《ecvd工藝培訓(xùn)》ppt課件-預(yù)覽頁
【正文】 8 5*9=45 PECVD： Plasma Enhance Chemical Vapour Deposition（等離子 增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積 ） 等離子體：氣體在一定條件下受到高能激發(fā)，發(fā)生電離，部分外層電子脫落原子核，形成電子、正離子和中性粒子混合物組成的一種形態(tài)，這種形態(tài)就稱為等離子態(tài)。除了 Si和 N，PECVD的氮化硅一般還包含一定比例的氫原子，即 SixNyHz或 SiNx:H。其中金字塔絨面單晶硅電池采用傾斜樣品臺(tái)測(cè)試， 其他絨面的單晶硅和多晶硅電池采用水平固定樣品臺(tái)測(cè)試。 操作流程及注意事項(xiàng) 本文規(guī)定了 C2 PECVD工序的基本操作流程。 操作流程 在 Roth＆ Rau操作界面上，進(jìn)入 OP操作界面，點(diǎn)擊“控制”，選擇設(shè)定的工藝，啟動(dòng)工藝。并確保 PSG后硅片產(chǎn)出一小時(shí)內(nèi)進(jìn)入 PECVD鍍膜。 PM事項(xiàng) PM或開腔體之后需將載板空跑一輪后方可生產(chǎn)，空運(yùn)行期間由工藝人員調(diào)整工藝。 材料： PSG后硅片 PSG后硅片方向，確保擴(kuò)散面向下。 任何人未經(jīng)允許不得更改工藝
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