ram的一般結(jié)構和讀寫過程-免費閱讀
【正文】 擴展后的電路如圖所示： ，地址擴展，數(shù)據(jù)位擴展。讀出的數(shù)據(jù)仍為，則DO=1。充至一定電壓后，T2導電，C1放電，T1截止，所以，Q變?yōu)楦唠娖?，?”信息寫入到了該存儲單元中。其靜態(tài)功耗很小，因而存儲容量可以做得很大。假定要寫入信息“1”： 1)地址碼加入，地址有效后，相對應的行選線X和列選線Y都為高電平，TTTT8導電； 2)片選信號有效(低電平)； 3)寫入信號有效，這時三態(tài)門GG3為工作態(tài)，G1輸出高阻態(tài)，信息“1”經(jīng)GTT5達到Q端；經(jīng)G3反相后信息“0”經(jīng)TT6達到。輸入/輸出緩沖器起數(shù)據(jù)的鎖存作用，通常采用三態(tài)輸出的電路結(jié)構。一、RAM的一般結(jié)構和讀寫過程 ： 1)行、列地址譯碼器：它是一個二進制譯碼器，將地址碼翻譯成行列對應的具體地址，然后去選通該地址的存儲單元，對該單元中的信息進行讀出操作或進行寫入新的信息操作。因此，RAM可以與其它的外面電路相連接，實現(xiàn)信息的雙向傳輸(即可輸入，也可輸出)，使信息的交換和傳遞十分方便。T4導電，T3截止，顯然，信息“1”已寫入了存儲單元。靜態(tài)RAM功耗大，密度低，動態(tài)RAM功耗小，密度高。如果寫入的信息是“0”，則原電容上的電荷不變?！ 嶋H上，在每進行一次讀出操作之前，必須對
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