ram的一般結(jié)構(gòu)和讀寫過程-全文預(yù)覽
【正文】 4=1024 4=4096字位(4K)?！ 嶋H上，在每進(jìn)行一次讀出操作之前，必須對DRAM按排一次刷新，即先加一個預(yù)充電脈沖，然后進(jìn)行讀出操作。補充充電的過程稱為“刷新”—Refresh,也稱“再生”。如果寫入的信息是“0”，則原電容上的電荷不變?！ ∽x出操作時，令原信息Q=1，C2充有電荷，地址有效后，行、列選取線高電平；加片選信號后，送讀出信號R=1，W=0；TTT8導(dǎo)電，經(jīng)TTT8讀出。靜態(tài)RAM功耗大，密度低，動態(tài)RAM功耗小，密度高?！ ‰p極型結(jié)構(gòu)SRAM：功耗較大，存取速度更加快。T4導(dǎo)電，T3截止，顯然，信息“1”已寫入了存儲單元。 靜態(tài)存儲單元(SRAM)的典型結(jié)構(gòu)： TTTT8都是門控管，只要柵極高電平，這些管子就工作在可變電阻區(qū)，當(dāng)作開關(guān)。因此，RAM可以與其它的外面電路相連接，實現(xiàn)信息的雙向傳輸(即可輸入，也可輸出)，使信息的交換和傳遞十分方便?！ 〈鎯w或RAM的容量：存儲單元的個數(shù)*每個存儲單元中數(shù)據(jù)的位數(shù)。一、RAM的一般結(jié)構(gòu)和讀寫過程?。骸 ?)行、列地址譯碼器：它是一個二進(jìn)制譯碼器，將地址碼翻譯成行列對應(yīng)的具體地址，然后去選通該地址的存儲單元，對該單元中的信息進(jìn)行讀出操作或進(jìn)行寫入新的信息操
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