晶體二極管已修改ppt課件(編輯修改稿)
2025-06-08 12:11 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 通，反向截止）結(jié)的單向?qū)щ娦裕凑驅(qū)ǎ聪蚪刂梗?PN結(jié)的結(jié)的 伏安特性伏安特性216。 PN結(jié) —— 單向?qū)щ娞匦訮+ N內(nèi)建 電場 Elo+ VPN結(jié) 正偏阻擋層變薄內(nèi)建電場減弱多子擴散 少子漂移多子擴散形成 較大 的正向電流 I PN結(jié)導通I電壓 V ? 電流 I ??216。 PN結(jié) —— 單向?qū)щ娞匦訮+ N內(nèi)建 電場 Elo +VPN結(jié) 反偏阻擋層變寬內(nèi)建電場增強少子漂移 多子擴散少子 漂移 形成 微小 的反向電流 IR PN結(jié)截止IRIR與 V 近似無關(guān)。溫度 T ? 電流 IR??結(jié)論： PN結(jié)具有單方向?qū)щ娞匦浴?16。 PN結(jié) —— 伏安特性方程式PN結(jié)正、反向特性，可用理想的指數(shù)函數(shù)來描述： 熱電壓 ? 26mV（ 室溫）其中： IS為反向飽和電流，其值與外加電壓近似無關(guān)，但受溫度影響很大。正偏時： 反偏時： 216。 PN結(jié) —— 伏安特性曲線ID(mA)V(V)VD(on)ISSiGeVD(on)= IS=(109~1016)A硅 PN結(jié)VD(on)= 鍺 PN結(jié) IS=(106~108)AV VD(on)時 隨著 V ? 正向 R很小 I ?? PN結(jié)導通；V VD(on)時 IR很小 (IR? IS) 反向 R很大 PN結(jié) 截止 。溫度每升高 10℃ ， IS約增加一倍。 溫度每升高 1℃ ， VD(on)約減小 。 |V反 |?=V(BR)時， ? IR急劇 ??? ，? PN結(jié)反向擊穿。 PN結(jié)的結(jié)的 擊穿特性擊穿特性雪崩擊穿 齊納擊穿 PN結(jié)摻雜濃度較低 (lo較寬 )發(fā)生條件外加反向電壓較大 (6V) 形成原因 : 碰撞電離 。V(BR)ID(mA)V(V)形成原因 : 場致激發(fā)。 發(fā)生條件 PN結(jié)摻雜濃度較高 (lo較窄 )外加反向電壓較小 (6V) 因為 T? ? 載流子運動的平均自由路程 ? ?V(BR)?。216。 擊穿電壓的溫度特性擊穿電壓的溫度特性167。 雪崩擊穿電壓 具有正溫度系數(shù)。167。 齊納擊穿電壓 具有負溫度系數(shù)。因為 T? ? 價電子獲得的能量 ? ?V(BR)?。216。 穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓二極管VZID(mA)V(V)IZminIZmax+VZ167。 利用 PN結(jié)的反向擊穿特性，可 制成穩(wěn)壓二極管。167。 要求： Izmin Iz Izmax216。 穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓二極管UZID(mA)U(V)IZminIZmax+VZ167。 利用 PN結(jié) 的 反向擊穿特性 ，可 制成穩(wěn)壓二極管。167。 要求 ： Izmin Iz Izmax穩(wěn)壓二極管的主要參數(shù)穩(wěn)壓二極管的主要參數(shù) 穩(wěn)定電壓、穩(wěn)定電壓 UZ :在在 反向擊反向擊穿區(qū)時的穩(wěn)定工作電壓，穿區(qū)時的穩(wěn)定工作電壓， UZ是根是根據(jù)要求挑選穩(wěn)壓管的主要依據(jù)之一據(jù)要求挑選穩(wěn)壓管的主要依據(jù)之一。 穩(wěn)定電流、穩(wěn)定電流 IZ :是是 使穩(wěn)壓管正常工作時的參考電流，一般使穩(wěn)壓管正常工作時的參考電流，一般說來工作電流較大時穩(wěn)壓性能較好。說來工作電流較大時穩(wěn)壓性能較好。 動態(tài)內(nèi)阻、動態(tài)內(nèi)阻 rZ : rZ ＝＝ ΔΔ U / ΔΔ I ， 其值越小越好。其值越小越好。 額定功耗、額定功耗 PZ : PZ ＝＝ UZ IZM216。 使用穩(wěn)壓管組成電路時需注意的幾個問題：使用穩(wěn)壓管組成電路時需注意的幾個問題：某原因 VO? ? IZ?? ? I ?限流電阻 R： 保證穩(wěn)壓管工作在 Izmin~ Izmax之間穩(wěn)壓原理： VO? ? VR?VO= VZ輸出 電壓：D++RRLILVI VOIZI應(yīng)該給穩(wěn)壓管加反偏電壓，以保證工作于反向擊穿區(qū)穩(wěn)壓管應(yīng)與負載電阻并聯(lián)以使輸出電壓穩(wěn)定。必須限制流過穩(wěn)壓管的電流 IZ， 使其不超過規(guī)定值，以 免因過熱而燒壞管子。 PN結(jié)的結(jié)的 電容特性電容特性勢壘區(qū)內(nèi)空間電荷量隨外加電壓變化產(chǎn)生的電容效應(yīng)。 q 勢壘電容 CT q 擴散電容 CD 阻擋層外（ P區(qū)和 N區(qū)）貯存的 非平衡電荷量 ,隨外加電壓變化產(chǎn)生的電容效應(yīng)。 CT(0)CTV0xn少子濃度x0xpP+ N216。 PN結(jié)結(jié) 電容電容167。 PN結(jié)反偏時 ， CT CD ， 則 Cj ≈ CT PN結(jié)總電容： Cj = CT + CD167。 PN結(jié)正偏時， CD CT ， 則 Cj ≈ CD故： PN結(jié)正偏時，以 CD為主。 故： PN結(jié) 反偏時，以 CT為主。通常： CD ≈幾十 PF ~ 幾千 PF。通常： CT ≈幾 PF ~ 幾十 PF。 晶體二極管電路分析方法晶體二極管電路分析方法 晶體二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)就是一個 PN結(jié)。就其伏安特性而言，它有不同的表示方法，或者表示為不同形式的模型：167。 適于任一工作狀態(tài)的 通用曲線模型
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