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正文內(nèi)容

原子的不規(guī)則排列b(編輯修改稿)

2025-06-19 03:01 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡介】 即為不全位錯 。 表: 某些金屬和合金的層錯能 金屬 Ni Al Cu Au Ag 黃銅( Zn的摩爾分?jǐn)?shù)為 ) 不銹綱 層錯能/Jcm2 4 105 2 105 7 106 106 2 106 106 106 圖為 fcc晶體的 ( ) 面 , 使 A層以上原子相對于 C層作滑移 , 使 A→B→C→A→B, 此時滑移是不均勻的 , 滑移中止在晶體內(nèi)部 , 這樣就在局部地區(qū)形成層錯 。 與完整晶體的交界區(qū)為 Shockley不全位錯 。 不全位錯 —— 層 錯區(qū)與完整晶體的交界處 A、肖克萊( Shockley)不全位錯 110( 1) ( 2) , 且垂直于位錯線 , 為純?nèi)行?, 也可為純螺型或混合型 ( 3) 可滑移 , 不能攀移 , 即可在具有堆垛層錯的 {111} 面上滑移 , 引起層錯面的擴散或收縮 , 但不能離開 層錯面 。 6[ 1 2 1 ] , | |66ab b a?? }111//{b? 肖克萊( Shockley)不全位錯特征: 在 fcc晶體中插入或抽走一層 ( 111) 面 , 就會形成堆垛層錯 。 若插入或抽走的只是一部分 , 層錯與完整晶體邊界即所謂 “ Frank位錯 ” 。 插入型弗蘭克不全位錯叫 正弗蘭克不全位錯 , 抽走型叫 負弗蘭克不全位錯 。 不全位錯 —— 層 錯區(qū)與完整晶體的交界處 B、弗蘭克( Frank)不全位錯 1) , b與層錯面和位錯線垂直 , 故是純?nèi)行? 2) 只能攀移 , 而攀移必須借助原子的擴散 , 故運動困難 , 稱為 固定位錯 。 3) 不全位錯的柏氏矢量亦可通過柏氏回路的方法確定 , 但 回路的起點應(yīng)選擇在層錯面上 。 abab 3 3||],1 1 1[3 ??? 弗蘭克( Frank)不全位錯特征: 位錯除相互作用外 , 還可能發(fā)生 分解或合成 ,即位錯反應(yīng) 。 位錯反應(yīng)有兩個條件 。 1) 幾何條件 :反應(yīng)前各位錯柏氏矢量之和應(yīng)等于反應(yīng)后各 之和 即 Σ 前 =Σ 后 2) 能量條件 :能量降低的過程 ∵ E∝ b2 ∴ Σb2前 ≥Σb2后 b? b? b? 位錯反應(yīng) *.判斷下列位錯反應(yīng)能否進行: ( 1 ) 1 1 2 1 1 1 1 1 13 2 6a a a ??? ? ? ?? ? ? ? ????、 ? ? ? ?( 2 ) 1 0 0 1 1 1 1 1 122aaa ???? ??、 ( 1)幾何條件: ? ? ? ?55761112]112[3 aaa ??該位錯反應(yīng)不滿足幾何條件,所以反應(yīng)不能進行。 ( 2)幾何條件: 22 223 3 34 4 2 aa aa??? ? ? ?[ 1 1 1 ] 1 1 1 1 0 022aa a?? ??能量條件: 該位錯反應(yīng)滿足幾何條件但不滿足能量條件,所以反應(yīng)不能進行。 **.若面心立方晶體中有 的單位位錯及 的不全位錯,此二位錯相遇后發(fā)生位錯反應(yīng)。問: (1)此位錯反應(yīng)能否進行?為什么
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