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正文內(nèi)容

ecvd工藝培訓(xùn)ppt課件(編輯修改稿)

2025-02-06 15:32 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡介】 減少光的反射 :良好的折射率和厚度可以促進太陽光的吸收。 防氧化 :結(jié)構(gòu)致密保證硅片不被氧化。 U型槽 U型槽 NH3入口 Si3H4入口 特氣管 石英管,及導(dǎo)電銅管 等離子源 U型槽截面圖 石墨載板 石英管 磁體 銅管 氨氣入口 高密度等離子區(qū) 硅烷入口 硅片 PECVD檢測 介紹 目前我們使用為 SENTECH的 SE 400adv PV 激光橢偏儀 測量: 對太陽能電池采用不同的測試樣品臺。其中金字塔絨面單晶硅電池采用傾斜樣品臺測試, 其他絨面的單晶硅和多晶硅電池采用水平固定樣品臺測試。 選擇預(yù)選設(shè)定的 針對太陽能電池的 Recipe,并點擊 “Measure” 按鈕后開始運行測量。當次測量結(jié)果顯示在軟件右上位置。在 Protocol中關(guān)注 deg of polarization(偏振角度)值要 大于 。 操作流程及注意事項 本文規(guī)定了 C2 PECVD工序的基本操作
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