wèn)題、建立一套完整的反應(yīng)生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)理論以指導(dǎo)薄膜的生長(zhǎng)、微電子器件的封裝將是CVD金剛石薄膜的最大應(yīng)用領(lǐng)域.絕緣金屬基片早己開(kāi)發(fā)成功并用于電子封裝中，因其熱導(dǎo)率和機(jī)械強(qiáng)度高、加工性能好，至今仍是人們繼續(xù)開(kāi)發(fā)、提高和推廣的主要材料
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