cb生產(chǎn)流程培訓(xùn)教材(編輯修改稿)
2025-02-07 15:08 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 Exposure) 顯影 (Developing) QC檢查 (QC Inspection) 完成干膜 (Finished Dry Film) 下工序 (Next Process) 16 流程說明 經(jīng)磨板粗化后的內(nèi)層銅板，經(jīng)磨板干燥、貼上干膜后，用紫外線曝光。曝光后的干膜變硬，遇弱堿不能溶解，遇強(qiáng)堿能溶解，而未曝光部分遇弱堿就溶解掉，內(nèi)層線路就是利用該物料特性將圖形轉(zhuǎn)移到銅面上來。 線路圖形對(duì)溫濕的條件要求較高。一般要求溫度 22177。 3 ℃ 、 濕度 55177。 10%，以防止菲林的變形。對(duì)空氣中的塵埃度要求高 , 隨制作的線路密度增大及線路越小，含塵量 ≤ 1萬級(jí)以下。 控制要點(diǎn) A、 磨板： 磨板速度（ ）、 水膜實(shí)驗(yàn)、烘干溫度（ 8090℃ ） 磨痕寬度 （ 500針?biāo)⒛ズ蹖挾?:814mm 800不織布磨痕寬度 :816mm） B、 貼膜：貼膜速度 （ 177。 ） 、 貼膜壓力 （ 5177。 1kg/cm2） 、 貼膜溫度 （ 110177。 10℃ ） 、 出板溫度 （ 4060℃ ） C、 濕膜涂布：油墨粘度 、 涂布速度 、 涂布厚度 、 預(yù)烤時(shí)間 /溫度 （ 第一面 510分鐘 第二面 1020分鐘 ） D、 曝光：對(duì)位精度 、 曝光能量 、 曝光光尺 （ 68級(jí)蓋膜 ） 、 停留時(shí)間 E、 顯影：顯影速度 （ ） 、 顯影溫度 （ 30177。 2℃ ） 、 顯影壓力 （ ） 、 顯影液濃度 （ N2CO3濃度 %） 常見問題 線路開短 /路、線路缺口、干膜碎、偏位、線幼 17 、圖形電鍍 amp。蝕刻 (Pattern Platingamp。Etching) QC檢查 (QC Inspection ) 圖形電鍍 (Pattern Plating ) 待蝕刻 (Finished Plating ) 退膜 (Peeling Dryfilm ) 蝕刻 (Etching ) 褪錫 (Removing Tin ) 完成蝕刻（半成品） (Finished Etching ) 干膜板 (Finished Dryfilm ) 下工序 (Next Process) 18 鍍銅 ： 圖形電鍍銅在圖形轉(zhuǎn)移后，通過電鍍的方式對(duì)孔內(nèi)及線路進(jìn)行電鍍處理，滿足客戶對(duì) 孔內(nèi)及線路的銅厚要求 ,保證其優(yōu)良的導(dǎo)電性； 鍍錫 ：為堿性蝕刻提供抗蝕保護(hù)層 ,以保證堿性蝕刻后形成良好的線路； 鍍鎳 ：鍍鎳層作為中間層起著金、銅之間的阻擋層的作用，它可以阻止金銅間的相互擴(kuò)散和 阻礙銅穿透到金表面，確保鍍金層的平整性及硬度； 鍍金 ：鍍金層是堿性蝕刻度的保護(hù)層，也可作為客戶焊接和邦線的最終表面鍍層，具有優(yōu)良 的導(dǎo)電性及抗化學(xué)浸蝕能力； 全板電鍍銅流程 ：上板 → 除油 → 兩級(jí)水洗 → 浸酸 → 鍍銅 → 水洗 → 出板 → 退鍍 → 水洗 圖形電鍍銅錫流程 ：上板 → 除油 → 兩級(jí)水洗 → 微蝕 → 兩級(jí)水洗 → 浸酸 → 鍍銅 → 兩級(jí)水洗 → 浸酸 → 鍍錫 → 兩級(jí)水洗 → 出板 → 退鍍 → 水洗； 鍍銅鎳金板 ：前工序來料 → 上板 → 除油 → 二級(jí)逆流水洗 → 微蝕 → 二級(jí)逆流水洗 → 酸洗 → 電鍍銅 → 二級(jí)逆流水洗 → 酸洗 → 二級(jí)逆流水洗 → 電鍍鎳 → 鎳缸回收水洗 → 二級(jí)逆流水洗 → 二級(jí)逆流水洗 → DI水洗 → 電鍍金 → 三級(jí)回收水洗 → DI水洗 19 控制要點(diǎn) 電鍍銅 ：銅缸成份 :5565g/L H2SO4 110130ml/L CL 4070ppm 溫度 25177。 2℃ 鍍 錫 ：錫缸成份 SnSO4 3545g/L H2SO4 90110ml/L 溫度 20177。 2℃ 鍍 鎳 ：鎳缸成份 Ni2+ 6575g/L, NiCl26H2O 1020g/L, H3BO3 3555g/L, PH 溫度 4555℃ 鍍 金 ：金缸成份 Au 溫度 40℃ 常見問題 孔銅不足 銅厚不均勻 孔小 金面發(fā)白 甩鍍層 20 蝕刻 通常采用正片電鍍方式 ， 鍍錫 /鎳金層覆蓋電路圖形的表面防止銅蝕刻；其它干膜 /濕 膜覆蓋在基板上不要的銅以化學(xué)反應(yīng)方式將予以除去 ， 使其形成所需要的線路圖形 。 線路 圖形蝕刻前以 氫氧化鈉溶液退 干膜 /濕膜生產(chǎn) 。 控制要點(diǎn) A、 蝕刻：速度 、 溫度 （ 4852℃ ） 壓力 （ ） B、 退膜： 4454℃ 812%NaOH溶液 蝕刻不凈、蝕刻過度 21 、阻焊 (Soldermask) 預(yù)烘 (Preheating) 絲印阻焊 (Printing Soldermask) 對(duì)位 (Registration) 曝光
教學(xué)教案相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1