外文翻譯中文---簡易微機電系統(tǒng)設(shè)備的無線供電方案-免費閱讀
【正文】 最大耦合系數(shù) 已取得的為 2mm的空隙，并通過模擬測試已被證實。對于差距變壓器 10 圈 主線圈和 1 2mm 的空氣， Vpp 的是獲得 1 Vpp的主要 影響 電壓在 千赫，如圖所示研究。這種現(xiàn)象可以解釋如下：在低頻率，開路電壓比可表示為 V2/V1=k 的關(guān)系，這是特點決定了變壓器 。 V 1/V2的值 8匝的 主線圈 主線圈在大臂上 主線圈在小臂上 分布式主線圈 測量 模擬 頻率（ Hz） 上述測量均進行了 2mm 的空隙，而且是有益的行為研究的空白耦合系數(shù)在不同的空氣。初級電感量測分別為 之間， 和 之間分別為 8 個大 μH 之間輪流上 主線圈 ， 布置在大臂和小臂上，以及分布 主線圈 。曲線的耦合系數(shù)采取年底在較低的 ， 和 8 輪流分裂，主線圈 分別分布在小臂上 和 主線圈 在大臂 上 。不過，我們的 k值是有意義的測量在較低的頻率，以及他們所服務(wù)的設(shè)計目的比較不同變壓器。短路的 主線圈 和 副線圈 電感措施，即現(xiàn)在的漏感， L39。 模型比較從線圈阻抗測量計算值與圖中給出。銅線圈為 微米厚。電氣參數(shù)的物理和核心，第二是總結(jié)于表 1。其核心是由兩部分組成，以提供一個可調(diào)節(jié)的空氣間隙。 L1 L1， l: 漏感 ， L1， l=(1k2) 主線圈和 副線圈 線圈寄生電阻和電容，二次側(cè)寄生在被視為負載。的 L1 之間的耦合程度， 主線圈 和 副線圈 的相關(guān)定義為耦合系數(shù)， K，這是， L2和 M的： 耦合系數(shù)是對變壓器性能優(yōu)異的最重要的人物之一。我們已經(jīng)實現(xiàn)線圈耦合高達 Wrms 權(quán)力負載通過我們的 副線圈 。此外，它需要一個外部光源，可能并不總是可用。 利用電化學(xué)電池是一種芯片供電方式，例如電池，不過這種方式受限于有限的電池容量和壽命。 可用高電壓（ ）和功率（ Wrms)由經(jīng)副變壓器傳輸至負載來展示傳送能力。 由于某些型號的執(zhí)行機構(gòu)對電壓和電源要求較高，在芯片上整合電源供應(yīng)器是不可行的，并且微機電系統(tǒng)因供電需求而被連接裝置束縛是不方便的。片裝無線供電電源可應(yīng)用于解決此問題。 關(guān)鍵詞：微機電系統(tǒng)供電、芯片供電、電感耦合、 集成電感器 作為一個相對較新的研究領(lǐng)域，微機電系統(tǒng) (MEMS)日益受到關(guān)注。因此 ，在某種情況下，再生能源供應(yīng)是更加合適的。 ?相比之下，電感芯片耦合功率上結(jié)合物理連接的優(yōu)點，不，不可拆卸部件，高可靠性和效率，集成電路制造的兼容性和易用性的包裝。 由經(jīng)營理論變壓器電磁感應(yīng)原理。當(dāng)一個線圈（例如為，二級）的短路， V1的可以寫為 : 請注意，阻抗 進入一個次要短路變壓器初級尋找理想是零。變壓器的二次加工，是一個螺旋式電感器制造的平面上一氧化硅晶片。 L1 C1: 主線圈分布電容 C2: 磁線圈分布電容 C12:主線圈至磁線圈電容 k: 耦合 系數(shù) 圖 2 變壓器等效電路 負載，電容和寄生電感一起構(gòu)成諧振頻率等效電路與 f=1/2π 實行了變壓器，一個工作頻率上的限制以外的輔助功能已不再作為一個電感器，但而不是作為一個電容器。圖 3顯示了在測試夾具的核心和線圈支持。 變壓器是由一個繞線初級，鐵氧體磁芯和一 個輔助彈簧圈上的硅晶片。線圈有 10 轉(zhuǎn)和 80 微米的金屬痕跡以 100 微米間距寬。 4（三）與 L = 之間， R= 和 c = 67 pF 的，它可以看出，實測值和計算以及與其他各同意。39。 變壓器優(yōu)化設(shè)計的第一步是研究在何種程度上兩個線圈的相對位置會影響他們的耦合。這些結(jié)果表明，耦合系數(shù)，可大大降低之間增加了物理分離的 主線圈 和 副線圈 的高滲透性盡管使用了鐵素體核心。有人可能會認為，主要是立場獨立的電感線圈的磁場內(nèi)的道 路，但對于非理想電感，漏磁循環(huán)起著重要的作用，圍繞不愿意下降。圖 7（ a）和（ b）表明系數(shù)與耦合變壓器 10 轉(zhuǎn)折， 2 至 5mm20 初
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