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正文內(nèi)容

核醫(yī)學(xué)放射性測量ppt課件(編輯修改稿)

2025-01-31 17:45 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡介】 標(biāo) A (Nb+Ns) (Nb) 樣品計數(shù) = E% ?三次測量條件應(yīng)嚴(yán)格一致 ?標(biāo)準(zhǔn)源本身無淬滅 ?標(biāo)準(zhǔn)源引起的容積改變忽略不計 ?標(biāo)準(zhǔn)源與標(biāo)記核素能譜相同或相近 內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)法要求 設(shè)備簡單,適用于各種均相和乳狀液測量 優(yōu)點 缺點 標(biāo)準(zhǔn)源用量大,放廢多,需測 23次,不能自動化;加標(biāo)準(zhǔn)源后樣品不能重復(fù)測量。 樣品道比法 得出道比值 A/A+B,算出 A+B道中的計數(shù) , 求其效率 . 優(yōu)點 : 樣品中不需再加標(biāo)準(zhǔn)源 , 只在標(biāo)準(zhǔn)淬滅曲線內(nèi)加 , 不會破壞樣品 , 該樣品還可重復(fù)測量 。 對儀器要求不高 , 可自動化 缺點:只適用于活度高的標(biāo)記品 , 而生物樣品多數(shù)活度低 。 無淬滅譜淬滅譜計數(shù)率A道+B道B道A道能量●●●●●●●● 探 測 效 率( E )道比值(R) 缺點: 產(chǎn)生康譜頓電子與靶物質(zhì)的有效原子序數(shù)有關(guān) ,受物質(zhì)種類影響 。 受樣品體積的影響 , 樣品太少 , γ 線不易透入 。 幾何位置的影響 , γ 射線的強度與距離 。 曲線范圍較窄 。 ( 已很少用了 ) 外標(biāo)準(zhǔn)道比法( ESCR) 引入外標(biāo)準(zhǔn)源如: 226Ra 137Cs 不用再加內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)源 , 制備一系列標(biāo)準(zhǔn)淬滅源樣品 , 外標(biāo)準(zhǔn)源 r計數(shù)高 ,統(tǒng)計效果好 , 也較簡單 。 外標(biāo)準(zhǔn)道比法( ESCR) 優(yōu)點: 用 2個外標(biāo)準(zhǔn)道比值 , 這樣不管位置 , 活度 , 體積變化如何 , 但它們的比值幾乎不變 , 克服了誤差 。 顏色淬滅不嚴(yán)重時 , 可與化學(xué)淬滅共同一條曲線 , 不同溶質(zhì) , 溶劑的影響可忽略不計 。 缺點: 淬滅重時 , 譜左移重 , B道可能無計數(shù) , 所以曲線范圍仍不夠?qū)?。 CpmB— BGB 道比值 R= CpmA— BGA 道比值只反應(yīng)相對淬滅程度 , 不同的儀器道比值不能比較 。 壁效應(yīng):閃爍注滲入杯壁中 → 塑料閃爍體 → 當(dāng)外 r照射時可能產(chǎn)生低能光子 。 當(dāng)計算機引入液閃后 , 1977年Horrocks在外標(biāo)準(zhǔn)源淬滅校正的基礎(chǔ)上提出了解 H法 H原理:數(shù)學(xué)問題較深 , 只做一些解釋 , 學(xué)會使用 。 H 數(shù) 法 優(yōu) 點 H是唯一的,所以不同實驗室可以比較。 不受儀器性能變化的影響,如 PMT老化,電力不足。 不受壁效應(yīng)影響:壁效應(yīng)影響在低能,但 H 的拐點在高能邊上,一次性塑料杯。 淬滅校正的動態(tài)范圍較大。 與爍液及樣品無關(guān),共享一條淬滅曲線。 缺 點 微機掃描康譜頓邊緣拐點采用狹道監(jiān)測 , 計數(shù)率低 , 解決這一矛盾就是用高活度的 r源 。 H的精度受到 Compton邊緣定位精度的限制 , 誤差大 。 必須配合微機及專用軟件 , 需配備千道以上的 PHA。 樣品譜淬滅指示參數(shù)( SI) SCR: 樣品道比 SIS( 樣品譜指數(shù) ) :整個樣品譜指數(shù)積分 。 SQP( I) 同位素譜淬滅參數(shù) , 找譜分布之重心 , 加權(quán)平均脈沖幅度 。 外標(biāo)準(zhǔn)譜淬滅指標(biāo)參數(shù) ( SIE) ESCR: 外標(biāo)準(zhǔn)道比 H: SIE外標(biāo)準(zhǔn)譜指數(shù) , 計算 pton譜平均能量 。 TSIE外標(biāo)準(zhǔn)轉(zhuǎn)換譜指數(shù) , 從高能向低能反向積分 SQp(E)外標(biāo)準(zhǔn)譜淬滅參數(shù) , 加權(quán)外標(biāo)準(zhǔn)譜端點 。 利用譜的部分特征做淬滅參數(shù) SCR ESR H SQP( E) 利用全譜特征做淬滅參數(shù) SIS SIE SQP( I) tSIE 淬滅劑擴散法,也叫單瓶一次法 LKB 1215/1216以上機型有此功能,叫 “ 戴幅特技 ” 。 HotTrick裝置 優(yōu)點:改進(jìn)了單瓶多次法的不足 ( 加標(biāo)放不均 )操作方便 , 迅速 。 缺點 : 標(biāo)放只加一次 , 一瓶 , 若加的不準(zhǔn)影響全部數(shù)據(jù) ( 系統(tǒng)誤差 ) CCL4擴散快 , 擴散初始后應(yīng)趕快計數(shù) , 否則易丟失 。 閃 爍 液 作用:溶解閃爍體及樣品 , 接收能量
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