【正文】 。副變壓器制造在芯片上并且和主變壓器分開。研究了變壓器的頻率特性。它是由一個開路電壓串聯(lián)陣列 100個太陽能電池生產 1平方厘米，（一單細胞層的三針 /腳 /針：高）的 a Si占地總面積為 1的數(shù)組 200伏 ，轉換效率低于 5％ 的設備。對于不完全耦合變壓器，與原理圖如圖所示。核心損耗電阻， RCORE，在核心與平行損失為能源的主要賬戶。銅線圈為 微米厚。曲線的阻抗與頻率特性進行擬合使用 3 元模型，如圖所示。 ）嚴格來說，只有當電抗線圈寄生效應，如由于電容，總有一個微不足道的影 響可以準確的電感值來衡量。該協(xié)議的實測數(shù)據(jù)和模擬表明， k值，測量線圈的提取是有效的，盡管在上述假設討論 。一個正常的頻率范圍勘探變壓器性能超越其揭示了一些有趣的功能。 在此，提出了一種證明變壓器的是一個可拆卸的芯片上，提出了采取行動的輔助電源作為一個無線 MEMS 器件，以及業(yè)務變壓器。這種電壓是的元件，微機電系統(tǒng)的運作等如上述討論確定，為最大限度地提高磁耦合器，主要應分別穿過空氣間隙和有會話話輪轉換低限 線圈數(shù) 的驅動 。正如預料的那樣，把初選耦合系數(shù)下降，空氣間隔之交和 20 擴大。這種設計并不適用于植入微機電系統(tǒng)，而且，實際的其他系統(tǒng)，如實驗室的單晶片，目前正在巴黎圣母院發(fā)展的。在不同的測量線圈電感兩者的磁化電感線圈，它等于 L2， m=k2L2。電氣參數(shù)的物理和核心，第二是總結于表 1。金屬制品業(yè) 副線圈 是安裝在印刷電路板，便于操作。寄生效應是顯著的加工技術引入二次側所施加的限制，因為。當交流電壓線圈上的應用，不斷變化的磁場線圈共同具有的核心是路徑形成的磁場產生的。 其他一些發(fā)電方案的原型已經出現(xiàn)。 在 這里， 展示 一個利用核心處有空隙的變壓器設計的簡易無線供電方案 。在此演示的薄膜副變壓器工作頻率為小于幾兆赫 。雖然這種方法可以提供 足夠的靜電電壓，其電流源的能力是有限的。 1，每個終端電壓壓降可表示為： 圖 1 帶有 互感 M變壓器示意圖 在第一級，二級和 M是主要的電感，電感和互感 副線圈 分別是第二和 ZL終端負載阻抗跨越。 VS: 開路源電壓 ZS: 激勵源內阻抗 ZL: 負載阻抗 RCORE: 磁芯損耗電阻 R1: 主線圈直流電阻 R2:副線圈直流電阻 L1: 主線圈感應系數(shù) L2:副線圈感應系數(shù) L1， m: 磁化電感 e， L1， m=k2線圈有 10 轉和 80 微米的金屬痕跡以 100 微米間距寬。 4（ b）項提取的集總元件的值。因此，我們的測量難免受到寄生電容的一些錯誤，因為納因在高頻率變得顯著。 電感線圈是用在圖 5（ c）的模擬，而不是因為線圈轉數(shù)的關系 為 L=N2/R（其中 N是轉數(shù)， R是路徑磁阻磁）只適用于完美的耦合，以及非理想的變壓器等，因為這些，也就是為 K表 1，電感比平方根的不再等于匝數(shù)比。如圖 8 所示，電壓比例保持不變高達 1 MHz 的，然后迅速上升和山峰之間的 9? 10兆赫的頻率急劇下降較高。實驗和模擬已進行了綜合表征線圈，最大限度地提高磁耦合，并確定變壓器的頻率特性 。 10。圖 7（ a）和（ b）表明系數(shù)與耦合變壓器 10 轉折， 2 至 5mm20 初選與轉空氣縫隙。這些結果表明，耦合系數(shù)，可大大降低之間增加了物理分離的 主線圈 和 副線圈 的高滲透性盡管使用了鐵素體核心。39。線圈有 10 轉和 80 微米的金屬痕跡以 100 微米間距寬。圖 3顯示了在測試夾具的核心和線圈支持。變壓器的二次加工，是一個螺旋式電感器制造的平面上一氧化硅晶片。 由經營理論變壓器電磁感應原理。因此 ，在某種情況下，再生能源供應是更加合適的。片裝無線供電電源可應用于解決此問題。 可用高電壓（ ）和功率（ Wrms)由