ram的一般結(jié)構(gòu)和讀寫過程(專業(yè)版)
【正文】 當靜態(tài)RAM的地址線和數(shù)據(jù)線不能與微機相匹配時，可用地址線擴展、數(shù)據(jù)線擴展或地址和數(shù)據(jù)線同時進行擴展的方法加以解決?！ RAM的讀/寫操作過程： 1)訪問該存儲單元的地址有效；2)片選信號有(未畫)；3)發(fā)出讀出信息或?qū)懭胄滦畔⒌目刂菩盘枴！?SRAM)：它由電源來維持信息，如觸發(fā)器，寄存器等?！ 〈鎯w或RAM的容量：存儲單元的個數(shù)*每個存儲單元中數(shù)據(jù)的位數(shù)?！ ‰p極型結(jié)構(gòu)SRAM：功耗較大，存取速度更加快。補充充電的過程稱為“刷新”—Refresh,也稱“再生”。字的位擴展用前面方法，地址擴展用譯碼器完成，用8片RAM2114。當該信息長時間不處理時，電容上的電荷將會因漏電等原因而逐漸的損失，從而造成存儲數(shù)據(jù)的丟失?！ 〕鲜鯪MOS結(jié)構(gòu)的靜態(tài)SRAM以外，還有以下幾種類型的SRAM?！ ?)存儲體：它是存放大量二進制信息的“倉庫”，該倉庫由成千上萬個存儲單元組成。 其中，存儲單元通過TT6和數(shù)據(jù)線(位線)相連；數(shù)據(jù)線又通過TT8和再經(jīng)輸入/輸出緩沖電路和輸入/輸出線相連接，以實現(xiàn)信息的傳遞和交換。寫入操作時，假定原信息為“0”，要寫入信息“1”，該存儲單元的地址有效后，X、Y為高電平；在片選信號到達后，加寫入命令W=1，R
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