外文翻譯中文---簡易微機(jī)電系統(tǒng)設(shè)備的無線供電方案(編輯修改稿)
2025-06-26 05:11 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 作頻率上的限制以外的輔助功能已不再作為一個電感器，但而不是作為一個電容器。寄生電阻和電容的主要是更重要的一面相比，那些在第二位的。核心損耗電阻，RCORE，在核心與平行損失為能源的主要賬戶。電路中的元素具有不同的配置不同的重要性變壓器。在這個文件中，主要關(guān)注的是提高耦合系數(shù)，找出最佳工作頻率范圍。這些問題將在下 面的章節(jié) 提到 。 變壓器是由一個繞線初級，鐵氧體磁芯和一個輔助彈簧圈上的硅晶片。其核心是由兩部分組成，以提供一個可調(diào)節(jié)的空氣間隙。圖 3顯示了在測試夾具的核心和線圈支持。金屬制品業(yè) 副線圈 是安裝在印刷電路板，便于操作。二次是一個邊長的平方平均螺旋彈簧圈 12mm 作為幾何圖。 4（ 1）。加工涉及電子束蒸發(fā)的銅層的一氧化硅晶片，并發(fā)射的圖案。銅線圈為 微米厚。線圈有 10 轉(zhuǎn)和 80 微米的金屬痕跡以 100 微米間距寬。電氣參數(shù)的物理和核心，第二是總結(jié)于表 1。 變壓器是由一個繞線初級，鐵氧體磁芯和一 個輔助彈簧圈上的硅晶片。其核心是由 圖 3. 微線圈的裝配和測量 Philips 3F3制造的核心 連接及其固定用 PCB電路板 片上集成的銅制副線圈 十匝 兩部分組成，以提供一個可調(diào)節(jié)的空氣間隙。圖 3 顯示了在測試夾具的核心和線圈支持。金屬制品業(yè) 副線圈 是安裝在印刷電路板，便于操作。二次是一個邊長的平方平均螺旋彈簧圈 12mm 作為幾何圖。 4（ 1）。加工涉及電子束蒸發(fā)的銅層的一氧化硅晶片，并發(fā)射的圖案。銅線圈為 微米厚。線圈有 10 轉(zhuǎn)和 80 微米的金屬痕跡以 100 微米間距寬。電氣參數(shù)的物理和核心，第二是總結(jié)于表 1。 表 1. 主副核心的物理參數(shù) 核心 副端 材料 Philips 3F3 匝數(shù) 10 邊長 50 x 40 mm2 厚度 納米 截面積 8 x 8 mm2 寬度 80納米 氣隙寬度 010mm 間距 20納米 詳細(xì)功率損耗 100 176。 C， 400 kHz， 50 mT 150 mW/cm3 平均邊長 12mm 感應(yīng)系數(shù) μ H 25176。 C時相對磁導(dǎo)率 2020 阻抗 ohm 線圈阻抗的測定是使用 40 千赫至 110 兆赫的安捷倫 4294A 阻抗分析儀在頻率范圍內(nèi)。曲線的阻抗與頻率特性進(jìn)行擬合使用 3 元模型，如圖所示。 4（ b）項(xiàng)提取的集總元件的值。 模型比較從線圈阻抗測量計(jì)算值與圖中給出。 4（三）與 L = 之間， R= 和 c = 67 pF 的，它可以看出，實(shí)測值和計(jì)算以及與其他各同意。該次級線圈自我共振頻率大約是 10兆赫。這些參數(shù)將用于低于預(yù)測的變壓器頻率響應(yīng)。 圖 4 利用集總元件對 副線圈的阻抗測量和曲線擬合 ((b)中對應(yīng)參數(shù) ， L = μH ,R = Ω ,C = 67 pF)。 （ a）核心圖解 線圈阻抗的實(shí)數(shù)部分（Ω） 線圈阻抗的復(fù)數(shù)部分（Ω） 大小 曲線擬合 大小 曲線擬合 （ b）線圈等效電路 （ c）頻率與阻抗 頻率（ Hz） 對于前面提到的原因系數(shù)，耦合是一個值得探討的重要人物，以變壓器設(shè)計(jì)的。耦合系數(shù)是通過以下方式獲得， 指圖。 2：打開電路中的 主線圈 和 副線圈 共測量電感， L』= 12。短路的 主線圈 和 副線圈 電感措施，即現(xiàn)在的漏感， L39。39。在不同的測量線圈電感兩者的磁化電感線圈，它等于 L2， m=k2L2。因此， k=(L2,m)= (L’ L’’ /L’ )。 （對于一個理想的變壓器，這應(yīng)該同意測量方 K 的主。我們的測量不能主要表現(xiàn)在由于方程不歐姆有效期為大 ZL，這是 的阻力的情況下為我們的盤管系列與。 ）嚴(yán)格來說，只有當(dāng)電抗線圈寄生效應(yīng)，如由于電容，總有一個微不足道的影 響可以準(zhǔn)確的電感值來衡量。因此，我們的測量難免受到寄生電容的一些錯誤，因?yàn)榧{因在高頻率變得顯著。不過，我們的 k值是有意義的測量在較低的頻率，以及他們所服務(wù)的設(shè)計(jì)目的比較不同變壓器。 變壓器優(yōu)化設(shè)計(jì)的第一步
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