工程電磁場(chǎng)原理教學(xué)課件ppt(編輯修改稿)
2024-11-15 16:53 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 20 磁場(chǎng)強(qiáng)度 ? 一般形式的安培環(huán)路定律 A. C. L. H對(duì)含有磁化媒質(zhì)中的磁場(chǎng)，是外施激磁場(chǎng)和磁化場(chǎng)的合成。故可看成在真空中的激磁電流 I和磁化電流 Im共同作用產(chǎn)生的磁場(chǎng)。任取一閉合回路 l， 應(yīng)用安培環(huán)路定律 ? ?0m0ddllB l I II M l??? ? ???? ? ????????? ?? November 4,2021 21 磁場(chǎng)強(qiáng)度 ? 一般形式的 A. C. L. H0dlB M l I???? ? ????? ??ddlSH l I J S? ? ? ????0A /mBHM???定義 為磁場(chǎng)強(qiáng)度 ? 一般形式的安培環(huán)路定律 November 4,2021 22 磁場(chǎng)強(qiáng)度 ? 一般形式的 A. C. L. H?磁場(chǎng)強(qiáng)度的閉合線積分，與磁化電流（磁化媒質(zhì)的分布）無(wú)關(guān)，只與回路交鏈的自由電流有關(guān)。 ?磁場(chǎng)強(qiáng)度的分布，與磁化媒質(zhì)的分布有關(guān) ?對(duì)于具有對(duì)稱性的場(chǎng)的分析計(jì)算，應(yīng)用一般形式的安培環(huán)路定律，將變得非常簡(jiǎn)便。 November 4,2021 23 媒質(zhì)的磁導(dǎo)率 ? MH?mMH??m? 媒質(zhì)的磁化率? ?0 m 0 r1B H H H? ? ? ? ?? ? ? ?H / m? 媒質(zhì)的磁導(dǎo)率r? 媒質(zhì)的相對(duì)磁導(dǎo)率對(duì)于大多數(shù)的磁性媒質(zhì) ? Magic susceptibility permeability ? 0A /mBHM???Relative permeability November 4,2021 24 不同媒質(zhì)分界面上的邊界條件 (1) 兩種不同磁媒質(zhì)分界面上的 B. C. d0SBS? ? ??B1n= B2n ? dSD S q??? 2 n 1 nDD ???靜電場(chǎng) 恒定磁場(chǎng) November 4,2021 25 不同媒質(zhì)分界面上的邊界條件 (1) 兩種不同磁媒質(zhì)分界面上的 B. C. dlH l I? ? ??? te1?2?nK K e??P11,BH1l?2l?l22,BHne1?2?nK K e ?? n t ne e e? ??0l ?1 t 1 2 t 1 1dlH l H l H l K l? ? ? ? ? ? ??1 t 2 tH H K??? 電流片電流密度的參考方向 與回路的環(huán)行方向成右螺旋關(guān)系。實(shí)際電流方向與參考方向一致，取正 ， 反之，取負(fù) November 4,2021 26 0K?1t 2tHH?2121tgtg???? ? 不同媒質(zhì)分界面上的邊界條件 (1) 兩種不同磁媒質(zhì)分界面上的 B. C. 當(dāng)分界面上沒(méi)有宏觀自由電流分布， ，此時(shí) ? B線的折射定律 November 4,2021 27 —— 如分析電機(jī)氣隙磁場(chǎng)時(shí)，常將電樞繞組電流理想化為一置于氣隙周界上無(wú)限薄層的面電流分布形態(tài)； 1. 理論上，在理想導(dǎo)體 ( ??? )，超導(dǎo)體表面才可能有 K2. 工程上，電流趨膚效應(yīng)十分顯著的導(dǎo)體表面，基于工程觀點(diǎn)，可看作 形態(tài)的分布； K 不同媒質(zhì)分界面上的邊界條件 (1) 兩種不
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1