工業(yè)催化原理第五章第一講(編輯修改稿)
2024-11-15 16:43 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 of semiconductor energy belt 1 Energy belt 2個(gè) Na+ 2 3S1 N個(gè) Na N 3S1 Back ?半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)及其催化活性 ? 本征半導(dǎo)體 n型半導(dǎo)體 p型半導(dǎo)體 絕緣體 ? 圖 336 各種固體的能帶結(jié)構(gòu) ?半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)是不迭加的，形成分開(kāi)的帶，價(jià)帶，空帶，禁帶 (能量寬度為 Eg )。 ?金屬的 Eg為零，絕緣體的 Eg很大，各種半導(dǎo)體的 Eg居于金屬和絕緣體之間。 ? n型半導(dǎo)體 ZnO ；施主能級(jí) ― 提供電子的附加能級(jí) (靠近空帶 ) ? p型半導(dǎo)體 NiO ；受主能級(jí) ― 空穴產(chǎn)生的附加能級(jí) (靠近價(jià)帶 ) ? ?Fermi能級(jí) Ef 。 Ef越高電子逸出越易。本征半導(dǎo)體， Ef在禁帶中間； n型半導(dǎo)體，Ef在施主能級(jí)與導(dǎo)帶之間； p型半導(dǎo)體，Ef在受主能級(jí)與滿帶之間。 Fermi energy Back 費(fèi)米能級(jí)：是半導(dǎo)體性質(zhì)的一個(gè)重要物理量，它表示半導(dǎo)體中電子的平均位能 確切的說(shuō)，它表示在任意溫度下，電子出現(xiàn)的幾率為1/2的那個(gè)能級(jí)的能量。 電子逸出功：把一個(gè)電子從半導(dǎo)體內(nèi)部拉到外部，變成完全自由電子時(shí)，所需要 的最小能量 ? Ef與電子的逸出功 φ直接相關(guān)。 ? (b) ? 圖 337 費(fèi)米能級(jí)與逸出功的關(guān)系及能帶彎曲 ? (a)Ef與 φ的關(guān)系； (b)表面電荷與能帶彎曲 ?對(duì)于給定的晶格結(jié)構(gòu)， Fermi能級(jí) Ef的位置
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