ecvd工藝培訓ppt課件(完整版)
【正文】 塵口罩，衣著標準嚴格按照 6S執(zhí)行，不得穿著工作服在車間外活動，進入車間必須走風淋室。 防氧化 :結構致密保證硅片不被氧化。RAU PECVD設備有 三個腔體，分別是上料腔，工藝腔（包括預熱、沉積和冷卻三部分）和下料腔。但是 PECVD沉積氮化硅的化學計量比會隨工藝不同而變化， Si/N變化的范圍在 。在 Protocol中關注 deg of polarization（偏振角度）值要 大于 。啟動上下料設備，進入自動狀態(tài)，進行生產。Rau 、橢偏儀 工具： Schmid花籃、 Baccini花籃、石墨板。 謝謝 。 ，至少預熱一輪。 鍍膜檢測：硅片鍍膜之后，選取石墨板規(guī)定位置的硅片檢驗膜厚與折射率。 本規(guī)定適用于 C2 PECVD工序。 其物理性質和化學性質： 結構致密，硬度大 能抵御堿金屬離子的侵蝕 介電強度高 耐濕性好 耐一般的酸堿，除 HF和熱 H3PO4 SiNx的優(yōu)點： 優(yōu)良的表面鈍化效果
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