計(jì)算機(jī)組成原理第4章1存儲(chǔ)器(編輯修改稿)
2025-06-17 16:36 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 態(tài) RAM (SRAM) (1) 靜態(tài) RAM 基本電路 A180。 觸發(fā)器非端 1 T 4 T ~ 觸發(fā)器 5 T T 6 、 行開(kāi)關(guān) 7 T T 8 、 列開(kāi)關(guān) A 觸發(fā)器原端 T1 ~ T4 T5 T6 T 7 T 8 A180。 A 寫放大器 寫放大器 DIN 寫選擇 讀選擇 DOUT 讀放 位線 A 位線 A 180。 列地址選擇 行地址選擇 A‘ A A180。 T1 ~ T4 T5 T6 T7 T8 A 寫放大器 寫放大器 DIN 寫選擇 讀選擇 讀放 位線 A 位線 A 180。 列地址選擇 行地址選擇 DOUT ① 靜態(tài) RAM 基本電路的 讀 操作 行選 T T6 開(kāi) T T8 開(kāi) 列選 讀放 DOUT VA T6 T8 讀選擇有效 T1 ~ T4 T5 T6 T7 T8 A180。 A DIN 位線 A 位線 A 180。 列地址選擇 行地址選擇 寫放 寫放 讀放 DOUT 寫選擇 讀選擇 ② 靜態(tài) RAM 基本電路的 寫 操作 行選 T T6 開(kāi) 兩個(gè)寫放 DIN 列選 T T8 開(kāi) （左） 反相 T5 A180。 （右） T8 T6 A DIN DIN T7 寫選擇有效 (2) 靜態(tài) RAM 芯片舉例 ① Intel 2114 外特性 存儲(chǔ)容量 1K 4 位 I/O 1 I/O 2 I/O 3 I/O 4 A 0 A 8 A 9 WE CS VCC GND Intel 2114 … ② Intel 2114 RAM 矩陣 (64 (16 4) ) A3 A4 A5 A6 A7 A8 A0 A1 A2 A9 15 … 0 31 … 16 47 … 32 63 … 48 15 0 31 16 47 32 63 48 讀寫電路 讀寫電路 讀寫電路 讀寫電路 … … … … … … … … 0 1 63 0 15 … … 行 地 址 譯 碼 列 地 址 譯 碼 I/O1 I/O2 I/O3 I/O4 WE CS 第一組 第二組 第三組 第四組 15 … 0 31 … 16 47 … 32 63 … 48 15 0 31 16 47 32 63 48 讀寫電路 讀寫電路 讀寫電路 讀寫電路 … … … … … … … … 0 1 63 0 15 … … 行 地 址 譯 碼 列 地 址 譯 碼 I/O1 I/O
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