外延及cvd工藝ppt課件(編輯修改稿)
2025-05-25 22:58 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 L / m i n 3 m i n( 7) H2沖洗 ( 附面層 ) 2 60 L / m i n 1 m i n( 8) 外延生長 : H2: 26 0L / m i n S i C l4: ~7g / m i n P H3: 10 0P P M 。 5~ 8L / m i n T : 1 16 0~1 19 0 186。 C 。 時間隨品種而定( 9) H2沖洗 1 17 0 186。 C 1 m i n( 10 ) 降溫 6m i n( 1 1) N2沖洗 4m i n2022/5/26 13 三 . 外延中的摻雜 摻雜劑有 : : PH3， AsH3， BBr3， B2H6 2. 氯化物 : POCl3， AsCl3 2022/5/26 14 在外延層的電阻率還會受到下列三種因素的干擾 ?重摻雜襯底中的大量雜質(zhì)通過熱擴散方式進入外延層 ， 稱為 雜質(zhì)外擴散 。 ?襯底中的雜質(zhì)因揮發(fā)等而進入氣流 ， 然后重新返回外延層 ， 稱為 氣相自摻雜 。 ?氣源或外延系統(tǒng)中的污染雜質(zhì)進入外延 ，稱為 系統(tǒng)污染 。 2022/5/26 15 同型雜質(zhì) 異型雜質(zhì) 2022/5/26 16 四 . 外延層中的缺陷與檢測 1. 缺陷種類 : 位錯 。 b .襯底表面的析出雜質(zhì)或殘留的氧化物，吸附
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