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正文內(nèi)容

batio鐵電薄膜ppt課件(編輯修改稿)

2025-06-01 08:15 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡介】 檢測(cè) 樣品的電電學(xué)輸運(yùn)性質(zhì)測(cè)量 制備方法:溶膠-凝膠 (SolGel)、金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積 (MOCVD)、磁控濺射 (Magron Sputtering)、反應(yīng)蒸發(fā) (Reactive Vaporation)、分子束外延 (MBE)和脈沖激光沉積 (PLD)等制備方法。 MOCVD方法生長的鑭摻雜 BTO薄膜和鈮摻雜BTO薄膜。與塊體類似,他們存在臨界摻雜濃度。 直流電阻率和 seebeck系數(shù)的溫度特性。 ( PLD)制備不同摻雜濃度的BTO薄膜。沒有出現(xiàn)摻雜離子的臨界摻雜濃度。對(duì)氧分壓的高敏感性以及對(duì)制備環(huán)境的高真空要求。激光能量密度的影響。 樣品的結(jié)構(gòu)檢測(cè) ? 可采用原子力顯微鏡( AFM)、高分辨投射電鏡(HRTEM)、反射式高能電子
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