【文章內(nèi)容簡介】 在可靠觸發(fā)區(qū)。門極參數(shù)a 晶閘管的門極伏安特性課程單元一 晶閘管特性及應(yīng)用《 電力電子技術(shù) 》 任務(wù)驅(qū)動 “教、學(xué)、作 ”一體化三、晶閘管的動態(tài)特性 開通過程關(guān)斷過程動態(tài)參數(shù) 課程單元一 晶閘管特性及應(yīng)用《 電力電子技術(shù) 》 任務(wù)驅(qū)動 “教、學(xué)、作 ”一體化開通過程延遲時間 td： 門極電流階躍時刻開始，到陽極電流上升到穩(wěn)態(tài)值的 10%的時間上升時間 tr： 陽極電流從 10%上升到穩(wěn)態(tài)值的 90%所需的時間開通時間 tgt以上兩者之和， tgt=td+ tr 普通晶閘管延遲時間為 ~?s， 上升時間為 ~3?s課程單元一 晶閘管特性及應(yīng)用《 電力電子技術(shù) 》 任務(wù)驅(qū)動 “教、學(xué)、作 ”一體化關(guān)斷過程正向阻斷恢復(fù)時間 tgr：晶閘管要恢復(fù)其對正向電壓的阻斷能力還需要一段時間反向阻斷恢復(fù)時間 trr：正向電流降為零到反向恢復(fù)電流衰減至接近于零的時間課程單元一 晶閘管特性及應(yīng)用《 電力電子技術(shù) 》 任務(wù)驅(qū)動 “教、學(xué)、作 ”一體化 在正向阻斷恢復(fù)時間內(nèi)如果重新對晶閘管施加正向電壓，晶閘管會重新正向?qū)ā? 實際應(yīng)用中，應(yīng)對晶閘管施加足夠長時間的反向電壓，使晶閘管充分恢復(fù)其對正向電壓的阻斷能力，電路才能可靠工作關(guān)斷時間 tq： trr與 tgr之和，即 tq=trr+tgr （16） 普通晶閘管的關(guān)斷時間約幾百微秒。課程單元一 晶閘管特性及應(yīng)用《 電力電子技術(shù) 》 任務(wù)驅(qū)動 “教、學(xué)、作 ”一體化動態(tài)損耗導(dǎo)通時器件上有一定的通態(tài)壓降，形成 通態(tài)損耗阻斷時器件上有微小的斷態(tài)漏電流流過，形成 斷態(tài)損耗這兩部分屬于靜態(tài)損耗課程單元一 晶閘管特性及應(yīng)用《 電力電子技術(shù) 》 任務(wù)驅(qū)動 “教、學(xué)、作 ”一體化開通損耗關(guān)斷損耗216。 在器件開通或關(guān)斷的轉(zhuǎn)換過程中產(chǎn)生 開通損耗和 關(guān)斷損耗 ，是動態(tài)損耗216。 還有 擴(kuò)展損耗和 過渡損耗 ，也是 動態(tài)損耗 課程單元一 晶閘管特性及應(yīng)用《 電力電子技術(shù) 》 任務(wù)驅(qū)動 “教、學(xué)、作 ”一體化216。 對某些器件來講，驅(qū)動電路向其注入的功率也是造成器件發(fā)熱的原因之一216。 通常電力電子器件的斷態(tài)漏電流極小，因而 通態(tài)損耗是器件功率損耗的主要成因216。 器件開關(guān)頻率較高時， 開關(guān)損耗 會隨之增大而可能成為器件功率損耗的主要因素 課程單元一 晶閘管特性及應(yīng)用《 電力電子技術(shù) 》 任務(wù)驅(qū)動 “教、學(xué)、作 ”一體化 167。 晶 閘 管的主要 參數(shù)一、電壓參數(shù)通常取晶閘管的 UDRM和URRM中較小的標(biāo)值作為該器件的 額定電壓 。選用時，一般取額定電壓為正常工作時晶閘管所承受峰值電壓 2~3倍。使用注意：斷態(tài)重復(fù)峰值電壓 UDRM—— 在門極斷路而結(jié)溫為額定值時，允許重復(fù)加在器件上的正向峰值電壓。反向重復(fù)峰值電壓 URRM—— 在門極斷路而結(jié)溫為額定值時，允許重復(fù)加在器件上的反向峰值電壓。額定電壓 UTn課程單元一 晶閘管特性及應(yīng)用《 電力電子技術(shù) 》 任務(wù)驅(qū)動 “教、學(xué)、作 ”一體化Um工作電路中夾在管子上的最大瞬時電壓值所以取 700~1000V的管子均可。相反過程也應(yīng)會計算。例：單相半波整流電路，電源電壓有效值為 220V，選擇晶閘管。晶閘管額定電壓的選擇課程單元一 晶閘管特性及應(yīng)用《 電力電子技術(shù) 》 任務(wù)驅(qū)動 “教、學(xué)、作 ”一體化通態(tài)平均電壓 UT(AV ) 在規(guī)定環(huán)境溫度、標(biāo)準(zhǔn)散熱條件下， 元件通以正弦半波額定電流時，陽極與陰極間電壓降的平均值，稱通態(tài)平均電壓 (又稱管壓降 )表 晶閘管通態(tài)平均電壓分組 組別 A B C通態(tài)平均電壓（ V） Ｕ T≤ ＜ Ｕ T ≤ ＜ Ｕ T ≤ 組別 D E F通態(tài)平均電壓（ V） ＜ Ｕ T ≤ ＜ Ｕ T ≤ ＜ Ｕ T ≤ 組別 G H I通態(tài)平均電壓（ V） ＜ Ｕ T ≤ ＜ Ｕ T ≤ ＜ Ｕ T ≤ 在實際使用中，從減小損耗和元件發(fā)熱來看，應(yīng)選擇 Ｕ T(AV) 小的晶閘管。課程單元一 晶閘管特性及應(yīng)用《 電力電子技術(shù) 》 任務(wù)驅(qū)動 “教、學(xué)、作 ”一體化二、電流參數(shù)通態(tài)平均電流 IT(AV)（額定電流） 晶閘管在環(huán)境溫度為 40?C和規(guī)定的冷卻狀態(tài)下，穩(wěn)定結(jié)溫不超過額定結(jié)溫時所允許流過的 最大工頻正弦半波電流 的平均值。 決定晶閘管容許電流大小的是溫度，即管芯 PN結(jié)的溫度。 造成發(fā)熱的原因是損耗。主要是 通態(tài)損耗 ，希望正向壓降小些；其次是斷態(tài)損耗，希望 IDRM和 IRRM小些；還有開關(guān)損耗，工作頻率要加以考慮；門極損耗通常較小。晶閘管正向電流愈大， 通態(tài)損耗 愈大 。 晶閘管額定電流以通態(tài)平均電流來標(biāo)定。課程單元一 晶閘管特性及應(yīng)用《 電力電子技術(shù) 》 任務(wù)驅(qū)動 “教、學(xué)、作 ”一體化電流平均值與電流有效值的比較電流平均值 ：各種直流分量（成分）的電流波形都有一個電流 平均值平均值計算方法：一個周期內(nèi)電流波形面積的 平均電流平均值是 直流電流表 的讀數(shù)值電流有效值 ： 各種直流分量（成分）的電流波形也有一個電流 有效值平均值計算方法：一個周期內(nèi)電流波形的 均方根電流有效值是 發(fā)熱成比例 關(guān)系有效值相等發(fā)熱相同電流波形不同，平均值和有效值的關(guān)系也不一樣。因此要進(jìn)行 換算 。課程單元一 晶閘管特性及應(yīng)用《 電力電子技術(shù) 》 任務(wù)驅(qū)動 “教、學(xué)、作 ”一體化電流平均值與電流有效值的計算以正弦半波為例有效值：平均值： 均方根波形系數(shù)：有效值平均值課程單元一 晶閘管特性及應(yīng)用《 電力電子技術(shù) 》 任務(wù)驅(qū)動 “教、學(xué)、作 ”一體化電流平均值與電流有效值的換算額定波形（正弦半波）條件下的電流有效值： I額定 = IT（ AV）某種波形的電流有效值： I =Kf Id有效值相等： Kf Id =（ AV）課程單元一 晶閘管特性及應(yīng)用《 電力電子技術(shù) 》 任務(wù)驅(qū)動 “教、學(xué)、作 ”一體化晶閘管額定電流的選擇IT（ AV） ：晶閘管的額定電流（通態(tài)平均電流）ITn：晶閘管額定有效電流（此值制造廠不提供）ITm：晶閘管所處電路中最大電流有效值I Tn= IT（ AV）ITn≥ITm不論流過管子波形如何、導(dǎo)通角多大，只要其最大電流有效值 ITn小于管子流過的最大有效電流 ITn ，散熱冷卻符合規(guī)定，則晶閘管的發(fā)熱與溫升就能限制在允許范圍內(nèi)注意事項：應(yīng)留一定的裕量，一般取 ～ 2倍 IT（ AV） =ITn≥（ ～ 2） ITm∴ IT（ AV） ≥（ ～ 2）課程單元一 晶閘管特性及應(yīng)用《 電力電子技術(shù) 》 任務(wù)驅(qū)動 “教、學(xué)、作 ”一體化計算中常用的積