【總結】摘 要與傳統(tǒng)的金屬互連材料Al相比,Cu具有更低的電阻率,更好的抗電遷徙性能和更高的熱傳導系數(shù)。采用Cu作為互連線材料可大大提高電路的運算速度與可靠性,銅已經(jīng)取代了鋁成為新一代的互連材料。但Cu在Si和Si的氧化物中擴散相當快,且Cu一旦進入其中即形成深能級雜質(zhì),對器件中的載流子具有很強的陷阱效應,使器件性能退化甚至失效。而要解決Cu擴散問題的
2025-06-22 18:24
【總結】河南理工大學萬方科技學院畢業(yè)論文摘要單分散交聯(lián)聚合物微球因其具有良好的耐熱和耐溶劑性能、力學性能、吸附性能以及表面活性,在生物醫(yī)藥、電子信息、分析化學、標準計量及環(huán)境保護等許多領域有著廣闊的應用前景,對其研究與開發(fā)受到越來越多的重視。本論文首先研究分散聚合法制備單分散交聯(lián)聚苯乙烯微球,采用種子溶脹法加工工藝,并選擇了合理的分散聚合體系,考察不同分散聚合參數(shù),諸
2025-06-27 13:16
【總結】河南理工大學萬方科技學院畢業(yè)論文I摘要單分散交聯(lián)聚合物微球因其具有良好的耐熱和耐溶劑性能、力學性能、吸附性能以及表面活性,在生物醫(yī)藥、電子信息、分析化學、標準計量及環(huán)境保護等許多領域有著廣闊的應用前景,對其研究與開發(fā)受到越來越多的重視。本論文首先研究分散聚合法制備單分散交聯(lián)聚苯乙烯微球,采用種子溶脹法加工工藝,并選擇了合
2025-07-03 11:20
【總結】應091-4組號:70郭增靜202221501413周學榮202221501448液晶高分子Liquidcrystalpolymermaterials1.液晶的發(fā)現(xiàn)液晶高分子材料什么是液晶高分子?高分子液晶是一種性能介于液體和晶體之間的一種有機高分
2025-01-13 07:46
【總結】本科畢業(yè)論文(設計、創(chuàng)作)題目:對羧基苯硼酸-明膠納米微球制備及抗腫瘤療效研究題目類別:□√論文□設計□創(chuàng)作學生姓名:XXX學號:XXXXXXX所在院系:生命科學學院專業(yè):生物技術
2025-06-05 18:53
【總結】知識改變命運,學習成就未來!知識改變命運,學習成就未來!鯊魚皮泳衣輕便賽車知識改變命運,學習成就未來!波音757AV8B鷂式飛機知識改變命運,學習成就未來!內(nèi)容概要?功能高分子材料簡介?幾種類型的高分子材料導電高分子可
2025-01-01 03:50
【總結】(2012屆)題目掃描電鏡在材料測試表征中的應用研究掃描電鏡在材料表征中的應用研究摘要:電子顯微技術是材料表征的重要技術手段之一,其中掃描電子顯微鏡(簡稱SEM)由于具有應用范圍廣、樣品制備簡單、圖像景深大等優(yōu)點,因而在材料表征中發(fā)揮著越來越重要的作用。本文在介紹掃描電子電鏡的發(fā)展歷史、電子光學原理、掃描電鏡樣品的物理信號、掃描電鏡的結構及
2025-06-24 03:48
【總結】本科課程論文論文題目淀粉膠的現(xiàn)狀及應用課程名稱精細高分子化工及應用姓名學號
2025-06-07 02:14
【總結】第一篇:法學本科畢業(yè)論文參考選題方向 法學本科畢業(yè)論文參考選題(民事訴訟法學) ...
2024-10-17 23:34
【總結】高分子科學導論高分子的合成與化學性能Polymersynthesisandchemicalproperties董銳Introductiontopolymerscience第一講高分子科學導論PolymerScienceStructureMonomerSynthesizePolymerChara
2025-05-02 06:53
【總結】內(nèi)蒙古科技大學本科生畢業(yè)論文題目:不同沉淀劑水熱合成Ni(OH)2及其表征學生姓名:學號:202166115322專業(yè):化學工程與工藝班
2024-12-04 09:54
【總結】大學物理當代物理前沿專題高分子材料導論課程論文班級:物13本1學號:1205210113姓名:高旭2021年6月30日2導電高分子材料摘要長期以來,高分子材料由于具有良好的機械性能,作為結構材料得到廣泛的
2025-06-04 20:44
【總結】學號:3090313212題目類型:論文(設計、論文、報告)桂林理工大學GUILINUNIVERSITYOFTECHNOLOGY本科畢業(yè)設計(論文)題目:松香基二元磁性聚合物微球的制備及表征
2025-06-19 18:56
【總結】分類號密級UDC編號本科畢業(yè)論文(設計)題目基于JavaEE的微博平臺設計院系
2025-07-07 19:19
【總結】磁控濺射法制備Cu膜摘要沉積速率高、基材溫升低的磁控濺射工藝,已經(jīng)成為半導體集成電路金屬化工藝的主流。本文重點對在硅晶圓上濺射金屬銅薄膜的實際鍍膜過程中的淀積速率進行了理論和實驗研究。結果表明淀積速率隨工作氣壓的增大先增大后減??;隨著溫度增大而減小,但均勻性增強;當入射離子的能量超過濺射閾值時,淀積速率隨著濺射功率的增加先增加后下降;同時還討論了濺射功率、淀積時間對膜厚和膜質(zhì)
2025-06-27 16:07