array工藝技術(shù)基礎(chǔ)(已改無錯字)
2023-06-07 18:03:03 本頁面
【正文】 子和原子團(tuán)與淀積在基板上的物質(zhì)反應(yīng)生成揮發(fā)性物質(zhì)。利用該原理可進(jìn)行干法刻蝕。 Dry Etch ?? B2 Project Team Process Chamber結(jié)構(gòu)示意圖 相關(guān)部件 用途 RF Generator Radio Frequency Generator, 提供高 頻 能量 Matching Box 將 RF Generator產(chǎn)生的高頻波能量有效的傳給 chamber MFC Mass Flow Controller, 控制 Gas的流量 , 每種氣體對應(yīng)一個 MFC Chiller 調(diào)節(jié) Chamber壁的溫度 , 一般分三部分 : Top, Bottom, Wall CM 控制 Process Chamber的氣體壓力 , 根據(jù)控制壓力的不同可分為 : CM1和 CM2 APC Adaptive Pressure Controller, 控制管道的 開 口大小 , 以此 來 控制 Process Chamber壓 力 TMP And Dry Pump 抽真空的裝置 , TMP比 Dry Pump抽得更快 , 抽到的真空度大 Cut Off 三通口開關(guān) Chiller Plasma 上部電極 下部電極 Process Gas RF Generator Cut Off 慢抽管 Matching Box ?? B2 Project Team Dry Etch RF Power增大， Etch Profile有 變 小的 傾 向。 RF Power增大，整體的 E/R也增大。可用于改善 Uniformity效果。 RF Power越大， SiNx與 Mo的 Selectivity越小。 Pressure大的情 況 下化 學(xué) 反 應(yīng) 占 優(yōu)勢 ，因此 會 使 Profile也相 應(yīng)變 大。 Pressure增大， → 基板中心部分 E/R增大； → 周 邊 部分 E/R減 小。 Pressure增加， Selectivity增大（ ≥10）。 隨 著 Pressure增大， Uniformity也 會提高。 example50400 450Power Pressure301503065001000 0 50 3035 7050300 0 50505035050155001550VppACTVIAN+1890840148030004000Gas TempT B WO2HeCl2SF6?? B2 Project Team Wet Strip STRIP就是利用腐蝕液經(jīng)過化學(xué)反應(yīng)去掉膜上面的光刻膠?；瘜W(xué)反應(yīng)主要是把光刻膠的長鏈結(jié)構(gòu)斷開，從而達(dá)到去除的目的。 Work Contents： 一、今天的工作安排：1. 繼續(xù)追蹤ES Lot。2. 目前Photo工藝 Scan Speed不確 定及PR膠厚 度與之前Spec不同 的原因。3. 確定ITO Wet Etch的壓 力問題。二、今天的工作總結(jié)：1. 通過追蹤Run sheet得知 1月3日 Array 產(chǎn)線 新進(jìn)了1AAAE10001～ 0003三個 Lot，現(xiàn)在5Mask工 藝已經(jīng)做到了Gate Etch。1AAAEZ002 230在 到達(dá)Cell后已 經(jīng)
黨政相關(guān)相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1