led芯片制程(編輯修改稿)
2025-01-19 01:06 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 干法去膠，等離子去膠和紫外光分解去膠。15刻蝕光刻膠刻蝕技術(shù)濕法干法化學(xué)刻蝕電解刻蝕離子束濺射刻蝕（物理作用）等離子體刻蝕（化學(xué)作用）反應(yīng)離子刻蝕（物理化學(xué)作用）16去膠強氧化劑或等離子體光刻膠濕法去膠：非金屬用濃硫酸去膠，金屬用有機溶劑去膠。干法去膠：等離子去膠和紫外光分解去膠。17P區(qū)透明導(dǎo)電層氧化銦錫氧化銦錫 (ITO)主要的特性是其電學(xué)傳導(dǎo)和光學(xué)透明的組合。氧化銦錫薄膜最通常是用電子束蒸發(fā)、物理氣相沉積、或者一些濺射沉積技術(shù)的方法沉積到表面。 光刻膠刻蝕 去膠18N電極光刻光刻膠19N電極蒸發(fā)金屬分子歐姆接觸電極的方法主要有 :(1)液體金屬法 。(2)燒滲合金法 。 (3)化學(xué)鍍鎳法 。(4)噴涂法 。 (5)物理蒸發(fā)法。剝離20N退火N2退火 → 將工件加熱到適當(dāng)溫度，根據(jù)材料和工件尺寸采用不同的保溫時間，然后進(jìn)行緩慢冷卻 (冷卻速度很慢 )，目的是使材料內(nèi)部組織達(dá)到或接近平衡狀態(tài)，獲得良好的工藝性能和使用性能。21P壓焊點光刻P壓焊點的制作壓焊點蒸發(fā)P壓焊點剝離22鈍化層沉積為了使芯片的有效壽命趨于體壽命，我們要盡量減少表面壽命的影響，為此我們使用表面鈍化的方法，通常的鈍化方法有熱處理，化學(xué)鈍化以及硅片表面電荷沉積等方法。23鈍化層光刻24鈍化層刻蝕25鈍化層去膠26檢驗27減薄28劃片29裂片30167。 劃片 ,裂片工作流程圖劃片前晶片背面劃片后背面劃片后 ,側(cè)視圖裂片后 ,側(cè)
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