ram的一般結(jié)構(gòu)和讀寫過程-預(yù)覽頁
【正文】 作。而每個存儲單元存放著一個二進制字信息，二進制字可能是一位的，也可能多位。輸入/輸出緩沖器起數(shù)據(jù)的鎖存作用，通常采用三態(tài)輸出的電路結(jié)構(gòu)?！?SRAM)：它由電源來維持信息，如觸發(fā)器，寄存器等。假定要寫入信息“1”： 1)地址碼加入，地址有效后，相對應(yīng)的行選線X和列選線Y都為高電平，TTTT8導電； 2)片選信號有效(低電平)； 3)寫入信號有效，這時三態(tài)門GG3為工作態(tài)，G1輸出高阻態(tài)，信息“1”經(jīng)GTT5達到Q端；經(jīng)G3反相后信息“0”經(jīng)TT6達到?！ MOS結(jié)構(gòu)的SRAM：功耗更加低，存儲容量更加大。其靜態(tài)功耗很小，因而存儲容量可以做得很大?！ RAM的讀/寫操作過程： 1)訪問該存儲單元的地址有效；2)片選信號有(未畫)；3)發(fā)出讀出信息或?qū)懭胄滦畔⒌目刂菩盘枴３渲烈欢妷汉?，T2導電，C1放電，T1截止，所以，Q變?yōu)楦唠娖?，?”信息寫入到了該存儲單元中。及時補充電荷是動態(tài)RAM中一個十分重要的問題。讀出的數(shù)據(jù)仍為，則DO=1。當靜態(tài)RAM的地址線和數(shù)據(jù)線不能與微機相匹配時，可用地址線擴展、數(shù)據(jù)線擴展或地址和數(shù)據(jù)線同時進行擴展的方法加以解決。擴展后的電路如圖所示： ，地址擴展，數(shù)據(jù)位擴展。擴展后的電路如圖所示：
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