微細(xì)加工與mems技術(shù)-張慶中-19-微機(jī)電系統(tǒng)(編輯修改稿)
2025-06-18 02:32 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 性腐蝕 111 100 P++ 摻雜層自停技術(shù) 表面摻硼 背面氧化 N Si 背面光刻 腐蝕硅 P++ 摻雜層 電化學(xué)自停技術(shù) 對(duì) N 型硅加上相對(duì)于腐蝕液為正的偏置電壓，將阻止 N 型硅的腐蝕。 KOH 腐蝕液 高密度 RIE（ HDP RIE）刻蝕技術(shù) 利用 RIE 刻蝕技術(shù)可實(shí)現(xiàn)與晶面無關(guān)的各向異性刻蝕?，F(xiàn)已可獲得深寬比達(dá) 30 以上的坑槽。但由于刻蝕速率很慢，通常用于小區(qū)域上的各向異性刻蝕。 利用體硅腐蝕技術(shù)形成的硅杯、硅膜片和 SiO2 懸臂梁 二、表面加工技術(shù) 采用與集成電路制造工藝相似的各種標(biāo)準(zhǔn)加工工藝，如薄膜淀積、光刻等。其中最重要的一種加工技術(shù)稱為 “ 表面犧牲層腐蝕技術(shù) ” ， 可在硅片表面制作可動(dòng)的機(jī)械結(jié)構(gòu)。這種技術(shù)利用不同材料在同一腐蝕液中腐蝕速率的巨大差異，將已按一定形狀和順序疊加在一起的多層薄膜材料中的一層選擇性地去掉，從而得到所需的結(jié)構(gòu)。被去掉的這一層即稱為表面犧牲層。常用的慢腐蝕材料有 Si 和 Poly Si，犧牲層材料有 CVD SiO2 、 PSG、 Al 和 PMMA 。腐蝕液為 HF 溶液。 利用這種技
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