ram的一般結(jié)構(gòu)和讀寫(xiě)過(guò)程(文件)
【正文】 。動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)單元，利用了柵源間的MOS電容存儲(chǔ)信息。 動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)單元(DRAM)的典型結(jié)構(gòu)： 門(mén)控管TTTTTT8 ，CC2為MOS電容。信息經(jīng)TTT3對(duì)C2充電。當(dāng)該信息長(zhǎng)時(shí)間不處理時(shí)，電容上的電荷將會(huì)因漏電等原因而逐漸的損失，從而造成存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的丟失。然而進(jìn)行讀出操作：地址有效，行、列選線X、Y高電平；R=1，W=0進(jìn)行讀出操作，如果原信息為Q=“1”，說(shuō)明MOS電容C2有電荷，C1沒(méi)有電荷(即T2導(dǎo)電，T1截止)；這時(shí)C01上的電荷將對(duì)C2補(bǔ)充充電，而C02上的電荷經(jīng)T2導(dǎo)電管放掉，結(jié)果對(duì)C2實(shí)現(xiàn)了補(bǔ)充充電。三、靜態(tài)RAM的容量擴(kuò)展(SRAM) 通常微處理器的數(shù)據(jù)總線為8位、16位或32位，而地址總線為16位或24位不等。 解：10248字位容量，其地址仍是十位，故只要進(jìn)行數(shù)據(jù)位擴(kuò)展即可，選用RAM2114兩片，將兩片的地址線，讀/寫(xiě)線及片選線并聯(lián)，兩片的位線分別作為高4位數(shù)據(jù)和低4位數(shù)據(jù)，組成8位的數(shù)據(jù)線即可。字的位擴(kuò)展用前面方法，地址擴(kuò)展用譯碼器完成，用8片RAM2114?！±河肦AM2114，擴(kuò)展成容量為40968字位(32K)的RAM。 數(shù)據(jù)線擴(kuò)展 如SRAM 2114：10位地址，4位數(shù)據(jù)線，其容量=210
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