原子的不規(guī)則排列b-文庫吧資料
2025-05-22 03:01本頁面
【正文】 界上非正常結(jié)點(diǎn)位臵原子引發(fā)晶格畸變， 使能量升高。 以上，一般在 30176。 ，多晶體 —— 10176。 以上一般在 30176。 ? ?1113ab ? 3 面缺陷（ Plane Defect） 晶 界 孿晶界 相 界 小角度晶界 大角度晶界 外表面 內(nèi)表面 堆垛層錯 表面和自由界面 ? 晶體表面指金屬與真空或氣體、液體等外部介質(zhì)相接觸的界面 ? 外部和內(nèi)部原子的作用力不同 導(dǎo)致晶格畸變。問： (1)此位錯反應(yīng)能否進(jìn)行？為什么？ (2)寫出合成位錯的柏氏矢量，并說明合成位錯的性質(zhì)。 （ 2）幾何條件： 22 223 3 34 4 2 aa aa??? ? ? ?[ 1 1 1 ] 1 1 1 1 0 022aa a?? ??能量條件： 該位錯反應(yīng)滿足幾何條件但不滿足能量條件，所以反應(yīng)不能進(jìn)行。 位錯反應(yīng)有兩個(gè)條件 。 3） 不全位錯的柏氏矢量亦可通過柏氏回路的方法確定 ， 但 回路的起點(diǎn)應(yīng)選擇在層錯面上 。 插入型弗蘭克不全位錯叫 正弗蘭克不全位錯 ， 抽走型叫 負(fù)弗蘭克不全位錯 。 6[ 1 2 1 ] , | |66ab b a?? }111//{b? 肖克萊（ Shockley）不全位錯特征： 在 fcc晶體中插入或抽走一層 （ 111） 面 ， 就會形成堆垛層錯 。 與完整晶體的交界區(qū)為 Shockley不全位錯 。 表： 某些金屬和合金的層錯能 金屬 Ni Al Cu Au Ag 黃銅（ Zn的摩爾分?jǐn)?shù)為 ） 不銹綱 層錯能/J 但層錯的影響僅表現(xiàn)在 次近鄰關(guān)系 ， 僅引起很少的點(diǎn)陣畸變 ， 故層錯能相對晶界能 （ ~5 104J/cm2） 很小 （ 如表 63） ， 層錯能愈小 ， 出現(xiàn)層錯的幾率愈大 。 層錯是一種晶體缺陷 ， 它破壞了晶體排列的周期性 ， 引起能量升高 。 ?不全位錯一般表現(xiàn)為晶體原子堆垛層錯區(qū)與無層錯區(qū)的邊界線，其滑移后原子排列發(fā)生變化。 實(shí)際晶體中的位錯 ?全位錯與不全位錯 ?柏氏矢量等于點(diǎn)陣矢量或其整數(shù)倍的位錯稱為 “ 全位錯 ” ，其中柏氏矢量等于單位點(diǎn)陣矢量的位錯稱為 “ 單位位錯 ” ，故全位錯滑移后晶體原子排列不變。 ?正因?yàn)?b既要符合結(jié)構(gòu)條件又要符合能量條件，因而實(shí)際晶體中存在的位錯的柏氏矢量限于少數(shù)最短的點(diǎn)陣矢量。 ?晶體結(jié)構(gòu)條件是指柏氏矢量必須連接一個(gè)原子平衡位置到另一平衡位置。 ① 在障礙物前端位錯塞積 ， 當(dāng)應(yīng)力大于一定值時(shí) ， 促使相鄰晶粒的 位錯源開動 （ 相鄰 晶粒位向發(fā)生改變 ） ② 障礙物強(qiáng)度不夠高 ， 萌生微裂紋 ③ 障礙物不堅(jiān)硬時(shí) ， 位錯切過 在滑移面上運(yùn)動的某一位錯 ， 必與穿過此滑移面上的其它位錯 （ 稱為 “ 位錯林 ” ） 相交截 ， 該過程即為“ 位錯交割 ” 。b 平衡時(shí) ， nτ0bdx， 障礙物對領(lǐng)先位錯反作用力 τb所作功為 τb 按虛功原理計(jì)算該反作用力 障礙物對塞積群的反作用力 按虛功原理 ， 若塞積群中 n個(gè)位錯在外應(yīng)力 τ0作用下局部前移了 dx， 外應(yīng)力作功為 nτ0 經(jīng)計(jì)算 ， 塞積群中任一位錯 i距障礙物的距離 xi（ n很大時(shí) ） 為： 20)1(16 ?? iKnGbx i ?? Gblkn 0???xi表示第 i個(gè)位錯距障礙物的距離 ， 若以 為 xi的單位 ， 可見在塞積群中每個(gè)位錯距障礙物不是等距離排列 ， 而是成 指數(shù)關(guān)系 。 6）位錯的塞積 關(guān)于位錯塞積現(xiàn)象的討論： 1） 刃位錯間相互斥力 2） 位錯塞積群對位錯源的反作用力 此力與塞積群中的位
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