adda轉(zhuǎn)換ppt課件(編輯修改稿)
2025-06-08 04:26 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 輸入端；20VIN 單極性 0V~+20V輸入端 ， 雙極性 177。 10V輸入端；AC 模擬地； DC 數(shù)字地； STS 狀態(tài) ， STS=1， 正在轉(zhuǎn)換； STS=0， 轉(zhuǎn)換結(jié)束；DB11~DB0 A/D轉(zhuǎn)換輸出數(shù)據(jù)線； VLOGIC 邏輯控制電壓； BIP OFF 雙極性偏移端 。 加適當(dāng)偏壓 ， 對(duì)輸入作零點(diǎn)調(diào)整 啟動(dòng) —— CE=1,CS=0,R/C=0,A0=0為 12位啟動(dòng)； A0=1為 8位啟動(dòng) 讀數(shù) ——CE=1,CS=0,R/C=1,12/8=1讀 12位； 12/8=0: A0=0讀高 8位 ,A0=1讀低 4位 CE CS R/C A0 STS DB 啟動(dòng)轉(zhuǎn)換 結(jié)束讀數(shù) ADC574時(shí)序 啟動(dòng) 12位轉(zhuǎn)換 320H 讀狀態(tài) 322H 讀數(shù)據(jù) 323H VLOGIC STS 12/8 CS 10VIN A0 20VIN R/C VCC CE VEE VREFOUT VREFIN AD574 BIP OFF AC DB11~DB4 DC DB3~DB0 +5V A0 A1 +5V GND 地址譯碼 +12V 12V 模入信號(hào) 5~+5V 三態(tài)門 D0 320H~323H LE OE 鎖存器 A0 323H DB 322H LP: MOV DX， 320H OUT DX， AL ；啟動(dòng) AD轉(zhuǎn)換 MOV DX， 322H AGAIN: IN AL， DX ；讀入狀態(tài)位 TEST AL， 1 ；檢測(cè) D0 JNZ AGAIN ；轉(zhuǎn)換未完返回 MOV DX， 323H IN AX， DX ；采集 AD轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù) AND AX， 0FFFH MOV [BX]， AX ；存采集數(shù)據(jù) ADD BX， 2 LOOP LP ；采集未完 ， 繼續(xù) 啟動(dòng) 12位轉(zhuǎn)換 320H 讀狀態(tài) 322H 讀數(shù)據(jù) 323H AD使用要點(diǎn)： 1. AD三部曲 ——啟動(dòng)、轉(zhuǎn)換、讀數(shù) 2. AD引腳的連接 ——啟動(dòng)、狀態(tài)、讀數(shù)、模入、通道 3. 讀數(shù)據(jù) ——查詢、中斷、延時(shí) 4. 采樣率 ——軟件定時(shí)、硬件定時(shí)器 167。 4 模擬多路開(kāi)關(guān) 41*2 CD4052， AD7502 81 CD4051， AD7501 161 CD4067， AD7506 CD 4051 I/OUT OUT/I INH A B C 4051 真 值 表 INH 0 0 0 0 0 0 0 0 1 C 0 0 0 0 1 1 1 1 B 0 0 1 1 0 0 1 1 A 0 1 0 1 0 1 0 1 IN/OUT 0 1 2 3 4 5 6 7 無(wú) 167。 5 采樣保持電路 保證轉(zhuǎn)換精度 —— A/D轉(zhuǎn)換過(guò)程中， 為確保模擬信號(hào)不發(fā)生變化， 采用采樣保持器。 快速采集信號(hào)，并且保持不變 LF398， AD582 DB PA7 RD 8255 WR PA0 RESET A1 PB7 A0 CS PB0 DB IOR IOW RESET DRV A1 A0 +5V A8 A7 AEN A6 A5 A4 A3 IOR IOW A9 G1 C 74LS138 B A G2B G2A Y6 230~237H +5V GND +5V GND …… +5V +5V …… …… 實(shí)驗(yàn)報(bào)告原理圖要求： 與計(jì)算機(jī)系統(tǒng)總線 PC總線 連接； 接口電路與外部電路連接； 第九章 存儲(chǔ)器 1. 作用 存數(shù)據(jù) 、 文件 要求 ： 高速 、 大容量 、 小體積 、 成本低 存取周期 存儲(chǔ)器收到地址 ， 到完成讀或?qū)憯?shù)據(jù)的時(shí)間 KB, MB, GB 2． 存儲(chǔ)器類型 材料： 磁芯 、 磁帶 、 磁盤 （ 軟 、 硬 、 光 ） 、 半導(dǎo)體 用途： 內(nèi)存 、 外存 ， 高速緩存 Cache 3. 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 RAM：雙極 10ns級(jí) MOS： 100ns級(jí) 靜態(tài) SRAM 動(dòng)態(tài) DRAM IRAM ROM：掩膜 ROM 可編程 PROM 可擦除 EPROM ISM 電擦除 EEPROM ISS Flash Mem ISG 4. 與計(jì)算機(jī) CPU的連接 （ 1） 存儲(chǔ)器芯片信號(hào) 62256 32K*8 SRAM A0?14,I/O0?7,CE,OE,WE 414256 256K*4 DRAM A0?A8,D3?D0,OE,WE RAS,CAS 2186 8K*8 IRAM A0?12,D0?7,CE,OE,WE, RDY刷新檢測(cè) ,REFRE刷新選通 2864 8K*8 EEPROM A0?12,I/O0?7,CE,OE,WE 寫時(shí)自動(dòng)擦除 2732 4K*8 EPROM A0?11,O0?7,CE,OE/VPP 2764 8K*8 EPROM A0?12,O0?7,CE,PGM,OE/VPP 28F016SA 1M*16 FlashM A0?19,D0?15,CE0,CE1 OE,WE,WP,ReadY,3/5選電源 ,BYTE A0~14 I/O0~7 OE WE 62256 CS SRAM A0~12 I/O0~7 CE OE WE 2864 EEPROM A0~8 O0~3 OE RAS WE CAS 414256 DRAM A0~12 O0~7 CE PGM OE/VPP 2764 EPROM 芯片例 A0~12 D0~7 2186 OE WE CE IRAM A0~19 D0~15 3/5 CE0 WP OE RY WE CE1 BYTE 28F016SA Flash Mem 內(nèi)存條 SIMM 30線 (1—30)： VCC –CAS D0 A0 A1 D1 A2 A3 VSS D2 A4 A5 D3 A6 A7 D4 A8 NC(A9) NC(A10) D5 –WE VSS D6 NC D7 Q8 –RAS –CAS8 D8 VCC CAS， RAS， D0~8， A0~10， WE， Q8 內(nèi)存條 SIMM 72線 (1—72)： VSS D0 D18 D1 D19 D2 D20 D3 D21 VCC NC A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 NC D4 D22 D5 D23 D6 D24 D7 D25 A7 NC VCC A8 NC NC –RAS2 D26 D8 D17 D35 VSS –CAS0 –CAS2 –CAS3 CAS1 –RAS0 NC NC –WE NC D9 D27 D10 D28 D11 D29 D12 D30 D13 D31 VCC D32 D14 D33 D15 D34 D16 NC PD1 PD2 PD3 PD4 NC VSS PDi 存在檢測(cè) CAS0~3， RAS0， RAS2， D0~35， A0~8， WE， PD1~4 Q8 奇偶校驗(yàn)位輸出 （ 2） 與 CPU連接應(yīng)考慮的問(wèn)題 地址分配與選片 控制信號(hào)連接 時(shí)序配合 CPU總線負(fù)載能力 CPU直流負(fù)載能力為 1TTL, MOS直流負(fù)載小，主要為容性 例：建立一個(gè) 8086小系統(tǒng)的內(nèi)存區(qū)， RAM為 64KB， ROM為 8KB G1 G2A Y0 G2B C B A +5V A19 A18 A
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