數(shù)字集成電路基本單元(編輯修改稿)
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【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 ???? tpddV 2tpddpddtpLo2tpddpL1rVVdVVVC2tCMOS反相器的瞬態(tài)特性 2022/5/27 25 b、 非飽和狀態(tài)時(shí) 線性充電時(shí)間段有 ， 積分得 ， 經(jīng)變量代換 ， 部分分式展開(kāi) ， 可得 ， 總的充電時(shí)間為 ， tr=tr1+tr2 如果 Vtp = Vdd， 則 ? ?? ? ? ? dtdVCVV21VVVV oL2oddoddtpddp ??????? ?? ? ? ?? ?????? ddtpV 2oddoddtpddopL2rVV21VVVVdVCt? ? ???????? ????ddtpddtpddpL2r VV20V19lnVVCttpddpLr VV1C3t???CMOS反相器的瞬態(tài)特性 2022/5/27 26 ii) Vi從 0到 1, CL放電 NMOS的導(dǎo)通電流開(kāi)始為飽和狀態(tài)而后轉(zhuǎn)為非飽和狀態(tài) ， 故與上面類(lèi)似 ， 輸出脈沖的下降時(shí)間也可分為兩段來(lái)計(jì)算 。 如圖所示 。 CMOS反相器的瞬態(tài)特性 2022/5/27 27 a、 飽和狀態(tài) 假定 VC(0?)=Vdd， 恒流放電時(shí)間段有 ， 積分得 ， ? ? dtdVCVV21 oL2tnddn ????? ?? ?? ?????????? tnddddVV 2tnddntnddLo2tnddnL1f VVVVC2tCMOS反相器的瞬態(tài)特性 2022/5/27 28 b、 非飽和狀態(tài) 線性放電時(shí)間段有 ， ? ? dtdVCV21VVV oL2dsdstndsn ??????? ????? ?? ?????? ddtnddVV 2ootnddonL2fV21VVVdVCt? ? ???????? ???? ddtnddtnddnLVV20V19lnVVCCMOS反相器的瞬態(tài)特性 2022/5/27 29 總的放電時(shí)間為 tf = tf1 + tf2 如果 Vtn = Vdd，則 如果 Vtn = |Vtp|， ?n=?p，則 tr = tf CMOS的輸出波形將是對(duì)稱的。 tnddnLf VV1C3t???CMOS反相器的瞬態(tài)特性 2022/5/27 30 反相器電路圖到符號(hào)電路版圖的轉(zhuǎn)換 （ a）電路圖，（ b）漏極連線，（ c）電源與地線連線，（ d）柵極與輸入輸出連線 VD DVS S輸 入 輸 出( a )VV( b )VV( c )輸 入輸 出VV( d )2022/5/27 31 圖 各種形式的反相器版圖 （ a）垂直走向 MOS管結(jié)構(gòu)， （ b）水平走向 MOS管結(jié)構(gòu)， （ c）金屬線從管子中間穿過(guò)的水平走向 MOS管結(jié)構(gòu)， （ d）金屬線從管子上下穿過(guò)的水平走向 MOS管結(jié)構(gòu) （ e）有多晶硅線穿過(guò)的垂直走向 MOS管結(jié)構(gòu) 輸 出輸 入Vd dVs sVd d 輸 出Vs s輸 入Vd d 輸 出Vs s輸 入Vd d 輸 出Vs s輸 入 輸 出輸 入Vd dVs s2022/5/27 32 并聯(lián)反相器版圖 （ a）直接并聯(lián)，（ b）共用漏區(qū)，（ c）星狀連接 Vd d 輸 出Vs s輸 入Vd d 輸 出Vs s輸 入Vd d 輸 出Vs s輸 入2022/5/27 33 CMOS與非門(mén)和或非門(mén) ? 與非門(mén)和或非門(mén)電路：（ a）二輸入與非門(mén)，（ b）二輸入或非門(mén) VD DSGDCLI NAI NBO U TM1M2M3M4SSSDDDGGGVD DSCLI NAI NBM1M3M4SSDDGGGGDO U TM2SD2022/5/27 34 與非門(mén)的版圖 ? （ a）按電路圖轉(zhuǎn)換，（ b） MOS管水平走向設(shè)計(jì) Vd dVs sBAVd dVs sBA2022/5/27 35 或非門(mén)版圖 （ a）輸入向右引線，（ b）輸入向上引線 Vd dVs sBAVd dVs s2022/5/
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