array工藝技術(shù)基礎(chǔ)(編輯修改稿)
2025-06-03 18:03 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 gate active data VIA ITO DICD:177。 DICD:177。 DICD:177。 DICD:177。 DICD:177。 FICD:177。 FICD:177。 FICD:177。 FICD:177。 FICD:177。 Stitch: OL: OL: OL: OL: CD ?? B2 Project Team Etch Process Isotropic amp。 Anisotropic ? Isotropic(各向同性 ):指各 個(gè) 方向的刻 蝕 率是相同的 ,所有的 Wet Etch和部分 Plasma Etch為 Isotropic, Substrate Oxide Oxide Oxide Resist Resist Resist ? Anisotropic(各向 異 性 ):指一 個(gè) 方向的刻 蝕 ,刻 蝕 后的 內(nèi) 壁基本 為 垂直的 , Anisotropic只能通過 Plasma Etch Substrate Oxide Oxide Resist Resist Resist ?? B2 Project Team Wet Etch Gate,SD,ITO 刻蝕液種類及配比： H3PO4 : CH3COOH : HNO3: H2O = 72 : 10 : 2 : 16 wt% Al： 4AL + 2HNO3 → 2AL2O3 + N2 + H2 2H3PO4 + AL2O3 → 2AL(PO4) + 3H2O Nd: 4Nd + 2HNO3 → 2Nd2O3 + N2 + H2 2H3PO4 + Nd2O3 → 2Nd(PO4) + 3H2O Mo： 4Mo +2HNO3 → 2Mo2O3 + N2 + H2 2H3PO4 + Mo2O3 → 2Mo(PO4) + 3H2O 化學(xué)反應(yīng)式： 刻蝕液種類及配比： HCl : CH3COOH : H2O = 22 : 6 : 72 wt% 化學(xué)反應(yīng)式： InSnO： InSnO2 + 4HCL → InCl3+SnCl+2H2O ※ CH3COOH 緩 沖， 調(diào)節(jié)濃 度 , H2O減 少 ETCHANT粘性 ?? B2 Project Team Wet Etch Etch Process Rinsing Process Dry Process PR Mask后，利用化 學(xué)藥劑 去除薄膜形成的 Pattern，主要適用于金 屬 膜或 ITO Pattern的形成。 ?? B2 Project Team L/UL Chamber 連接真空和大氣壓的一個(gè)Chamber。 Glass進(jìn)入此Chamber以后， Valve關(guān)閉，開始抽真空。 M/L 將 L/UL Chamber中的Glass通過機(jī)械手送到反應(yīng)艙中，在此 Chamber中也要進(jìn)一步抽真空。 Process Chamber 利用 Plassma原理在反應(yīng)艙中通入反應(yīng)氣體，生成的反應(yīng)氣體粒子撞擊鍍膜表面，達(dá)到刻蝕的目的。 利用真空氣體和 RF Power 生成的 Gas Plasma反應(yīng)產(chǎn)生原子和原子團(tuán)，該原
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