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正文內(nèi)容

汕頭大學(xué)-計算機(jī)組成與結(jié)構(gòu)-存儲器實驗報告(編輯修改稿)

2025-08-20 16:20 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡介】 (3)根據(jù)老師提供的VHDL文檔,按照《Memory Blocks》part4給出的步驟,在下圖的基礎(chǔ)上,通過設(shè)計個人的邏輯電路,應(yīng)用DE2板上的SRAM芯片。(4) 完成電子文檔《Memory Blocks》給出的其它實驗內(nèi)容(選做部分)3. 實驗記錄及分析(占本次實驗成績90%,包括實驗內(nèi)容說明、實驗過程及步驟、實驗結(jié)果記錄等,每個Project應(yīng)給出邏輯電路圖,包含驗證數(shù)據(jù)的實驗記錄):Part1實驗過程及步驟:1. 按照實驗指導(dǎo)書附件1《Memory Blocks》part1給出
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