波譜學(xué)核磁部分(本科)【精品(編輯修改稿)
2025-02-08 15:27 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 的結(jié)構(gòu)。 C H 3 C H 3C H 3C H 3S i 6010??????? T M S試樣化 學(xué) 位 移試 樣 的 共 振 頻 率 標(biāo) 準(zhǔn) 物 質(zhì) T M S 的 共 振 頻 率感 生 磁 場 H 39。非 常 小 ， 只 有外 加 磁 場 的 百 萬 分 之 幾 ，為 方 便 起 見 ， 故 1 0 6零點(diǎn) 1 2 3 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ? TMS 低場 高場 為什么選用 TMS(四甲基硅烷 )作為標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì) ? (1)找一個(gè)受屏蔽效應(yīng)最大的化合物，即找一個(gè)最高場的化合物做標(biāo)準(zhǔn) 。 四甲基硅烷屏蔽效應(yīng) ↑ ，共振信號(hào)在高場區(qū)（ δ值規(guī)定為 0），絕大多數(shù)吸收峰均出現(xiàn)在它的左邊。 ∵ Si—C 電負(fù)性不同 CH3 ↑ CH3← Si→ CH3 ↓ CH3 C的吸電子性強(qiáng)，電子密度大， CH3中的三個(gè) H電子密度也最大。 4個(gè) CH3共 12個(gè) H，吸收很強(qiáng)。 ∴ 峰最高。 (2)結(jié)構(gòu)對稱，是一個(gè)單峰。 (3)容易回收（ ），與樣品不締合。 —— 信號(hào)數(shù)目 ( 等性質(zhì)子與不等性質(zhì)子 ) 核磁共振譜的 信號(hào)數(shù)目 = 質(zhì)子種類數(shù)目 質(zhì)子所處的 化學(xué)環(huán)境相同 —— 等性質(zhì)子 —— 只得出 一種信號(hào) (即具有相同化學(xué)位移值 δ) 質(zhì)子所處的 化學(xué)環(huán)境不相同 —— 不等性質(zhì)子 —— 產(chǎn)生 不同的信號(hào) (即具有不同的化學(xué)位移值 δ) 化學(xué)位移表示的結(jié)構(gòu)信息 如： ① 只有一種質(zhì)子化合物 —— 在 NMR只給出 一個(gè)峰 (一種信號(hào) ) H H H H H H CH3CCH3 = O CH3CH3 CH2 CH2 CH2 ② 有兩種不等性質(zhì)子化合物 ③ 有三種不等性質(zhì)子化合物 ④ 有四種不等性質(zhì)子化合物 CH3CH2COCH2CH3 = O CH3COCH3 = O CH3 CH3CH2OCH2CH3 C=C H H CH3 CH3 C=C H H Cl H CH3CH2COCH3 = O CH3 OCH3 CH3 H H H H H 3. 化學(xué)位移的表示方法 不同化學(xué)環(huán)境的 H核，受到不同程度的屏蔽效應(yīng)的影響，因而吸收峰出現(xiàn)在核磁共振譜的不同位置上， 用來表示這種不同位置的量稱為化學(xué)位移。 化學(xué)位移的差別約為百萬分之十，精確測量十分困難，現(xiàn)采用相對數(shù)值。以四甲基硅（ TMS）為標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)，規(guī)定：它的化學(xué)位移為零，然后，根據(jù)其它吸收峰與零點(diǎn)的相對距離來確定它們的化學(xué)位移值。 化學(xué)位移 不同可用來鑒別或測定 有機(jī)化合物的結(jié)構(gòu)。 C H 3 C H 3C H 3C H 3S i 6010??????? T M S試樣化 學(xué) 位 移試 樣 的 共 振 頻 率 標(biāo) 準(zhǔn) 物 質(zhì) T M S 的 共 振 頻 率感 生 磁 場 H 39。非 常 小 ， 只 有外 加 磁 場 的 百 萬 分 之 幾 ，為 方 便 起 見 ， 故 1 0 6零點(diǎn) 1 2 3 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ? TMS 低場 高場 為什么選用 TMS(四甲基硅烷 )作為標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì) ? (1)找一個(gè)受屏蔽效應(yīng)最大的化合物，即找一個(gè)最高場的化合物做標(biāo)準(zhǔn) 。 四甲基硅烷屏蔽效應(yīng) ↑ ，共振信號(hào)在高場區(qū)（ δ值規(guī)定為 0），絕大多數(shù)吸收峰均出現(xiàn)在它的左邊。 ∵ Si—C 電負(fù)性不同 CH3 ↑ CH3← Si→ CH3 ↓ CH3 C的吸電子性強(qiáng)，電子密度大， CH3中的三個(gè) H電子密度也最大。 4個(gè) CH3共 12個(gè) H，吸收很強(qiáng)。 ∴ 峰最高。 (2)結(jié)構(gòu)對稱，是一個(gè)單峰。 (3)容易回收（ ），與樣品不締合。 影響化學(xué)位移的因素 ① 電負(fù)性的影響 a) 對于 CH3— X型分子 ， X電負(fù)性 ↑， 則 H 的 δ值 ↑(向低場 ) 化合物 CH3F CH3Cl CH3Br CH3I 電負(fù)性 F= Cl= Br= I= δ: 化合物 CH3 CH3 CH3NH2 CH3OH CH3F 電負(fù)性 C= N= O= F= δ: b) 連接電負(fù)性基團(tuán)數(shù)目 ↑，則 δ值 ↑ 化合物 CHCl3 CH2Cl2 CH3Cl δ: c) δ值 隨著 H原子與電負(fù)性基團(tuán)距離 增大 而 減小 化合物 BrCH2CH2CH3 BrCH2CH2CH3 BrCH2CH2CH3 δ: CH aH b高 場低 場屏 蔽 效 應(yīng)
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