《ecvd工藝培訓(xùn)》ppt課件(文件)
【正文】 （ 2）監(jiān)控范圍： 膜厚：目標(biāo) 85nm，控制上下限范圍 3nm，規(guī)格上下限范圍 5nm；折射率： 目標(biāo) ，控制上下限范圍 規(guī)格上下限范圍 （ 3）監(jiān)控頻率： 5片 /板 5點(diǎn) /片 （ 4）量測(cè)方法：下料時(shí)取規(guī)定板號(hào)規(guī)定位置硅片用橢偏儀測(cè)量其膜厚和折射率。 ，至少預(yù)熱一輪。 ，先做 1板硅片進(jìn)行跟蹤，如果膜厚折射率異常，及時(shí)通知工藝人員進(jìn)行調(diào)整，異常消除后方可生產(chǎn)。 鍍膜檢測(cè)：硅片鍍膜之后，選取石墨板規(guī)定位置的硅片檢驗(yàn)?zāi)ず衽c折射率。等到等離子源全部啟動(dòng)之后，對(duì)石墨板預(yù)熱至少一輪之后，進(jìn)行生產(chǎn)。 本規(guī)定適用于 C2 PECVD工序。 選擇預(yù)選設(shè)定的 針對(duì)太陽(yáng)能電池的 Recipe，并點(diǎn)擊 “Measure” 按鈕后開(kāi)始運(yùn)行測(cè)量。 其物理性質(zhì)和化學(xué)性質(zhì)： 結(jié)構(gòu)致密，硬度大 能抵御堿金屬離子的侵蝕 介電強(qiáng)度高 耐濕性好 耐一般的酸堿，除 HF和熱 H3PO4 SiNx的優(yōu)點(diǎn)： 優(yōu)良的表面鈍化效果
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