mos結構基礎ppt課件(編輯修改稿)
2025-02-10 07:18 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 ?F ?s2 ?F ★ ★ 結 論 n型 (?F0) ?s ACC(積累） DEPL（耗盡） INV（反型） 0 2 ?F 0 ACC(積累） DEPL（耗盡） INV（反型） P型 (?F0) 2 ?F 平帶 耗盡 反型過渡點 ?s 靜電特性 定量公式 ? 1半導體靜電特性的定量描述 目標： 建立在靜態(tài)偏置條件下，理想 MOS電容內(nèi)部 的電荷 ?，電場 E和電勢 ? 金 屬 ： MO界面電荷分布在金屬表面 幾 197。范圍內(nèi) ?=δ， E=0 ， ?=常數(shù) 絕緣體 ： ?=0， E=Eox ， Δ?=Eoxx0 半導體 ：體內(nèi) E=0處 ?=0 ?= ?（ 0） E=0 （ x0) ?=0 (x0) ?耗盡近似解 半導體中積累 以 p型半導體為例 MOS電容的半導體中電荷密度和電勢的精確解 ? 半導體中耗盡層寬度 耗盡層中的電荷密度 泊松方程 電 場 電勢 表面勢 x=W處， E（ W)=0, ?(W)=0 邊界條件 耗盡層寬度和表面勢的關系 最大耗盡層寬度 柵電壓關系 目標 ： 建立柵電壓 VG與半導體的表面勢 ?s二者的定量關系 ? 外加柵電壓 VG，部分降落在半導體中， 部分降落在 SiO2層中 ? VG=Δ?semi+Δ?ox ? Δ?semi=?(0)?(w)=?s0= ?s ? VG=?s+ Δ?ox 轉化為確定 Δ?ox與 ?s的關系 目標： 確定 SiO2中的電勢差 Δ?ox 理想 SiO2中： ?=0 泊松方程： x0為 SiO2的厚度 目標： 利用邊界條件把 SiO2中的電場和半導體中的電場聯(lián)系起來 根據(jù)理想假設，在 OS界面處無電荷， QOS=0 soOSSG xKKV ?? ??2102100200)2()2(2ssASASSASSASsAsKqNqNKKqNWKqNWKqN??????????????ssAoOSSG KqNxKKV ???02??圖 導體表面勢的關系 結論 ： 積累和反型時， ?s的很小變化需要較大的柵壓變化。 耗盡時， ?s隨 VG變化很快。 反型 積累 耗盡 電容 電壓特性 ? MOS中無直流電流流過，所以 MOS電容中最重要的特性就是 CV特性，把理想 CV特性曲線和實測 CV曲線比較，可以判斷實際 MOS電容與理想情況的偏差。而且在 MOS器件制備中， MOS電容的 CV特性檢測也常作為一種常規(guī)的工藝檢測手段。 ? 本節(jié)的目標討論低頻、高
教學課件相關推薦
鄂ICP備17016276號-1