半導(dǎo)體物理習(xí)題解答(編輯修改稿)
2025-02-10 18:50 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 ∴(1) ND=1014cm3，99%電離，即D_=199%=即：將ND=1017cm3，D_=：即：(2) 90%時，D_= 即：ND=1017cm3得：即：；(3) 50％電離不能再用上式∵即：∴即：取對數(shù)后得：整理得下式： ∴ 即：當(dāng)ND＝1014cm3時，得當(dāng)ND＝1017cm3時此對數(shù)方程可用圖解法或迭代法解出。[畢]3－14．（P82）計(jì)算含有施主雜質(zhì)濃度ND＝91016cm3的硅在300k時的電子和空穴濃度以及費(fèi)米能級的位置。[解]對于硅材料：ND=91015cm3；NA＝1016cm3；T＝300k時 ni=1010cm3：；∵且∴∴[畢]3－18．（P82）摻磷的n型硅，求室溫下雜質(zhì)一般電離時費(fèi)米能級的位置和磷的濃度。[解]n型硅，△ED＝，依題意得：∴∴∴∵∴[畢]3－19．（P82）求室溫下?lián)戒R的n型硅，使EF＝(EC＋ED)/2時的銻的濃度。[解]由可知，EFED，∵EF標(biāo)志電子的填充水平，故ED上幾乎全被電子占據(jù)，又∵在室溫下，故此n型Si應(yīng)為高摻雜，而且已經(jīng)簡并了?！呒?；故此n型Si應(yīng)為弱簡并情況?！唷嗥渲衃畢]3－20．（P82）制造晶體管一般是在高雜質(zhì)濃度的n型襯底上外延一層n型的外延層，再在外延層中擴(kuò)散硼、磷而成。①設(shè)
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