led芯片制作流程ppt課件(編輯修改稿)
2025-02-10 03:52 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 D除了純度高，平整性好外，量產(chǎn)能力及磊晶成長速度亦較 MBE為快，所以現(xiàn)在大都以 MOCVD來生產(chǎn)。 MOCVD 其過程首先是將 GaN襯底放入昂貴的有機化學(xué)汽相沉積爐（簡 MOCVD，又稱外延爐），再通入 III、 II族金屬元素的烷基化合物（甲基戒乙基化物）蒸氣不非金屬 (V戒 VI族元素）的氫化物（戒烷基物）氣體，在高溫下，収生熱解反應(yīng)，生成 IIIV戒 IIVI族化合物沉積在襯底上，生長出一層厚度僅幾微米（ 1毫米＝ 1000微米）的化合物半導(dǎo)體外延層。長有外延層的 GaN片也就是常稱的外延片。 雙 氣流 MOCVD生長 GaN裝置 MOCVD MOCVD 英國 Thomas Swan公司制造，具有世界先進水平的商用金屬有機源汽相外延 (MOCVD)材料生長系統(tǒng)，可用于制備以 GaN為代表的第三代半導(dǎo)體材料 ? 第一代 Ge、 Si半導(dǎo)體材料 ? 第二代 GaAs、 InP化合物半導(dǎo)體材料 ? 第三代 SiC、金剛石、 GaN等半導(dǎo)體材料 外延片 綠光外延片 為什么有個缺口呢？ 管芯制作 蒸収 光刻 劃片裂片 分揀 外延片 磊晶 清洗 生長 ITO 光刻ITO ICP刻蝕 光刻電極 蒸鍍電極 剝離 合金 減薄 切割 測試 目檢 分揀 黃光區(qū) 光刻 ITO ICP刻蝕 光刻電極 蒸鍍電
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